Контрольная работа

Контрольная работа на тему Решение контрольной работы по элементной базе радиоэлектронной аппаратуры

Работа добавлена на сайт bukvasha.net: 2014-11-04

Поможем написать учебную работу

Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.

Предоплата всего

от 25%

Подписываем

договор

Выберите тип работы:

Скидка 25% при заказе до 15.3.2025


Контрольная работа № 2

по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “.

Аннотация.
          Целью работы является активизация самостоятельной учебной работы, развитие умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых приборов.

Исходные данные:
Тип транзистора ……………………………………………ГТ310Б
Величина напряжения питания Еп ………………………….. 5 В
Сопротивление коллекторной нагрузки Rк ………………1,6 кОм
Сопротивление нагрузки Rн ……………………………… 1,8 кОм
Схема включения транзистора с общим эмиттером, с фиксированным током базы, с резистивно - ёмкостной связью с нагрузкой.


Биполярный транзистор ГТ310Б.
Краткая словесная характеристика:
          Транзисторы германиевые диффузионно- сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные.
          Предназначены для работы в усилителях высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке.
          Масса транзистора не более 0,1 г..

Электрические параметры.
Коэффициент шума при ѓ = 1,6 МГц, Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА не более 3 дБ
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА, ѓ = 50 – 1000 Гц 60 – 180
Модуль коэффициента передачи тока H21э при Uкб= 5 В, IЭ= 5 мА, ѓ = 20 МГц не менее 8
Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб= 5 В, IЭ= 5 мА, ѓ = 5 МГц не более 300 пс
Входное сопротивление в схеме с общей базой         при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА 38 Ом
Выходная проводимость в схеме с общей базой        при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА, ѓ = 50 – 1000 Гц не более 3 мкСм
Ёмкость коллектора при Uкб= 5 В, ѓ = 5 МГц не более 4 пФ
Предельные эксплуатационные данные.
Постоянное напряжение коллектор- эмиттер: при Rбэ= 10 кОм 10В при Rбэ= 200 кОм 6 В
Постоянное напряжение коллектор- база 12 В
Постоянный ток коллектора  10 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = 233 – 308 К 20 мВт
Тепловое сопротивление переход- среда 2 К/мВт
Температура перехода 348 К
Температура окружающей среды От 233 до 328 К
          Примечание. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т = 308 – 328 К определяется по формуле:
PК.макс= ( 348 – Т )/ 2
Входные характеристики.
          Для температуры Т = 293 К :
Iб, мкА
Uкэ= 0 В
Выноска 3: Uкэ= 0 В

200
160
Uкэ= 5 В
Выноска 3: Uкэ= 5 В

120
80
40
0
0,05
0,1
0,15
0,2
0,25
0,3
0,35
Uбэ

Выходные характеристики.
          Для температуры Т = 293 К :
Iб= 90 мкА
 

Iб= 80 мкА
Выноска 3: Iб= 80 мкА Iк ,
мА
Iб= 70 мкА
Выноска 3: Iб= 70 мкА 9
Iб= 60 мкА
Выноска 3: Iб= 60 мкА8
7
Iб= 50 мкА
Выноска 3: Iб= 50 мкА 6
Iб= 40 мкА
Выноска 3: Iб= 40 мкА5
Iб= 30 мкА
Выноска 3: Iб= 30 мкА4
3
Iб= 20 мкА
Выноска 3: Iб= 20 мкА 2
Iб= 10 мкА
Выноска 3: Iб= 10 мкА1
0
1
2
3
4
5
6
Uкэ
Нагрузочная прямая по постоянному току.

          Уравнение нагрузочной прямой по постоянному току для схемы включения с общим эмиттером:
Построим нагрузочную прямую по двум точкам:
          при Iк= 0, Uкэ= Еп = 9 В, и при Uкэ= 0, Iк= Еп / Rк = 9 / 1600 = 5,6 мА
Iк ,
мА
6
5
4
А
3
Iк0
2
1
0
1
2
3
4
5
Uкэ0
6
7
8
9
Еп
Uкэ



Uкэ=4,2 В
Выноска 3: Uкэ=4,2 В
Uкэ= 0 В
Выноска 3: Uкэ= 0 В

Iб, мкА
Uкэ= 5 В
Выноска 3: Uкэ= 5 В

50
40
30
Iб0
20
10
0
0,15
0,17
0,19
0,21
0,23
0,25
0,27
0,29
Uбэ0
0,31
Uбэ
Параметры режима покоя (рабочей точки А):
Iк0= 3 мА, Uкэ0= 4,2 В, Iб0= 30 мкА, Uбэ0= 0,28 В

Величина сопротивления Rб:

