ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

МЕЖДУНАРОДНЫЙ ИНСТИТУТ КОМПЬЮТЕРНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ

ЛИПЕЦКИЙ ФИЛИАЛ

Факультет Информационных и Энергетических систем

Кафедра Вычислительных систем

Специальность 230101 "Вычислительные машины, комплексы, системы и сети"
Курсовой проект

по дисциплине “Конструкторско-технологическое обеспечение производства ЭВМ”

Тема

Конструирование модуля ЭВМ для обработки телеметрических данных
Выполнил

студент гр. ВМо-05 А.А. Иванов
Липецк 2010

Содержание

Лист

Введение

1. Общая часть

1.1 Постановка задачи проектирования

1.2 Назначение и область применения

2. Специальная часть

2.1 Описание принципиальной схемы

2.2 Характеристики ИМС и РЭ

2.3 Выбор и обоснования конструкции печатной платы

2.4 Выбор и обоснование класса точности и группы жесткости

2.5 Выбор габаритных размеров и конфигурации печатной платы

2.6 Выбор материала основания печатной платы

2.7 Компоновка и размещение ИМС и РЭ на печатной плате

2.8 Выбор и обоснование метода изготовления печатной платы

2.9 Выбор защитного покрытия печатной платы

3. Расчётная часть

3.1 Расчёт потребляемой мощности

3.2 Трассировка соединений и расчёт элементов печатного монтажа

3.3 Расчёт надёжности

Заключение

Приложение А. Опись документов

Приложение B. Перечень элементов

Литература




Введение
Появление печатных плат (ПП) в их современном виде совпадает с началом использования полупроводниковых приборов в качестве элементной базы электроники. Переход на печатный монтаж даже на уровне одно- и двухсторонние плат стал в свое время важнейшим этапом в развитии конструирования и технологии электронной аппаратуры. Разработка очередных поколений элементной базы (интегральная, затем функциональная микроэлектроника), ужесточение требований к электронным устройствам, потребовали развития техники печатного монтажа и привели к созданию многослойных печатных плат (МПП), появлению гибких, рельефных печатных плат. Многообразие сфер применения электроники обусловило применение различных типов печатных плат:

- односторонние печатные платы;

- двухсторонние печатные платы ;

- многослойные печатные платы ;

- гибкие печатные платы ;


- рельефные печатные платы (РПП);

- высокоплотная односторонняя печатная плата.

В данном курсовом проекте разрабатываем двустороннюю печатную плату.

Двухсторонние платы составляют в настоящее время значительную долю объема выпуска плат, например, в Великобритании до 47 %.

Опираясь на статистику последних трех лет, можно оценить долю двухсторонних плат в российском производстве в 65-75%. Столь значительное внимание разработчиков к этому виду плат объясняется своеобразным компромиссом между их относительно малой стоимостью и достаточно высокими возможностями. Технологический процесс изготовления двухсторонних плат, также как односторонних, является частью более общего процесса изготовления многослойных ПП. Однако для двухсторонних плат не требуется применять прессования слоев, значительно проще выполняется очистка отверстий после сверления. Вместе с тем, для большинства двухсторонних плат за рубежом проектные нормы "проводник / зазор" составляют 0,25 / 0,25 мм (40% от объема выпуска), 0,2 / 0,2 мм (18%) и 0,15 / 0,15 мм (18%). Это позволяет использовать такие платы для изготовления широкого круга современных изделий, они вполне пригодны как для монтажа в отверстия, так и для поверхностного монтажа. Нередко на проводники двухсторонних плат наносится золотое покрытие, а для металлизации отверстий используется серебро.

Типовые параметры двухсторонних плат:

·                     Максимальные размеры заготовки - 300x250...500х500 мм

·                     Минимальный диаметр отверстия - 0.4...0,6 мм

·                     Минимальная ширина проводника - 0,15 мм

·                     Минимальный зазор - 0,15 мм

·                     Толщина фольги - 18..36 мкм

·                     Толщина платы - 0,4 - 2,0 мм

Опираясь на собственный опыт изготовления прототипов отечественных двухсторонних плат, можно констатировать, что запросы отечественных разработчиков удовлетворяются пока диапазоном проектных норм 0,2 / 0,2 - 0,3 / 0,3 мм, норма 0,15 / 0,15 мм встречается не более, чем в 10% случаев. Отметим, что отечественные разработчики, точно также как их зарубежные коллеги, закладывают в технические задания на изготовление двухсторонних плат нанесение паяльной маски, маркировку, весьма часто - фрезерование плат по сложному контуру. Как правило, сборка таких плат предусматривает поверхностный монтаж компонентов




1 Общая часть
1.1 Постановка задачи проектирования
Целью курсового проекта является конструирование модуля первого уровня ЭВМ. При выполнении курсового проекта предусматривается выполнение следующих работ:

-Анализ назначения, область применения и условия эксплуатации ЭВМ.

- Описание принципиальной схемы и характеристики ИМС и РЭ, т.е. рассмотреть и проанализировать вариант проекта, а также произвести выбор аппаратных средств, максимально удовлетворяющих требованиям поставленной задачи;

- Выбор и обоснование типа конструкции печатной платы. Определяются требования к конструкции печатной платы, материалу основания. необходимость дополнительной защиты. Анализируется функциональная и конструкторская сложность узла, устройства и в соответствии с ГОСТ производится выбор типа конструкции печатной платы. -Выбор и обоснование класса точности. Для осуществления трассировки выбирается необходимый класс точности печатной платы на основе анализа конструкторской сложности функционального узла, характеристик элементной базы, условий эксплуатации, надежности, технологии изготовления.

- Выбор материала основания печатной платы. На основании анализа механических воздействий, класса точности печатной платы, реализуемых функций и условий эксплуатации, по ТУ на материалы конкретного вида и ГОСТ, производится выбор материала для основания печатной платы.

- Компоновка и размещение ИМС и РЭ на плате. На основе установочных размеров интегральных микросхем, электрорадиоэлементов компонентов, с учетом рекомендаций и ограничений, производится их компоновка и размещение. Рассматриваются различные варианты по размещению элементов на печатной плате.

