Реферат Исследование полевых транзисторов

Работа добавлена на сайт bukvasha.net: 2015-10-28

Поможем написать учебную работу

Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.

Предоплата всего

от 25%

Подписываем

договор

Имя

Выберите тип работы:

Принимаю Политику конфиденциальности

Скидка 25% при заказе до 23.11.2024

ГУАП

КАФЕДРА № 25

ОТЧЕТ
ЗАЩИЩЕН С ОЦЕНКОЙ

ПРЕПОДАВАТЕЛЬ


должность, уч. степень, звание		подпись, дата		инициалы, фамилия

ОТЧЕТ О ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ

ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

по курсу: ЭЛЕКТРОНИКА

РАБОТУ ВЫПОЛНИЛ

СТУДЕНТ ГР.	2941				Н.А. Никитин
			подпись, дата		инициалы, фамилия

Санкт-Петербург 2011

Лабораторная работа №3
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

1 Цель работы: изучение принципа действия, измерение характеристик и определение основных параметров полевого транзистора с управляющим р-п переходом и полевого транзистора с изолированным затвором.

2 Описание лабораторной установки

Схема исследования статистических характеристик полевого транзистора с управляющим р-п переходом приведена на
рисунке
1.

Рисунок 1 – Схема исследования статистических характеристик полевого транзистора 2П103Б с управляющим р-п переходом и каналом р-типа

Схема исследования статистических характеристик полевого транзистора с изолированным затвором приведена на
рисунке
2.

Рисунок 2 – Схема исследования статистических характеристик
МДП-транзистора 2П301А с индуцированным (обогащённым) каналом р-типа

Напряжения питания подаются с гнёзд источников стабилизированных напряжений Е-1 и Е-2, имеющих собственную цифровую индикацию и плавные регулировки
R
9 и
R
10 выходных напряжений соответственно. Измерения постоянных напряжений и токов в схемах осуществляется с помощью цифровых тестеров серии
MY
6
x
. При этом тестер, используемый для измерения тока, всегда включается последовательно с исследуемым объектом; а тестер, используемый для измерения напряжения, всегда включается параллельно с исследуемым объектом.

3 Измерительная часть

3.1 Измерение статических характеристик полевого транзистора с управляющим р-п переходом

Таблица 1 – Статические характеристики полевого транзистора с управляющим р-п переходом (КП103Б)

U_си, В	I_c, мА
U_си, В	U_зи=0	U_зи=0,1	U_зи=0,2	U_зи=0,3	U_зи=0,4	U_зи=0,5	U_зи=0,6	U_зи=0,7=U_{зи отс}
0	0	0	0	0	0	0	0	0
-1	0,34	0,33	0,22	0,14	0,08	0,03	0,01	0
-2	0,36	0,35	0,24	0,15	0,09	0,03	0,02	0
-3	0,38	0,36	0,25	0,15	0,1	0,03	0,02	0
-4	0,39	0,37	0,25	0,155	0,11	0,03	0,02	0
-5	0,395	0,38	0,26	0,16	0,11	0,04	0,03	0
-6	0,4	0,385	0,26	0,16	0,12	0,04	0,03	0
-7	0,41	0,39	0,27	0,16	0,125	0,04	0,035	0
-8	0,415	0,4	0,27	0,16	0,13	0,04	0,4	0

Семейство выходных характеристик полевого транзистора с управляющим р-п переходом представлено на рисунке 3.

Семейство управляющих характеристик полевого транзистора с управляющим р-п переходом представлено на рисунке 4.

3.2 Измерение статических характеристик МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типа

Таблица 2 – Статические характеристики МДП-транзистора (КП301А)

U_си, В	I_c, мА
U_си, В	U_зи=U_{зи пор} -2,8 В	U_зи=\|U_{зи пор}\| +0,5 В	U_зи=\|U_{зи пор}\| +1 В	U_зи=\|U_{зи пор}\| +1,5 В	U_зи=\|U_{зи пор}\| +2 В	U_зи=\|U_{зи пор}\| +2,5 В	U_зи=\|U_{зи пор}\| +3 В
0	0	0	0	0	0	0	0
-1	0,2	0,5	0,87	1,44	1,8	2,2	2,4
-2	0,23	0,54	1,03	1,8	2,5	3,1	4,0
-3	0,24	0,6	1,15	1,92	2,8	3,6	4,6
-4	0,25	0,65	1,2	2,01	2,95	3,85	5,0
-5	0,26	0,68	1,2	2,1	3,0	4,0	5,2
-6	0,28	0,7	1,3	2,2	3,2	4,2	5,3
-7	0,3	0,7	1,37	2,3	3,3	4,3	5,5
-8	0,31	0,75	1,4	2,4	3,4	4,4	5,7

Семейство выходных характеристик МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типа представлено на рисунке 5.

Семейство управляющих характеристик МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типа представлено на рисунке 6.

4 Расчётная часть

4.1 Расчёт дифференциальных параметров
полевого транзистора с управляющим р-п переходом

а) Расчёт крутизны стоково-затворной характеристики транзистора

где – относительное приращение тока стока;
- относительное приращение напряжения между затвором и стоком транзистора

б) Расчёт внутреннего сопротивления транзистора переменному току

где – относительное приращение напряжения между стоком и истоком транзистора

Ом

в) Расчёт статического коэффициента усиления транзистора

4.2 Расчёт дифференциальных параметров
МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типа

а) Расчёт крутизны стоково-затворной характеристики транзистора

где – относительное приращение тока стока;
- относительное приращение напряжения между затвором и стоком транзистора

б) Расчёт внутреннего сопротивления транзистора переменному току

где – относительное приращение напряжения между стоком и истоком транзистора

Ом

в) Расчёт статического коэффициента усиления транзистора

Вывод: в данной лабораторной работе был изучен принцип действия двух типов полевых транзисторов – транзисторов с управляющим р-п переходом и транзисторов с индуцированным каналом р-типа, измерены их статические характеристики и определены основные параметры.

Bukvasha