Определим H–параметры в рабочей точке.
Iб = 40 мкА
Выноска 3: Iб = 40 мкА Iк ,
мА
Iб0= 30 мкА
Выноска 3: Iб0= 30 мкА 6
5
 
4
ΔIк0
 
3
ΔIк
2
1
0
1
2
3
4
5
Uкэ0
6
7
8
9
Еп
Uкэ
 ΔUкэ

Uкэ= 4,2 В
Выноска 3: Uкэ= 4,2 В

Iб, мкА
50
40
 ΔIб
30
Iб0
20
10
0
0,15
0,17
0,19
0,21
0,23
0,25
0,27
0,29
Uбэ0
0,31
Uбэ
ΔUбэ
ΔIк0= 1,1 мА, ΔIб0 = 10 мкА, ΔUбэ = 0,014 В, ΔIб = 20 мкА, ΔUкэ= 4 В, ΔIк= 0,3 мА

H-параметры:

Определим G – параметры.
          Величины G-параметров в рабочей точке определим путём пересчёта матриц:

G-параметр:
G11э= 1,4 мСм, G12э= - 0,4*10 –6
G21э= 0,15 , G22э= 4,1*10 –3 Ом
Определим величины эквивалентной схемы биполярного транзистора.
Схема Джиаколетто – физическая малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора:

Величины элементов физической эквивалентной схемы транзистора и собственная постоянная времени транзистора определяются соотношениями (упрощёнными):
Собственная постоянная времени транзистора:
Крутизна:




Определим граничные и предельные частоты транзистора.


Граничная частота коэффициента передачи тока:

Предельная частота коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эммитером:

Максимальная частота генерации:
Предельная частота коэффициента передачи тока эммитера в схеме с общим эммитером:
Предельная частота проводимости прямой передачи:


Определим сопротивление нагрузки транзистора и построим нагрузочную прямую.
Сопротивление нагрузки транзистора по переменному току:


          Нагрузочная прямая по переменному току проходит через точку режима покоя
Iк0= 3 мА, Uкэ0= 4,2 В и точку с координатами:
Iк= 0, Uкэ= Uкэ0+ Iк0*R~= 4,2 + 3*10 –3 * 847 = 6,7 В
Iк ,
мА
6
Iб0= 30 мкА
Выноска 3: Iб0= 30 мкА 5
4
А
3
Iк0
2
1
0
1
2
3
4
5
Uкэ0
6
7
8
9
Еп
Uкэ
Определим динамические коэффициенты усиления.
Iб0= 30 мкА
Выноска 3: Iб0= 30 мкА Iк ,
мА
6
5
А
4
 
ΔIк
3
Iк0
Iб1= 20 мкА
Выноска 3: Iб1= 20 мкА 2
1
0
1
2
3
4
5
Uкэ0
6
7
8
9
Еп
Uкэ
 ΔUкэ

Uкэ= 4,2 В
Выноска 3: Uкэ= 4,2 В

Iб, мкА
50
40
 ΔIб
30
Iб0
20
10
0
0,15
0,17
0,19
0,21
0,23
0,25
0,27
0,29
Uбэ0
0,31
Uбэ
ΔUбэ
ΔIк= 2,2 мА, ΔUкэ= 1,9 В, ΔIб = 20 мкА, ΔUбэ = 0,014 В

Динамические коэффициенты усиления по току КI и напряжению
КU определяются соотношениями:

Выводы:
Данная работа активизировала самостоятельную работу, развила умение выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых транзисторов, дала разностороннее представление о конкретных электронных элементах.

Библиографический список.
1)                 “Электронные приборы: учебник для вузов” Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. ; Энергоатомиздат, 1989 г.
2)                 Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1980г.
3)                 Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1969г.
4)                 Справочник “ Полупроводниковые приборы: транзисторы”; М.: Энергоатомиздат, 1985г.
5)                 Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам; М.: Энергия, 1976г.
6)                 Справочник “ Транзисторы для аппаратуры широкого применения ”; М.: Радио и связь, 1981г.

1. Реферат Временный совет Российской республики
2. Реферат на тему Иудаизм как религия
3. Реферат на тему Bismarck VS Cavour Essay Research Paper Germany
4. Реферат на тему Photosyntesis Essay Research Paper PhotosyntesisWhen you and
5. Реферат на тему Frank Essay Research Paper Epimetheus UnboundIn The
6. Диплом на тему Учет и анализ готовой продукции на примере ЗАО Рабочий
7. Реферат на тему Miscellaneous Microgeography Essay Research Paper INTRODUCTIONHuman
8. Реферат Внешняя реклама магазинов
9. Реферат на тему Cell Transformation Essay Research Paper H1
10. Реферат Організація і структура наукових досліджень