- Выбор габаритных размеров и конфигурации печатной платы. С учетом технологических зон, зоны установки соединителя, требований модуля второго уровня, по ГОСТ производится выбор конфигурации и габаритных размеров печатной платы.

- Выбор и обоснование метода изготовления печатной платы. Выбирается наиболее современный, технологичный и экономичный метод изготовления печатной платы.

- Выбор защиты покрытия печатной платы. Выбирается наиболее эффективная, для заданных условий эксплуатации, защита печатной платы.

- Трассировка соединений и расчет элементов печатного монтажа. Производится расчет элементов печатного монтажа.

- Расчет надежности. Производится расчет среднего времени наработки на отказ и вероятность безотказной работы устройства за определенны отрезок времени.

- Расчет электрических параметров схемы. Рассчитывается электрическая мощность потребляемая устройством
1.2 Назначение и область применения устройства

16-разрядный микропроцессор явился основой для построения многих микроЭВМ и средств цифровой информатики и очень широко применялся в своё время. Надо сказать, что, несмотря на малую разрядность, микропроцессоры такого типа достаточно широко применяются (в средствах цифровой информатики в микро- и мини-ЭВМ) и в настоящее время в силу сравнительной простоты устройства и дешевизны. Однако при применении их в качестве основного звена микроЭВМ, в особенности персональных ЭВМ, малая разрядность и другие ограничения требуют в конечном итоге усложнения структурной организации и программного обеспечения.

Устройство, конструируемое в данном курсовом проекте, представляет собой собственно микропроцессорную систему с математическим сопроцессором. Данное устройство относится к наземным, стационарным ЭВМ и предназначена для эксплуатации в отапливаемых помещениях. Условия эксплуатации характеризуется диапазоном температур от +10 .. +35 °С, влажностью до 90 .. 94% при 30⁰С, атмосферным давлением (8,36…10,6) Па (630…800)мм. Рт. Ст., без механических перегрузок во время работы, воздух без присутствия активных веществ. Дестабилизирующим фактором является повышенная влажность


2.Специальная часть

2.1 Описание принципиальной схемы

Генератор тактовых сигналов КР580ГФ24 (DD1) состоит из генератора опорной частоты, счётчика делителя частоты на 9, формирователя фаз С1, С2 и логических схем. Для стабилизации тактовых сигналов опорной частоты к входам ХТАL 1, ХТАL2 генератора подключают кварцевый резонатор, частота которого должна быть в 9 раз больше частоты выходных сигналов С1, С2. для автоматической установки генератора в исходное состояние при подаче напряжения к входу RESIN подключают цепь, состоящую из элементов R (100кОм), VD, C1 (10мкФ). В момент включения источника питания конденсатор С1 разряжен, на входе RESIN сигнал высокого уровня, осуществляется сброс микропроцессора. Через резистор R1 конденсатор заряжается, напряжение на входе RESIN падает. Когда напряжение на входе RESIN достигнет логического нуля, снимается сигнал RESET с выхода микросхемы и микропроцессор производит первое обращение за чтением команды к ячейке памяти по адресу 0000Н. Положительные импульсы, сдвинутые во времени, амплитудой 12В и частотой 0,5-3,0 МГц с входов С1, С2 генератора подаются на одноимённые входы микропроцессора. В начале каждого машинного цикла микропроцессор вырабатывает сигнал синхронизации SYN, который в сочетании с другими сигналами может быть использован для организации различных режимов работы. Этот сигнал подаётся на вход SYN генератора. К адресным выходам А0-А15 микропроцессора подключаются, буферные регистры RG для повышения нагрузочной способности. На вход ОЕ микросхем подаётся логический ноль для разрешения передачи данных (управление третьим состоянием), а на входы STB логическая единица для выбора направления передачи данных (из A в B). Выходы микросхем объединяются в системную шину адреса с повышенной нагрузочной способностью. Системный контроллер КР580ВК28 состоит из двунаправленной буферной схемы данных, регистра состояния и дешифратора управляющих сигналов. Восьмиразрядная параллельная 3-стабильная буферная схема данных принимает информацию с канала данных микропроцессора по выводам D7-D0 и передаёт в регистр состояния информацию состояния, на системный канал данных по выводам DВ7-DВ0 выдаёт в цикле записи по сигналу TR. В цикле чтения по сигналу RC буферная схема принимает данные с системного канала по выводам DB7 и DB0 и передаёт по выводам D7-D0 на канал данных микропроцессору. Регистр состояния по входному сигналу SТВ фиксирует информацию состояния микропроцессора в такте Т1 каждого машинного цикла микропроцессора. Дешифратор управляющих сигналов формирует один из управляющих сигналов в каждом машинном цикле: при чтении ЗУ-RD, при записи в ЗУ-WR, при чтении из УВВ-RDIO, при записи в УВВ-WRIO, при подтверждении запроса прерывания, сигнал INTA. Напряжение высокого уровня на входе HLDA переводит выходы RD, RDIO, INTA в пассивное состояние (напряжение высокого уровня) и блокирует передачу информации через буферную схему данных. ПЗУ как раннее отмечалось, предназначено для хранения и считывания двоичной информации. ПЗУ состоит из следующих узлов: накопителя (НК), дешифраторов строк и столбцов (DCX, DCY), которые определяют к какому элементу памяти накопителя, производится обращение в соответствие с заданным кодом адреса. После этого подаётся сигнал выбора кристалла (поступает в устройство управления), поступающий с системного контроллера, и определяется режим работы. Адресные входы ПЗУ А0-А7 подключаются к системной шине адреса к линиям А0-А7 соответственно. Если на вход CS подаётся логическая единица с выхода RD системного контроллера, то ПЗУ переходит из режима хранения в режим выдачи информации, т.е. данные из ячейки памяти поступают на шину данных. Микросхема имеет внутренний генератор тактовой частоты. Для стабилизации тактовых сигналов к входу CLK подключается Г-образная RC цепочка. Конденсатор C заводится на цифровую землю, а к резистору R подаётся напряжение + 5 в. Конденсатор C имеет ёмкость 30 пФ, а резистор сопротивление то 10 до 250 кОм. Когда вход S переходит из состояния логической единицы в состояние логического ноля, на выходе фиксируется код, который был в момент смены логических состояний, и на индикаторе, несмотря на изменение входной информации, сохраняется соответствующая цифра. Сигнал WR IO с системного контроллера и сигнал Q1 с дешифратора DD7 подаются на входы логического элемента DD12. Если на входы логического элемента поступают сигналы логического нуля, то на выходе элемента устанавливается логическая единица. Выход логического элемента подключается к входу S дешифратора DD8. Для помехоустойчивости системы низкочастотные помехи по цепи питания необходимо блокировать конденсатором суммарной емкостью из расчета 0,1 мкФ на каждую микросхему, включенными между шинами +5В и GND непосредственно в начале шины +5 В. Высокочастотные помехи необходимо блокировать конденсатором ёмкостью 0,015-0,022 мкФ, включенным между каждым выводом +5 В микросхемы и шиной GND в непосредственной близости от микросхемы (не далее 5мм). Основным назначением системы является преобразование 16-разряной информации, принимаемой с разъёма. Она поступает на 8-разрядные регистры, которые подключены к микросхеме КР58ОВВ55А, преобразующей два параллельных кода в один последовательный. Этот код поступает на преобразователь интерфейса RS-485, затем на гальваническую развязку.Блоки питания аппаратуры, предназначенные для питания от сети переменного тока в зависимости от назначения и мощности, могут быть выполнены по различным схемам. Простейший блок питания с трансформаторным входом имеет схему, приведенную в графической части. Исходя из расчётов потребляемой мощности, по справочнику выбирается необходимый трансформатор на входное сетевое напряжение U₁=220В, с несколькими вторичными напряжениями. Выбирается трансформатор с такими вторичными напряжениями, которые попадают в диапазон входных для интегральных стабилизаторов, так чтобы они не вышли из строя и не оказались под заниженным питанием (с учётом падения напряжения на выпрямителе). Ток каждой вторичной обмотки должен быть выше тока, идущего в нагрузку, иначе неизбежна токовая перегрузка трансформатора. Мощность трансформатора должна также быть выше той, которую потребляет микроЭВМ с учётом потерь в выпрямителях и стабилизаторах. Для обеспечения микроЭВМ несколькими напряжениями питания необходимо предусмотреть трансформатор, формирующий необходимое количество вторичных напряжений, т.е. трансформатор должен содержать дополнительные обмотки для их питания, должны быть предусмотрены дополнительные выпрямители и стабилизаторы соответствующих напряжений. Схема формирования питающих напряжений строится с помощью интегральных стабилизаторов напряжения. По справочнику выбираются соответствующие интегральные микросхемы стабилизаторов с учётом требуемых напряжений и токов нагрузки и приведенных в справочнике схем включения. Выпрямитель источника питания микропроцессорной системы строится по мостовой схеме. Выпрямительные диоды выбираются, исходя из прямого тока диодов I_ПР, который должен быть заведомо больше суммарного потребляемого тока всей микропроцессорной системой, и напряжения U_ВХ которое должно быть заведомо больше, подаваемого на интегральные стабилизаторы для требуемого запаса. Приведённая на листе электрическая принципиальная схема источника питания построена с применением трёхвыводных интегральных стабилизаторов. Один интегральный стабилизатор типа КI42ЕН5А (DА2) обеспечивает положительное выходное напряжение 5В при номинальном токе 3А. Стабилизатор 7905 (DA 1) формирует напряжение отрицательной полярности, имеющий значения 5В. Максимальный выходной ток этого канала составляет 1,5А. Стабилизатор типа КР1157ЕН12Г (DA3) обеспечивает положительное выходное напряжение 12В. Компоненты схемы имеют следующие параметры: электролитические конденсаторы С22- С28 — 4700 мкФ; диоды VD2-VD5 Iпр=2А, предохранитель FU1 0,5А. В источнике питания используется трансформатор ТН — 17, U₂=6.3B, U₃=6.ЗВ U₄=6,ЗВ. Мощность трансформатора составляет 30 Вт

