Установить трафарет, предварительно проверив его состояние (чистоту и качество поверхности).

Установить ракели, проверив их состояние. Механические повреждения поверхностей не допускаются.

Подать плату в зону нанесения пасты. Совместить ее с трафаретом. Проверить точность расположения платы относительно трафарета, при необходимости провести корректировку.

Нанести паяльную пасту ракелем и рисунком трафарета. Пасты должно быть достаточное количество. Шов из пасты должен выходить за пределы рисунка примерно на 20 мм.

Запустить плату на линию и нанести пасту.

Промежуточную очистку трафарета производить через 10-15 циклов. Для очистки использовать специальную бумагу, не оставляющую пыли и ворсинок, с использованием промывочной жидкости (спирт "Прозой"). Дополнительно провести очистку трафарета сжатым воздухом

А

060

Вжигание пасты ПР – 20К.

Б

Установка HOTFLOW 7;

О

1. Включить и подготовить установку HOTFLOW 7 к работе согласно техническому описанию.

2. На управляющем компьютере выбрать и запустить программу оплавления пасты для данного собираемого блока. Установить температурный режим в диапазоне 600 – 610 ⁰С, временной режим вжигания в диапазоне 20 – 30 мин.

3. Настроить транспортную линию установки установить поддержку в соответствии с размером и конструкцией платы.

4. Пропустить плату через установку. Проверить качество оплавления.

Для всех последующих плат выполнить пункт 4.

А

065

Нанесение пасты ПП – 4 с проверкой совмещения под микроскопом.

Б

Автомат нанесения пасты DEK 260; Лупа RLL122/122Т; Линза с 3^х увеличением; Трафарет 09.

О

1. Включить автомат и настроить его согласно техническому описанию.

2. Установить трафарет, предварительно проверив его состояние (чистоту и качество поверхности).

3. Установить ракели, проверив их состояние. Механические повреждения поверхностей не допускаются.

4. Подать плату в зону нанесения пасты. Совместить ее с трафаретом. Проверить точность расположения платы относительно трафарета, при необходимости провести корректировку.

5. Нанести паяльную пасту ракелем и рисунком трафарета. Пасты должно быть достаточное количество. Шов из пасты должен выходить за пределы рисунка примерно на 20 мм.

6. Запустить плату на линию и нанести пасту.

Промежуточную очистку трафарета производить через 10-15 циклов. Для очистки использовать специальную бумагу, не оставляющую пыли и ворсинок, с использованием промывочной жидкости (спирт "Прозой"). Дополнительно провести очистку трафарета сжатым воздухом

А

070

Вжигание пасты ПП – 4

Б

Установка HOTFLOW 7;

О

1. Включить и подготовить установку HOTFLOW 7 к работе согласно техническому описанию.

2. На управляющем компьютере выбрать и запустить программу оплавления пасты для данного собираемого блока. Установить температурный режим в диапазоне 700 – 720 ⁰С, временной режим вжигания в диапазоне 20 – 30 мин.

3. Настроить транспортную линию установки установить поддержку в соответствии с размером и конструкцией платы.

4. Пропустить плату через установку. Проверить качество оплавления.

Для всех последующих плат выполнить пункт 4.

А

075

Подгонка плёночных резисторов.

Б

Лазерная установка «Темп»;

О

Производить подгонку номиналов всех резисторов начиная с R1, R2…R29 лазерным лучом согласно заданному номиналу и допуску резистора путем удаления части поверхности резистора.

А

080

Измерение плёночных резисторов

Б

Установка для тестирования микросхем фирмы Microcraft EMX – 5141; Магазин LP-Magazin Miko-Rack NKAJ 0525; Линза 8066 3^х увеличение; Пинцет прецизионный антистатический 3CSA; Браслет антистатический с гарнитурой заземления;

О

1. Проверить резисторы осмотром с помощью линзы на отсутствие трещин, отслоений

2. Установить ГИС на стенд установки

3. Замерить с применением щупов омического сопротивления, сопротивление должно совпадать с заявленным номиналом и иметь заявленный допуск

Снять ГИС со стенда уложить в тару.

