Доклад на тему Фоторезистор
Работа добавлена на сайт bukvasha.net: 2015-06-25Поможем написать учебную работу
Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
Предоплата всего
от 25%
Подписываем
договор
ФОТОРЕЗИСТОР (от фото... и резистор), представляет собой непроволочный полупроводниковый резистор , омическое сопротивление которого определяется степенью освещенности . В основе принципа действия фоторезисторов лежит явление фотопроводимости полупроводников. Фотопроводимость- увеличение электрической проводимости полупроводника под действием света. Причина фотопроводимости — увеличение концентрации носителей заряда — электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. Светочувствительный слой полупроводникового материала в таких сопротивлениях помещен между двумя токопроводящими электродами. Под воздействием светового потока электрическое сопротивление слоя меняется в несколько раз (у некоторых типов фотосопротивлений оно уменьшается на два- три порядка). В зависимости от применяемого слоя полупроводникового материала фотосопротивления подразделяются на сернисто-свинцовые, сернисто-кадмиевые, сернисто-висмутовые и поликристаллические селено- кадмиевые. Фотосопротивления обладают высокой чувствительностью , стабильностью , экономичны и надежны в эксплуатации. В целом ряде случаев они с успехом заменяют вакуумные и газонаполненные фотоэлементы. Основные характеристики фотосопротивлений. Рабочая площадь. 
Темновое сопротивление (сопротивление в полной темноте), варьирует в обычных приборах от 1000 до 100000000 ом. Удельная чувствительность, где: 
Предельное рабочее напряжение ( как правило от 1 до 1000 в ). Среднее относительное изменение сопротивления, % - обычно лежит в пределах 10 - 99,9 %, 
6. Средняя кратность изменения сопротивления ( как правило от 1 до 1000 ). Определяется соотношением : Rt/Rc. Применение: устройства воспроизведения звука, системы слежения, различные устройства автоматики. Схема включения фоторезисторов: 
При определенном освещении сопротивление фотоэлемента уменьшается, а, следовательно, сила тока в цепи возрастает, достигая значения, достаточного для работы какого- либо устройства ( схематично показано в виде некоторого сопротивления нагрузки ). СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ Белов И. Ф., Дрызго Е. В. Справочник по радиодеталям. М., " Советское радио", 1973. 2. Шифман Д. Х. Системы автоматического управления. М., "Энергия", 1965.
Темновое сопротивление (сопротивление в полной темноте), варьирует в обычных приборах от 1000 до 100000000 ом. Удельная чувствительность, где: Предельное рабочее напряжение ( как правило от 1 до 1000 в ). Среднее относительное изменение сопротивления, % - обычно лежит в пределах 10 - 99,9 %, 6. Средняя кратность изменения сопротивления ( как правило от 1 до 1000 ). Определяется соотношением : Rt/Rc. Применение: устройства воспроизведения звука, системы слежения, различные устройства автоматики. Схема включения фоторезисторов: При определенном освещении сопротивление фотоэлемента уменьшается, а, следовательно, сила тока в цепи возрастает, достигая значения, достаточного для работы какого- либо устройства ( схематично показано в виде некоторого сопротивления нагрузки ). СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ Белов И. Ф., Дрызго Е. В. Справочник по радиодеталям. М., " Советское радио", 1973. 2. Шифман Д. Х. Системы автоматического управления. М., "Энергия", 1965.