2.2 Характеристики ИМС и РЭ

Характеристика интегральных микросхем:

Комплект ИС характеризуется автономностью и функциональной законченностью, унификацией их интерфейса, программируемостью микросхем, их логической и электрической совместимостью. Восьмиразрядная организация, фиксированный набор команд, большой выбор периферийных микросхем позволяет их использовать при создании различных средств вычислительной техники (устройств локальной автоматики, контроллеров измерительных приборов и периферийных устройств, микро ЭВМ для управления технологическими процессами и измерительными системами). ИС совместимы по входам с микросхемами серий ТЛЛ.
Таблица 1 - Размеры корпусов микросхем

Вывод	Назначение	Функциональное назначение
1, 25-27, 29-40	A10, A0-A2, A3-A9, A15, A12-A14, A11	канал адреса
2	GND	общий
3-10	D4-D7, D3-D0	канал данных
11	Uio	напряжение источника питания
12	SR	установка в исходное состояние
13	HLD	захват
14	INT	запрос прерывания
15, 22	C2, C1	тактовый сигнал
16	INTE	разрешения прерывания
17	RC	прием информации
18	TR	выдача информации
19	SYN	сигнал синхронизации
20	Ucc1	напряжение питания +5В±5%
21	HLDA	подтверждение захвата
23	RD	сигнал "готовности"
24	WI	сигнал "ожидания"
28	Ucc2	напряжение питания +12±5%