А

085

Подгонка плёночных конденсаторов.

Б

Установка для абразивной обработки;

О

Производить подгонку конденсаторов начиная с C1, C2, C3, C4 воздушно – абразивной обработкой согласно заданного номинала ёмкости и допуска на номинал;

А

090

Измерение плёночных конденсаторов.

Б

Установка для тестирования микросхем фирмы Microcraft EMX – 5141; Магазин LP-Magazin Miko-Rack NKAJ 0525; Линза 8066 3^х увеличение; Пинцет прецизионный антистатический 3CSA; Браслет антистатический с гарнитурой заземления;

О

1. Проверить конденсатор осмотром с помощью линзы на отсутствие трещин, отслоений

2. Установить ГИС на стенд установки

3. Замерить с применением щупов ёмкости, сопротивление должно совпадать с заявленным номиналом и иметь заявленный допуск

Снять ГИС со стенда уложить в тару.

А

095

Пайка в электронагревательном устройстве в воздушной среде.

Б

Установка HOTFLOW 7, Автомат SIPLACE 80 F4;

О

1. Производить пайку навесных компонентов с помощью паяльной станции на автоматической линии пайки.

Пасту наносить трафаретной печатью через трафарет. Навесные элементы устанавливать автоматически путём захвата их из бункера и установки на место. Температура плавления 200 – 220 0С. Не допускается смещение ЭРЭ, неправильная ориентация ЭРЭ, прокрасы пасты.
А	100	Промывка плат в органических растворителях и в УЗ поле.
Б		Установка вибропромывки НО-2919; Магазин LP-Magazin Miko-Rack NKAJ 0525;
О		Промывку производить в 3 – х ваннах с предварительной замочкой в течение 3 – х минут с последующей обработкой в УЗ поле в течение 2 – 3 минут в каждой из 3 – х ванн. Производить сушка плат вытяжкой. Высушенные платы уложить в магазин. Необходимо строгое выполнение инструкций по безопасности. Недопустимо соприкосновение ТХЭ с нагретыми металлическими предметами во избежание образования удушающих газов (фосген, дифосген).
А	105	Промывка плат в горячей деионизированной воде.
Б		Установка вибропромывки НО-2919; Магазин LP-Magazin Miko-Rack NKAJ 0525;
О		Дополнительная промывка от остатков флюсов и хлора (от ТХЭ) при температуре 85 0С при расходе воды 1,2 л/мин с последующей сушкой при температуре 80 – 120 0С.
А	110	Стабилизация параметров термотренировкой.
Б		Магазин LP-Magazin Miko-Rack NKAJ 0525; Шкаф сушильный КП- 4506; Термостат ТС-80М;
Т		Халат х/б ГОСТ 621-73; Держатель плат; Перчатки трикотажные №10 ГОСТ 108-74;
О		Подвергнуть плату термотренировке по следующему режиму: При температуре (+ 85 ± 3) °С время выдержки 24 ч.
А	115	Термоциклирование.
Б		Камера КТ04, камераКТХБ;
О		Подвергнуть ГИС термоциклированию (10 циклов) по следующему режиму: При температуре (- 65 ± 3) °С время выдержки 2 ч. При температуре (+125 ± 3) °С время выдержки 2 ч. Время переноса ГИС из камеры в камеру не более 3 минут.
А	120	Электро-термотренировка.
Б		Испытательный комплекс «Вахта»;
О		Установить ГИС в комплексе Подать макс. питающие напряжение и входной сигнал. Выдерживать ГИС при температуре 85 0С в течение 7 суток. По истечении 7 суток изъять ГИС из комплекса Проверить схемы по всем приёмо – сдаточным параметрам, предусмотренным ТУ.
А	125	Разбраковка по электрическим параметрам.
Б		Установка для тестирования ГИС фирмы Microcraft EMX – 5141;
О		Установить ГИС на стенд. Проконтролировать электрические параметры, заявленные в ТУ(Iпотр). Клеймить штамп регулировщика в месте согласно чертежу. Снять ГИС со стенда уложить в тару.
А	130	Разбраковка по внешнему виду.
Б		Линза 8066 3х увеличение; Лупа RLL 122/122Т;
Т		Браслет антистатический с гарнитурой заземления; Матрица, ракель; Желатин, штемпель; Кисть КХЖК № 2 ТУ 17-1507-89; Пинцет прецизионный антистатический 3CSA;
О		Проверить до 5% партии ГИС по внешнему виду на отсутствие трещин, сколов, непроваров. Клеймить штамп регулировщика в месте согласно чертежу.
А	135	ОТК контроль 10%
Б		Линза 8066 3х увеличение; Лупа RLL 122/122Т;
Т		Браслет антистатический с гарнитурой заземления; Пластина заземления Матрица, ракель; штемпель; Кисть КХЖК № 2 ТУ 17-1507-89; Пинцет прецизионный антистатический 3CSA;
О		Проверить до 10% ГИС внешним осмотром на соответствие чертежу. Клеймить штамп ОТК в месте согласно чертежу.

Расчетная часть

R₁ , R₁₁=2,2кОм ± 5%

R₂ , R₁₃ =0,051кОм ± 5%

R₃ , R₆ =20кОм ± 5%

R₄ =0,022кОм ± 1%

R₅ =5,1кОм ± 5%

R₇ =6,8кОм± 5%

R₈ , R₁₀ =10кОм ± 5%

R₉ =100кОм ± 5%

R₁₂ =0,82кОм ± 5%

Расчет резисторов

Расчет толстопленочных резисторов.

Разбиваем резисторы на две группы в соответствии с их номиналами:

• Первая группа: (R₁ ,R₅ ,R₇ ,R₁₁).

• Вторая группа: (R₂ ,R₄ ,R₁₂ ,R₁₃ ).

• Третья группа: (R₃ ,R₆ ,R₈ ,R₉ ,R₁₀ ).

Разбивку производят на основании номиналов сопротивлений и оптимального удельного сопротивления резистивных паст.



где n – количество резисторов.

Для каждой группы определяем оптимальное значение удельного сопротивления резистивной пасты по формуле:

Для первой группы:



По рассчитанному значению оптимального удельного сопротивления выбираем пасту с удельным сопротивлением, ближайшим к оптимальному:

• для первой группы выбираем пасту ПР – 3К с удельным сопротивлением 3000 Ом;

Оптимальное число паст определяют из условия, чтобы площадь, занимаемая всеми резисторами на плате, была минимальной. Если окажется, что при увеличении числа паст выигрыш в площади незначителен или размеры платы достаточны, то целесообразно остановиться на меньшем числе паст. При этом погрешность изготовления резисторов будет тем меньше, чем меньше отличается форма резистора от квадрата.

Определим коэффициенты формы резисторов по формуле:




R₁ ,R₅ ,R₇ ,R₁₁

1)для резистора R₁ ,R11 : Кф1=2200/3000=0,73 (резистор прямоугольной формы (0.1<=Кф1<=1)

2)для резистора R5 : Кф2 =5100/3000=1,7 (резистор прямоугольной формы (1<Кф2<10)

3) для резистора R7 Кф3 =6800/3000=2,27 (резистор прямоугольной

формы (1<Кф3<10)

Осуществим расчёты:

Расчет резистора R1, R11

Резистивная паста:

ПР-3К(r_S= 3000 Ом/; P₀= 50 мВт/мм²)

Принимаем для всех резисторов мощность рассеяния P=0,125 Вт.

Длина резистора прямоугольной формы должен быть не меньше одной из двух величин:

где lтехн – минимальная длина резистора, обусловленная возможностями толстопленочной технологии; lтехн = 0,8 мм

Длина резистора определяется из условия выделения заданной мощности:




где Кр – коэффициент запаса мощности, учитывающий подгонку резистора:

Отсюда следует, что Кр = 1.1.