Номинальное напряжение питания UN1	12В ± 5%
Номинальное напряжение питания UN2	5В ± 5%
Напряжение высокого уровня импульсов тактовых сигналов	9...13 В
Напряжение низкого уровня импульсов тактовых сигналов	-0,3...+0,8 В
Входное напряжение низкого уровня	≤0,8 В
Входное напряжение высокого уровня	≥3,3 В
Выходное напряжение высокого уровня	≥3,7 В
Выходное напряжение низкого уровня	≤0,45 В
Ток потребления от источника питания UN1	≤75 мА
Ток потребления от источника питания UN2	≤85 мА
Ток потребления от источника напряжения смещения подложки	≤1 мА
Ток утечки на входах тактовых импульсов	-10…+10 мкА
Выходной ток в состоянии "выключено" при UBXN = 0,45 В	-100…+100 мкА
Выходной ток в состоянии "выключено" при UBXN = 5,25 В	-10…+10 мкА
Ток утечки на входах	-10…+10 мкА
Входной ток по каналу данных в режиме "прием" при 0≤UBXN≤0,45 В	≤ |-0.1| мА
Входной ток по каналу данных в режиме "прием" при 0,45≤UBXN≤5,25 В	≤ |-2| мА
Период следования тактовых импульсов C1, С2	0,48...2 мкс
Длительность тактовых импульсов С1	≤ 60 нс
Длительность тактовых импульсов С2	≤ 220 нс
Время перехода сигналов С1, С2 из состояния низкого (высокого) уровня в состояние высокого (низкого) уровня	0…50 нс
Время задержки сигнала С2 (низкого уровня) относительно сигнала С1 (низкого уровня)	≥ 0 нс
Время задержки сигнала С1 относительно сигнала С2	≥ 80 нс
Время задержки сигнала С2 (высокого уровня) относительно сигнала С1 (низкого уровня)	≥70 нс
Время задержки распространения сигналов А15...А0 (низкого уровня) относительно сигнала С2 (высокого уровня)	≤200 нс
Время задержки распространения сигналов D7…D0 относительно сигнала С2 (высокого уровня)	≤220 нс
Время задержки распространения сигналов D7…D0 и А15...А0 (высокоимпедансное состояние) относительно сигнала С2 (высокого уровня)	≤120 нс
Время установления сигналов D7…D0 относительно сигнала С2	≤150 нс
Время установления сигналов D7…D0 относительно сигнала С1 во время действия сигнала "прием"	≥30 нс
Время задержки распространения сигналов ACKRQ относительно сигнала С1	≥120 нс
Время задержки распространения сигнала "синхронизация" относительно сигналов С1 и С2	≥120 нс
Время задержки распространения сигнала "прием" относительно сигнала С2	25…140 нс
Время установления сигнала "готовность" относительно сигнала С2	≥120 нс
Время задержки сигнала "прием" относительно сигналов D7...D0, А15...А0	≥ 0 нс
Время задержки распространения сигнала "ожидание"относительно сигнала С1	≥120 нс
Время установления сигнала "запрос прерывания" относительно сигнала С2	≥120 нс
Время сохранения сигнала "запрос захвата", "готовность", "запрос прерывания", относительно сигнала С2	≥ 0 нс
Время задержки распространения сигнала "подтверждение прерывания" относительно сигнала С2	≤ 200 нс
Время задержки распространения сигнала "выдача" относительно сигнала С1	≤140 нс
Время установления сигнала RQ относительно сигнала С2	≤ 140 нс

Вывод	Назначение	Функциональное назначение
1, 2, 5-8, 27, 28	D2, D3, D4-D7, D0, D1	канал данных
3	RxD	приемник микросхемы
4	GND	общий
9	TxC	синхронизация передачи
10	WR	запись информации
11	CS	выбор микросхемы
12	CO/D	управление/данные
13	RD	чтение информации
14	RxRDY	готовность приемника
15	TxRDY	готовность передатчика
16	SYNDET/BD	двунаправленный трехстабильный
17	CTS	готовность внешнего устройства принять данные
18	TxEND	конец передачи
19	TxD	передатчик микросхемы
20	C	синхронизация
21	SR	установка исходного состояния
22	DSR	готовность внешнего устройства передать данные
23	RTS	запрос приемника внешнего устройства на прием данных
24	DTR	запрос передатчика внешнего устройства на передачу данных
25	RxC	синхронизация приема
26	Ucc	напряжение питания +5В±5%

Номинальное напряжение питания	5В ± 5%
Входное напряжение высокого уровня	≥ 2,5 В
Входное напряжение низкого уровня	≤ 0,4 В
Ток потребления	≤ 100 мА
Ток утечки на входах	≤ |-1| мкА
Выходной ток в состоянии "выключено"	≤ |-1| мкА
Период следования тактовых импульсов	200...500 нс
Длительность сигнала RD и WR	≥ 250 нс
Время сохранения сигналов D7…D0 относительно сигнала WR	≤ 50 нс
Время задержки сигналов D7…D0 относительно сигнала RD	≤ 250 нс

Максимальное напряжение питания	5,25 В
Максимальное напряжение на выводах высокого уровня	5,25 В
Максимальное напряжение на выводах низкого уровня	0,8 В
Максимальный выходной ток высокого уровня	|-0,4| мА
Максимальный выходной ток низкого уровня	2,2 мА
Максимальная емкость нагрузки	190 пФ
Температура окружающей среды	-10…+75 0С

Вывод	Назначение	Функциональное назначение
1, 6, 11, 12	X1-X6, X7, X8	входы X
8	Y	выход Y
7	GND	общий
14	Ucc	напряжение питания +5В±5%

Номинальное напряжение питания	5В ± 10%
Выходное напряжение высокого уровня при A,B,C,D	≥ 2,4В
Выходное напряжении низкого уровня по каналам A,B,C,D	≤ 0,45В
Ток потребления	≤ 120 мА
Выходной ток в состоянии "выключено"	≤ 10 мкА
Ток утечки по управляющим входам	≤ |-10| мкА
Выходной ток высокого уровня по каналам В и С	-1…-4 мА
Время установления данных D7…D0 относительно сигнала RD	≤ 250 нс
Длительность сигнала RD	≥ 300 нс
Длительность сигнала WR	≥ 400 нс
Время установления адреса А1, А0 и сигнала СS относительно сигнала WR	0 нс
Время сохранения данных канала ВА, ВВ относительно сигнала WR	≤ 350 нс

Максимальное напряжение питания	5,25 В
Максимальное напряжение на вводах высокого уровня	5,25 В
Максимальное напряжение на выводах низкого уровня	0,8 В
Максимальный выходной ток высокого уровня	|-0,2| мА
Максимальный выходной ток низкого уровня	|-0,2| мА
Максимальная емкость нагрузки	190 пФ
Температура окружающей среды	-10…+70 0С