Согласно сказанному выше выбираем длину резистора R1 равной lрасч = 1.4 мм.




Расчетная ширина резистора определяется по формуле:

Длина резистора с учетом перекрытия с контактными площадками:

где е = 0,2мм – минимальный размер перекрытия,




Площадь резистора определяется по формуле:

Размеры резистора R₁₁ аналогичны размерам резистора R₁

Расчет резистора R5

Резистивная паста:

ПР-3К(r_S= 3000 Ом/; P₀= 50 мВт/мм²)

Принимаем для всех резисторов мощность рассеяния P=0,125 Вт.

Ширина резистора прямоугольной формы должна быть не меньше наибольшего значения одной из двух величин:

где bтехн – минимальная ширина резистора, обусловленная возможностями толстопленочной технологии; bтехн = 0,8




Ширина резистора из условия выделения заданной мощности:



где Кр – коэффициент запаса мощности, учитывающий подгонку резистора:

Отсюда следует, что Кр =1+0.1=1.1



Согласно сказанному выше выбираем ширину резистора R5 равной bрасч = 1,3 мм.



Расчетная длина резистора определяется по формуле:

Для резистора R₅ lиспр =2мм

Длина резистора с учетом перекрытия с контактными площадками:

где е = 0,2мм – минимальный размер перекрытия,



Площадь резистора определяется по формуле:



Расчет резистора R7

Резистивная паста:

ПР-3К(r_S= 3000 Ом/; P₀= 50 мВт/мм²)

Принимаем для всех резисторов мощность рассеяния P=0,125 Вт.

Ширина резистора прямоугольной формы должна быть не меньше наибольшего значения одной из двух величин:

где bтехн – минимальная ширина резистора, обусловленная возможностями толстопленочной технологии; bтехн = 0,8



Ширина резистора из условия выделения заданной мощности:



где Кр – коэффициент запаса мощности, учитывающий подгонку резистора:

Отсюда следует, что Кр =1+0.1=1.1



Согласно сказанному выше выбираем ширину резистора R7 равной bрасч = 1,2 мм.



Расчетная длина резистора определяется по формуле:

Для резистора R₇ lиспр =2,4мм

Длина резистора с учетом перекрытия с контактными площадками:

где е = 0,2мм – минимальный размер перекрытия,



Площадь резистора определяется по формуле:



Для второй группы:



По рассчитанному значению оптимального удельного сопротивления выбираем пасту с удельным сопротивлением, ближайшим к оптимальному:

• для второй группы выбираем пасту ПР – 20К с удельным сопротивлением 20000 Ом;

Определим коэффициенты формы резисторов по формуле:



1)для резистора R₈ , R₁₀: Кф3 = 10000/20000=0.5(резистор прямоугольной формы (0.1<=Кф3<=1)

2)для резистора R₃ , R₆: Кф4 = 20000/20000=1(резистор прямоугольной формы (0.1<=Кф3<=1)

3)для резистора R9 : Кф5 = 100000/20000=5(резистор прямоугольной формы (1<Кф3<10)

Осуществим расчёты:

Расчет резистора R8 ,R10

Резистивная паста:

ПР – 20К (r_S= 20000 Ом/; P₀= 50 мВт/мм²)

Принимаем для всех резисторов мощность рассеяния P=0,125 Вт.

Длина резистора прямоугольной формы должен быть не меньше одной из двух величин:

где lтехн – минимальная длина резистора, обусловленная возможностями толстопленочной технологии; lтехн = 0,8 мм



Длина резистора определяется из условия выделения заданной мощности:



где Кр – коэффициент запаса мощности, учитывающий подгонку резистора:

Отсюда следует, что Кр = 1.1.



Согласно сказанному выше выбираем длину резистора R8 равной lрасч = 1.2 мм.



Расчетная ширина резистора определяется по формуле:

Длина резистора с учетом перекрытия с контактными площадками:

где е = 0,2мм – минимальный размер перекрытия,



Площадь резистора определяется по формуле:



Размеры резистора R₁₀ аналогичны размерам резистора R₈

Расчет резистора R3, R6,

Резистивная паста:

ПР – 20К (r_S= 20000 Ом/; P₀= 50 мВт/мм² )

Принимаем для всех резисторов мощность рассеяния P=0,125 Вт.

Длина резистора прямоугольной формы должен быть не меньше одной из двух величин:

где lтехн – минимальная длина резистора, обусловленная возможностями толстопленочной технологии; lтехн = 0,8 мм



Длина резистора определяется из условия выделения заданной мощности:



где Кр – коэффициент запаса мощности, учитывающий подгонку резистора:

Отсюда следует, что Кр = 1.1.



Согласно сказанному выше выбираем длину резистора R3 равной lрасч = 1.7 мм.



Расчетная ширина резистора определяется по формуле:



Длина резистора с учетом перекрытия с контактными площадками:

где е = 0,2мм – минимальный размер перекрытия,

Площадь резистора определяется по формуле:



Размеры резистора R₆ аналогичны размерам резистора R₃

Расчет резистора R9,

Резистивная паста:

ПР-20К(r_S= 20000 Ом/; P₀= 50 мВт/мм²)

Принимаем для всех резисторов мощность рассеяния P=0,125 Вт.

Ширина резистора прямоугольной формы должна быть не меньше наибольшего значения одной из двух величин:

где bтехн – минимальная ширина резистора, обусловленная возможностями толстопленочной технологии; bтехн = 0,8



Ширина резистора из условия выделения заданной мощности:



где Кр – коэффициент запаса мощности, учитывающий подгонку резистора:

Отсюда следует, что Кр =1+0.1=1.1



Согласно сказанному выше выбираем ширину резистора R9 равной bрасч = 0,8 мм.



Расчетная длина резистора определяется по формуле:

Для резистора R₉ lиспр =3,7мм

Длина резистора с учетом перекрытия с контактными площадками:

где е = 0,2мм – минимальный размер перекрытия,



Площадь резистора определяется по формуле:



Для третьей группы:



По рассчитанному значению оптимального удельного сопротивления выбираем пасту с удельным сопротивлением, ближайшим к оптимальному:

• для второй группы выбираем пасту ПР – 100 с удельным сопротивлением 100 Ом;

Определим коэффициенты формы резисторов по формуле:



1)для резистора R2 ,R13 : Кф7 = 51/100=0.51(резистор прямоугольной формы (0.1<=Кф3<=1)

2)для резистора R4 : Кф8 = 22/100=0.22(резистор прямоугольной формы (0.1<=Кф3<=1)

3)для резистора R12 : Кф9 = 820/100=8,2(резистор прямоугольной формы (1<Кф3<10)

Осуществим расчёты:

Расчет резистора R2 ,R13

Резистивная паста:

ПР – 100 (r_S= 100 Ом/; P₀= 50 мВт/мм²)

Принимаем для всех резисторов мощность рассеяния P=0,125 Вт.

Длина резистора прямоугольной формы должен быть не меньше одной из двух величин:

где lтехн – минимальная длина резистора, обусловленная возможностями толстопленочной технологии; lтехн = 0,8 мм



Длина резистора определяется из условия выделения заданной мощности:



где Кр – коэффициент запаса мощности, учитывающий подгонку резистора:



Отсюда следует, что Кр = 1.1.

Согласно сказанному выше выбираем длину резистора R2 равной lрасч = 1.2 мм.



Расчетная ширина резистора определяется по формуле:



Длина резистора с учетом перекрытия с контактными площадками:

где е = 0,2мм – минимальный размер перекрытия,



Площадь резистора определяется по формуле:

Размеры резистора R₁₃ аналогичны размерам резистора R₂

Расчет резистора R4

Резистивная паста:

ПР – 100 (r_S= 100 Ом/; P₀= 50 мВт/мм²)

Принимаем для всех резисторов мощность рассеяния P=0,125 Вт.