Вывод	Назначение	Функциональное назначение
1	STB	стробирующий сигнал 0 состояния
2	HLDA	подтверждение захвата
3	TR	выдача информации
4	RS	прием информации
5, 7, 11, 13, 16, 18, 20	DB0-DB7	канал данных
6, 8, 10, 12, 15, 17, 19, 21	D0-D7	канал данных
14	GND	общий
22	BUSEN	управление передачи данных и выдачей сигналов
23	INTA	подтверждение запроса
24	RD	чтение из ЗУ
25	RDIO	чтение из УВВ
26	WR	запись в ЗУ
27	WRIO	запись в УВВ
28	Ucc	напряжение питания +5В±5%

Номинальное напряжение питания	5В ± 10%
Выходное напряжение низкого уровня по выводам 6, 8, 10, 12, 17, 19, 21 при Iвых = 2мА	≤ 0,45 В
Выходное напряжение низкого уровня по остальным выводам при Iвых = 10мА	≤ 0,45 В
Выходное напряжение высокого уровня по выводам 6, 8, 10, 12, 17, 19, 21 при Iвых = -10мкА	≥ 3,6 В
Выходное напряжение высокого уровня по остальным выводам при Iвых = -1 мкА	≥ 2,4 В
Прямое падение напряжения на антизвонном диоде	≤ |-1| В
Ток потребления	≤ 190 мА
Входной ток низкого уровня по выводу 1	≤ 500 мкА
Входной ток низкого уровня по выводам 15, 17, 6, 19, 8	≤ 250 мкА
Входной ток низкого уровня по выводам 12, 21	≤ 750 мкА
Входной ток низкого уровня по остальным входам	≤ 250 мкА
Входной ток высокого уровня по выводам 13, 16, 11, 9, 5, 20, 7	≤ 20 мкА
Входной ток высокого уровня по остальным входам	≤ 100 мкА
Выходной ток в состоянии "выключено" при Uвых = 5,5 В	≤ 100 мкА
Выходной ток в состоянии "выключено" при Uвых = 0,45 В	≤ |-00| мкА
Ток короткого замыкания	-15…-90 мА
Ток подтверждения прерывания	≤ 5 мА
Время задержки распространения управляющего сигнала относительно сигнала строба	20...60 нс
Время задержки распространения управляющего сигнала относительно сигнала подтверждения захвата шин	≤ 25 нс
Время задержки распространения управляющего сигнала относительно сигнала разрешения входа данных	≤ 30 нс
Время задержки распространения сигналов управления относительно сигнала готовности режима записи	5...45 нс
Время задержки распространения сигнала системной шины относительно шины МП	5...40 нс
Время задержки распространения сигнала шины МП относительно сигнала системной шины	≤ 30 нс
Время задержки распространения сигнала системной шины относительно сигнала строба	≤ 30 нс
Время задержки распространения сигнала системной шины относительно сигнала управления системной шины	≤ 30 нс
Время установления сигнала шины МП относительно сигнала строба	≥ 8 нс
Время установления сигнала системной шины относительно сигнала подтверждения захвата шин	≥ 10 нс
Время сохранения сигнала шины МП относительно сигнала строба	≥ 8 нс
Время сохранения сигнала системной шины относительно сигнала подтверждения захвата шин	≥ 20 нс
Длительность импульса строба	≥ 25 нс
Входная емкость	≤ 12 пФ
Выходная емкость, входная/выходная при f =1 МГц	≤ 15 пФ
Время задержки распространения сигнала шины МП относительно сигнала разрешения ввода данных	≤ 45 нс

Максимальное напряжение питания	5,5 В
Напряжение на входах относительно земли	-0,5...+7 В
Максимальный выходной ток	100 мА
Температура окружающей среды	-10…+70 0С

Вывод	Назначение	Функциональное назначение
1	SR	установка в исходное состояние микропроцессора и системы
2	RESIN	установка 0
3	RDYIN	сигнал "готовность"
4	RDY	сигнал "готовность"
5	SYN	сигнал синхронизации
6	C	тактовый сигнал, синхронный с фазой С2
7	STB	стробирующий сигнал состояния
8	GND	общий
9	Ucc2	напряжение питания +12В±5%
10	C2	тактовые сигналы фаза С2
11	C1	тактовые сигналы фаза С1
12	OSC	тактовый сигнал опорной части
13	TANK	вывод для подключения колебательного контура
14, 15	XTAL1, XTAL2	выводы для подключения резонатора
16	Ucc1	напряжение питания +5В±5%

Номинальное напряжение питания UN1	5В ± 10%
Номинальное напряжение питания UN2	12В ± 10%
Выходное напряжение низкого уровня	≤ 0,45 В
Выходное напряжение высокого уровня по выводам 10, 11	≥ 9,4 В
Выходное напряжение высокого уровня по выводам 1, 4	≥ 3,6 В
Выходное напряжение высокого уровня по остальным выводам	≥ 0,25 В
Напряжение гистерезиса по входу 2	≥ 0,25 В
Ток потребления от источника питания UN1	≤ 115 мА
Ток потребления от источника питания UN2	≤ 12 мА
Входной ток низкого уровня	≤ |-0,25| мА
Время задержки распространения тактового сигнала ТТЛ относительно тактового сигнала второй фазы	-5…+15нс
Время перехода тактового сигнала первой или второй фазы при выключении (включении)	≤ 25 нс
Максимальная частота генерации (fОП)	27 МГц
Период следования фаз	9/ fОП мкс
Входная емкость	≤ 8 пФ

Максимальное напряжение питания выходных каскадов МОП	12,6 В
Максимальное напряжение питания выходных каскадов ТТЛ	5,25 В
Минимальное напряжение питания выходных каскадов МОП	11,4 В
Минимальное напряжение питания выходных каскадов ТТЛ	4,75 В
Максимальное напряжение на выводах относительно вывода "корпус" низкого уровня	0,8 В
Максимальное напряжение на выводах относительно вывода "корпус" высокого уровня	5,25 В
Максимальный выходной ток высокого уровня по выводам 6, 7, 12	-1 мА
Максимальный выходной ток высокого уровня по выводам 1, 4, 10, 11	-0,1 мА
Максимальный выходной ток низкого уровня по выводам 6, 12	10 мА
Максимальный выходной ток низкого уровня по выводам 1, 4, 7, 10, 11	2,5 мА
Температура окружающей среды	-10…+70 0С