Длина резистора прямоугольной формы должен быть не меньше одной из двух величин:

где lтехн – минимальная длина резистора, обусловленная возможностями толстопленочной технологии; lтехн = 0,8 мм



Длина резистора определяется из условия выделения заданной мощности:



где Кр – коэффициент запаса мощности, учитывающий подгонку резистора:

Отсюда следует, что Кр = 1.02.



Согласно сказанному выше выбираем длину резистора R4 равной lрасч = 0,7 мм.

Т.к толстопленочная технология не может позволить изготовление резистора такой толщины, то резистор R₄ будет исполнен в виде навесного элемента.

Расчет резистора R12,

Резистивная паста:

ПР – 100 (r_S= 100 Ом/; P₀= 50 мВт/мм²)

Принимаем для всех резисторов мощность рассеяния P=0,125 Вт.

Ширина резистора прямоугольной формы должна быть не меньше наибольшего значения одной из двух величин:

где bтехн – минимальная ширина резистора, обусловленная возможностями толстопленочной технологии; bтехн = 0,8



Ширина резистора из условия выделения заданной мощности:



где Кр – коэффициент запаса мощности, учитывающий подгонку резистора:

Отсюда следует, что Кр =1+0.1=1.1

Т.к толстопленочная технология не может позволить изготовление резистора такой толщины, то резистор R₁₂ будет исполнен в виде навесного элемента.

ТАБЛИЦА:

резистор	Номинал КОм	L мм	L полн	B мм	S мм2
R1,R11	2,2	1,4	1,8	2	3,6
R2,R13	0,051	1,2	1,6	2,4	3,84
R3,R6	20	1,7	2,1	1,7	3,57
R5	5,1	2	2,4	1,3	3,12
R7	6,8	2,4	2,8	1,2	3,36
R8,R10	10	1,2	1,6	2,4	3,84
R9	100	3,7	4,1	0,8	3,28

Вывод: в данных расчетах были приведены расчеты для трех групп резисторов, они должны наноситься по макс. габаритным параметрам для последующей подгонки. Если номиналы резисторов отличаются в одну сторону, то следует сначала провести отжег ГИС.

Расчет конденсаторов

Рабочее напряжение 12В,относительная погрешность изготовления конденсаторов 10%. Расчет конденсаторов на точность не проводят. Если точность изготовления конденсатора задана выше 15%, необходимо предусмотреть участок подгонки на верхней обкладке.

Выбираем диэлектрическую пасту ПД-1 для C2

Удельная ёмкость :С₀=160пФ/см²

Выбираем диэлектрическую пасту ПК1000-30 для C_6,C₁₅

Удельная ёмкость :С₀=3700пФ/см²

Расчет С2

1)Определяем площадь верхней обкладки конденсатора.



2)Рассчитываем геометрические размеры верхней обкладки конденсатора. Для обкладок квадратной формы.



3)Вычисляем геометрические размеры нижней обкладки конденсатора.

,

где р=0.3 — перекрытие между нижней и верхней обкладками (по таблице 1.5)

4)Определяем геометрические размеры диэлектрика.



где f=0.2 — перекрытие между нижней обкладкой и диэлектриком (по таблице 1.5).

5)Вычисляем площадь, занимаемую конденсатором на плате.



Расчет С₁₅

1)Определяем площадь верхней обкладки конденсатора.



2)Рассчитываем геометрические размеры верхней обкладки конденсатора. Для обкладок квадратной формы.



3)Вычисляем геометрические размеры нижней обкладки конденсатора.

,

где р=0.3 — перекрытие между нижней и верхней обкладками (по таблице 1.5)

4)Определяем геометрические размеры диэлектрика.



где f=0.2 — перекрытие между нижней обкладкой и диэлектриком (по таблице 1.5).

5)Вычисляем площадь, занимаемую конденсатором на плате.



Расчет С6

1)Определяем площадь верхней обкладки конденсатора.



2)Рассчитываем геометрические размеры верхней обкладки конденсатора. Для обкладок квадратной формы.