Вывод	Назначение	Функциональное назначение
1-8	D7-D0	информационная шина
9	OE	размещение передачи (управление 3 состоянием)
10	GND	общий
11	STB	стробирующий сигнал
12-19	Q7-Q0	информационная шина
20	Uсс	напряжение питания +5±5%

Максимальное напряжение питания	5,5 В
Минимальная длительность тактовых импульсов	15 нс
Максимальная длительность фронта и среза выходного импульса	200 нс
Температура окружающей среды	-10…+60 0С

Вывод	Назначение	Функциональное назначение
1-3	D0- D2	вход D0-D2
4	CS2	вход разрешения V2
5	CS3	вход разрешения V3
6	CS1	вход разрешения V1
7	Q7	выход 7
9	Q6	выход 6
10	Q5	выход 5
11	Q4	выход 4
12	Q3	выход 3
13	Q2	выход 2
14	Q1	выход 1
15	Q0	выход 0
8	GND	общий
16	Ucc	напряжение питания

Номинальное напряжение питания	5В ± 5%
Выходное напряжении низкого уровня	≤ 0,48В
Выходное напряжение высокого уровня	≥ 2,9В
Ток потребления	≤ 9,7 мА
Входной ток низкого уровня	≤ |-0,34| мА
Входной ток высокого уровня	≤ 3 мкА
Потребляемая мощность	51 мВт
Время задержки распространения при включении по выводам от 4 до 15	≤ 18 нс
Время задержки распространения при включении по выводам от 1, 2, 3 до 15	≤ 20 нс
Время задержки распространения при включении по выводам от 1, 2, 3 до 7	≤ 27 нс
Время задержки распространения при включении по выводам от 6 до 7, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15	≤ 26 нс
Время задержки распространения при выключении по выводам от 4 до 15	≤ 32 нс
Время задержки распространения при выключении по выводам от 1, 2, 3 до 15	≤ 41 нс
Время задержки распространения при выключении по выводам от 1, 2, 3 до 7	≤ 39 нс
Время задержки распространения при выключении по выводам от 6 до 7, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15	≤ 38 нс
Коэффициент разветвления по выходу	10

СФ-2-35. Его основные параметры:

1.      толщина фольги – 35.5 мКм;

2.      рабочая температура = -60¸105^оС;

3.      относительная влажность – 93 % при t = 40^оС;

4.      r_s = 5×10¹⁰ Ом;

5.      s = 4,5Н;

6.      диэлектрическая проницаемость = 5,5.

Стеклотекстолит данной марки применяют также для печатных плат с повышенными диэлектрическими свойствами.
2.7 Компоновка и размещение ИМС и РЭ на печатной плате
Размещение ЭРЭ и ИМС предшествует трассировке печатных связей и во многом определяет эффективность трассировки.

Основной метод размещения ИМС - плоский многорядный. Задача компоновки заключается в том, что с одной стороны необходимо разместить элементы как можно более плотно, а с другой стороны - обеспечить наилучшие условия для трассировки, электромагнитной и тепловой совместимости, автоматизации сборки, монтажа и контроля.

Микросхемы со штырьковыми выводами устанавливаются с одной стороны печатной платы, а микросхемы с планарными выводами, бескорпусные ИМС и ЭРЭ допустимо устанавливать с двух сторон печатной платы. Крепление микросхем и ЭРЭ осуществляется, в основном, пайкой, причем, не задейственные контакты необходимо запаивать для увеличения жесткости. Микросхемы с планарными выводами можно устанавливать с помощью клея и лака. Их выводы припаивают к контактным площадкам. Корпус микросхемы с планарными выводами приклеивают непосредственно на полупроводник или на контактную прокладку. Прокладка может быть из тонкого текстолита 0,3 мм или металлическая (медь, алюминий, их сплавы) 0,2 - 0,5 мм. Металлическая прокладка служит в качестве теплоотводящей шины. Для ее изоляции от проводников используют специальную пленку.

Центры металлизированных и крепежных отверстий на полупроводнике должны располагаться в узлах координатной сетки. Координатную сетку применяют для определения положения печатного монтажа. Основной шаг координатной сетки 2,5 мм, дополнительный - 1,25 мм и 0,25 мм. Контактные площадки или металлизированные отверстия под первый вывод должны иметь ключ. Для увеличения ремонтопригодности, ИМС второй степени интеграции устанавливают в разъемные соединители. Электрический соединитель крепят и распаивают на печатной плате.
2.8 Выбор и обоснование метода изготовления печатной платы
Позитивный комбинированный способ является основным при изготовлении двусторонних печатных плат. Преимуществом позитивного комбинированного метода по сравнению с негативным является хорошая адгезия проводника, повышенная надежность монтажных и переходных отверстий, высокие электроизоляционные свойства. Последнее объясняется тем, что при длительной обработке в химически агрессивных растворах (растворы химического меднения, электролиты и др.) диэлектрическое основание защищено фольгой. Технологический процесс изготовления печатной платы комбинированным позитивным методом состоит из следующих операций:

1.Резка заготовок

2.Пробивка базовых отверстий

3.Подготовка поверхности заготовок

4.Нанесение сухого пленочного фоторезиста

5.Нанесение защитного лака

6.Сверловка отверстий

7.Химическое меднение

8.Снятие защитного лака

9.Гальваническая затяжка

10.Электролитическое меднение и нанесение защитного покрытия ПОС-61

11.Снятие фоторезиста

12.Травление печатной платы

13.Осветление печатной платы

14.Оплавление печатной платы

15.Механическая обработка

Далее рассмотрим каждую операцию более подробно.
2.9 Выбор защитного покрытия
Для осуществления технического процесса необходимы вспомогательные материалы: внешнее защитное покрытие печатной платы.
Таблица 24 - Основные параметры лаков



Из условий эксплуатации (температура, влажность, механическая прочность) выбираем полиуретановый лак УР-231, обладающий достаточной влагонепроницаемостью, по сравнению с ЭП-730 и ЭП-9114. Покрытия эластичные, глянцевые, механически прочные, твердые, устойчивые к периодическому воздействию минерального масла, нефраса, спирто-нефрасовой смеси, постоянному воздействию влаги, обладают электроизоляционными свойствами.


3.Расчётная часть
3.1 Расчёт потребляемой мощности

Мощность, потребляемая всем устройством, зависит от потребляемой мощности отдельных микросхем и количества микросхем.