3)Вычисляем геометрические размеры нижней обкладки конденсатора.

,

где р=0.3 — перекрытие между нижней и верхней обкладками (по таблице 1.5)

4)Определяем геометрические размеры диэлектрика.



где f=0.2 — перекрытие между нижней обкладкой и диэлектриком (по таблице 1.5).

5)Вычисляем площадь, занимаемую конденсатором на плате.



Вывод: в данных расчетах были приведены расчеты для двух групп конденсаторов, они должны наноситься по макс. габаритным параметрам для последующей подгонки.

Выбор корпуса

Корпус предназначен для защиты микросхемы от механических и других воздействий дестабилизирующих факторов (температуры , влажности , солнечной радиации, пыли, агрессивных химических и биологических сред и т.д.)

Конструкция корпуса должна удовлетворять следующим требованиям: надежно защищать элементы и соединения микросхемы от воздействий окружающей среды и, кроме того, обеспечивать чистоту и стабильность характеристик материалов, находящихся в непосредственном соприкосновении с кристаллом полупроводниковой микросхемы или платой гибридной микросхемы, обеспечивать удобство и надёжность монтажа и сборки микросхемы в корпус; отводить от неё тепло; обеспечивать электрическую изоляцию между токопроводящими элементами микросхемы и корпусом; обладать коррозийной и радиационной стойкостью; обеспечивать надежное крепление, удобство монтажа и сборки корпусов в составе конструкции ячеек и блоков микроэлектронной аппаратуры, быть простой и дешёвой в изготовлении, обладать высокой надёжностью.

Так как наша микросхема будет использоваться в военной промышленности, то целесообразней выбрать корпус. Этот тип корпуса способен обеспечить работу микросхемы в широком диапазоне температур, а так же способен защитить от различного рода физических и химических воздействий. Корпус будет заполнен инертным газом, для предотвращения коррозии. Корпус будет иметь прямоугольную форму, выводы будут располагаться по двум сторонам корпуса.

Заключение

В ходе выполнения курсовой работы были освещены вопросы конструирования и производства толстоплёночных гибридных интегральных схем (ГИС):

1. Порядок расчёта толстоплёночных пассивных компонентов, в частности: толстоплёночные резисторы и толстоплёночные конденсаторы.

2. Были изучены материалы, с помощью которых изготавливаются толстоплёночные ГИС, в частности пасты (фритты) для получения: материалы для плат, проводящих слоёв, резистивных элементов, плёночных конденсаторов.

3. Технологический процесс изготовления толстоплёночных ГИС, в частности: нанесение паст их последующая термообработка, установка выводов, установка полученной платы с выводами в корпус. Также были изучены наиболее применяемые типы корпусов.

Список литературы

1. Коледов Л.А. - Конструирование и технология микросхем. М.: Высшая школа, 1984.

2. В.Г. Барышев, А.А. Столяров Методические указания. Издательство: КФ МГТУ 1987г.

3. А.В. Нефедов, В.И. Гордеева – Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги. М.: Радио и связь, 1990.

4. Диоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы широкого применения. Справочник. / Б. Ф. Бессарабов, В. Д. Федюк, Д. В. Федюк – Воронеж: ИПФ “Воронеж”, 1994 г.

5. Разработка и оформление конструкторской документации РЭА: Справ. пособие/ Э. Т. Романычева, А. К. Иванова, А.С. Куликова, Т. П. Новикова. – М.: Радио и связь, - 1984. – 256 с., ил.

6. Березин А.С., Мочалкина О.Р. Технология и конструирование интегральных микросхем. - М.: Радио и связь, 1983.

7. Пономарёв М.Ф. Конструкции и расчёт микросхем и микроэлементов ЭВМ. М.: Радио и связь, 1982.

8. Конструирование и расчёт больших гибридных интегральных схем, микросборок и аппаратуры на их основе. Под ред. Б.Ф. Высоцкого, М.: Радио и связь, 1981.

9. http://www.fips.ru/