Потребляемая мощность каждой микросхемы рассчитывается по формуле:
Р = I_cc× U_cc, Вт,
где I_cc – ток потребления от источника питания для данной микросхемы;

U_cc - напряжение питания.
Общий потребляемый ток от источника питания каждой микросхемы, при напряжении питания +5 В, рассчитывается по формуле:
I_+5В =4*I_{+5В(КР580ИР82)} + I_{+5В(К155ЛА2)} + I_+5В(7411) + I_{+5В(КР580ВВ55А)} + I_{+5В(КР580ВВ51А)} +I_+5В(LM393)+ 2*I_{+5В(TPL2630)} +I_+5В(ADM485) +2*I_{+5В(К555ИД7)}+ I_{+5В(КР580ВК28)} +I_{+5В(КР580ВМ80А)} + I_{+5В(КР580ГФ24)} +I_{+5В(КР568РЕ5)}
где I
_{+5 В} - ток потребления, при напряжении питании +5В

I _+5В =4*160+6+8+120+100+3+2*36+200+2*9,7+190+85+115+16= 1574,4 мA

Считаем мощность: Р =1,5744 ×13 = 20,46 Вт


3.2 Трассировка соединений и расчёт элементов печатного монтажа

1.      Исходя из технологических возможностей, выбираем метод получения платы – комбинированный, способ получения рисунка – позитивныйи 3-й класс точности. Плата ДПП и ее размер 160х100 мм.

2.      Определяем ширину минимальную, в мм, печатного проводника по постоянному току для цепей питания и заземления:

где,  – максимальный постоянный ток, протекающий в проводниках (определяется из анализа электрической схемы);

 – допустимая плотность тока, выбирается в зависимости от метода изготовления из таблицы.

t
– толщина проводника, мм.
Таблица 25 - Основные параметры методов изготовления

I_мах=!.6А J_доп=48А/мм² t=1мм



3. Определяем минимальную ширину проводника в мм, исходя из допустимого падения напряжения на нем :

где, – удельное объемное сопротивление (табл.);

 – длина проводника, м;

– допустимое падение напряжения, определяется из анализа электрической схемы.
Допустимое падение напряжения на проводниках не должно превышать 5% от питающего напряжения для микросхем и не более запаса помехоустойчивости.
r=0,0175Ом×мм²/м;

t=1мм; L=0,12м;

U_доп=0.25В;

I_мах=1.6А;

 мм
Ширина печатного проводника принимается равной

B=2 мм

4.                 Определяем номинальное значение диаметра монтажных отверстий d:

где, – максимальный диаметр вывода, устанавливаемого ЭРЭ;

– нижнее предельное отклонение от номинального диаметра монтажного отверстия;

– разница между минимальным диаметром отверстия и максимальным диаметром вывода ЭРЭ в пределах 0,1¸0,4 мм.

d_э = 0,6 мм;

r = 0,15 мм;

Dd_но= -0,05 мм

мм
Из ряда диаметров переходных отверстий по ГОСТТ 10317-79 0.5 выбираем из предпочтительного ряда диаметров отверстий 0.8мм.

3.      Рассчитаем диаметр контактных площадок.

Минимальный диаметр контактных площадок для ДПП, изготавливаемых комбинированным методом:

где, – толщина фольги;

– минимальный эффективный диаметр площадки;

где – расстояние от края просверленного отверстия до края контактной площадки;

и – допуски на расположение отверстий и контактных площадок

– максимальный диаметр просверленного отверстия, мм;

 



мм

мм;

мм

 мм

мм

мм

мм
Максимальный диаметр контактной площадки:


мм
6.                 Определяем ширину проводников. Минимальная ширина проводников для ДПП, изготовленных комбинированным позитивным методом, мм:

где– минимальная эффективная ширина проводника;

мм для плат 3-го класса точности
мм
Максимальная ширина проводников:



мм
7. Определяем минимальное расстояние между проводником и контактной площадкой:

где – расстояние между центрами рассматриваемых элементов;

– допуск на расположение проводников (таблица)



мм

модуль электронная вычислительная машина плата


Минимальное расстояние между двумя контактными площадками:

где,– расстояние между центрами рассматриваемых элементов;
мм
Минимальное расстояние между двумя проводниками:



где,– расстояние между центрами рассматриваемых элементов;
мм
Таблица 26 - Допуски на расположение отверстий и контактных площадок



На основании произведенных расчётов параметров печатного монтажа были изготовлены печатные платы и произведён монтаж электронных компонентов.
3.3 Расчёт надёжности
Современная РЭА имеет очень высокую функциональную возможность. При непрерывном усложнении радиотехнических приборов и систем наблюдения происходит диспропорция между темпами роста сложности и покомпонентной надежности РЭА. Особое значение приобретает проблема надежности для систем управления сложными автоматическими процессами, для систем бортовой РЭА. Необходимо также учитывать, что элементной базой для современной специальной аппаратуры являются интегральные микросхемы (ИМС), где отказ каждой из них может привести к выходу из строя аппаратуры в целом. Таким образом, при проектировании РЭА одной из основных задач является задача обеспечения требуемой надежности. В ряде случаев задача обеспечения надежности приобретает первостепенное значение и имеет приоритет перед задачами обеспечения минимальных габаритов, массы и стоимости аппаратуры.

Надежность – свойство выполнять заданные функции, сохраняя во времени значения установленных эксплуатационных показателей в заданных пределах, соответствующих заданным режимам и условиям пользования. Из определения следует, что надежность является комплексным свойством аппаратуры, которое в зависимости от сложности изделия и условий его эксплуатации может характеризоваться одним или целым набором показателей, основным из которых является безотказность в работе.

Безотказностью называется свойство аппаратуры непрерывно сохранять работоспособность в течение определенного времени.

Вероятность безотказной работы – вероятность того, что в пределах заданной наработки – отказ не возникнет.

Отказом называется событие, заключающееся в полной или частичной потере работоспособности изделия.

Существуют различные методы повышения надежности. Наиболее жесткие требования по надежности предъявляют к космической РЭА и РЭА специального

назначения. При этом необходимо еще учитывать, что указанные категории аппаратуры, подвергаются сложным климатическим и механическим воздействиям. К общим мерам по обеспечению заданной высокой надежности относятся:

1.      четкая регламентация условий эксплуатации изделий;

2.      выбор для изделия комплектующих элементов обладающих высокой надежностью и стабильностью характеристик;

3.      реализация технологических мероприятий обеспечивающих бездефектное изготовление устройств;

4.      создание системы всесторонних производственных испытаний, обеспечивающих выявление производственных дефектов аппаратуры и ее элементов.

Произведем расчет надежности изделия.

Вначале рассчитаем интенсивность отказов каждой группы элементов. Выбранные по табличным данным значения λ_oi, для используемых в модуле ЭРИ.
Таблица 27 - Интенсивность отказов каждой группы элементов


Используя полученные данные, определяются интенсивности отказов ЭРИ.

Интенсивность отказов резисторов:
λ_р= λ_oр к m_р ,1/ч

λ_р= 0,87*2,07*8= 14,4 *10^-61/ч
Интенсивность отказов диодов:


λ_д= λ_oд к m_д ,1/ч

λ_д= 0,2*2,07*5= 2,07*10^-6 1/ч
Интенсивность отказов конденсаторов:
λ_к= λ_oк к m_к ,1/ч

λ_к= 0,04*2,07*28= 2,32*10^-6 1/ч
Интенсивность отказов микросхем:
λ_мкс= λ_oмкс к m_мкс ,1/ч

λ_мкс= 0,013*2,07*18= 0,48*10^-6 1/ч
Интенсивность отказов паяльных соединений:
λ_пс= λ_oпс к m_пс ,1/ч

λ_пс= 0,01*2,07*450= 9,32* 10^-61/ч
Интенсивность отказов кварца:
λ_кв= λ_oкв к m_кв ,1/ч

λ_кв= 0,05*2,07*1=0,1*10^-6 1/ч
Определяем интенсивность отказов модуля:
Λ=Σ λ_{i ,}1/ч

Λ=14,4 +2,07 +2,32 +0,48 +9,32+0,1=28,69 *10^-61/ч
Определяем среднее время наработки на отказ:


Т_{ср. расч}=1 / Λ, ч

Т_{ср. расч}=1 / 28,69*10^-6=34855 час
Определяем вероятность безотказной работы:
Р(t)=е ^{- Λt}

Р(1000)=е ^-28,69*1000 = 0.98




Заключение
В последнее время научно-исследовательские и производственные предприятия радиотехнической и электронной промышленности передовых стран мира тратят много сил и средств на отыскание путей уменьшения габаритов и массы радиоэлектронной аппаратуры. Работы эти получают поддержку потому, что развитие многих отраслей науки и техники, таких как космонавтика, вычислительная техника, кибернетика, бионика и другие, требуют исключительно сложного электронного оборудования. К этому оборудованию предъявляются высокие требования, поэтому аппаратура становится такой сложной и громоздкой, что требования высокой надежности и значительного уменьшения габаритов и массы приобретают важнейшее значение. Особенно эти требования предъявляются ракетной технике. Известно, что для подъема каждого килограмма массы аппаратуры космического корабля необходимо увеличить стартовую массу ракеты на несколько сотен килограммов. Чтобы удовлетворить эти требования, необходимо миниатюризировать аппаратуру. Это достигается несколькими методами конструирования радиоэлектронной аппаратуры.

При микромодульном методе конструирования повышение плотности монтажа достигается за счет применения специальных миниатюрных деталей и плотного их монтажа в микромодуле. Благодаря стандартным размерам микромодули размещаются в аппаратуре с минимальными промежутками.

Применение гибридных интегральных микросхем и микросборок также дало возможность миниатюризации радиоэлектронной аппаратуры. При использовании микросхем повышение плотности монтажа достигается тем, что на общей изоляционной подложке располагаются в виде тонких пленок резисторы, проводники, обкладки конденсаторов, такой же принцип используются и в устройствах, изготовленных методом молекулярной электроники, при этом для создании пассивных (резисторы и конденсаторы) и активных (диоды, транзисторы) элементов схем используются слои полупроводниковых материалов.

Следующий этап развития технологии производства радиоэлектронной аппаратуры - технология поверхостного монтажа кристалла (ТПМК). ТМПК обеспечивает миниатюризацию радиоэлектронной аппаратуры при росте ее функциональной сложности. Навесные компоненты намного меньше, чем монтируемые в отверстия, что обеспечивает более высокую плотность монтажа и уменьшает массо-габаритные показатели. ТПМК допускает высокую автоматизацию установки электрорадиоэлементов вплоть до роботизации.

Повышение надежности радиоэлектронных устройств, выполненных указанными методами микроминиатюризации, достигается тем, что во первых, все методы основаны на автоматизации производственных процессов, при этом предусматривается тщательный контроль на отдельных операциях.

Вторая причина состоит в том, что в изделиях, изготовленных на базе микросхем, значительно уменьшается количество паяных соединений, которые являются причиной многих отказов. Метод молекулярной электроники исключает отказы, связанные с различными коэффициентами линейного расширения материалов, ибо при этом методе предусматривается, что конструкция выполняется из однородного материала.

Увеличение надежности конструкций, выполненных методами микроминиатюризации, объясняется также гораздо большими возможностями обеспечить защиту от воздействия внешней среды. Малогабаритные узлы могут быть гораздо легче герметизированы, что к тому же увеличит и механическую прочность. Наконец, применение миниатюрных узлов и деталей позволяет лучше решить задачи резервирования как общего, так и раздельного.


Приложения
Приложение А
Опись документов

№	Формат	Обозначение	Наименование	Кол-во листов	№ экз.	Прим.
1	A4		Пояснительная записка	54
2	А1		Схема электрическая	1	1
3			принципиальная
4	А1		Печатная плата	1	1
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33

Приложение B
Перечень элементов

строки	Формат	Обозначение	Наименование	Кол-во	Прим.
1			Микросхемы
2		DD1,DD2,DD14,DD15	КР580ИР82	4
3		DD3	К155ЛА2	1
4		DD4	7411	1
5		DD5	КР580ВВ55А	1
6		DD6	КР580ВВ51А	1
7		DD7	LM393	1
8		DD8, DD9	TLP2630	2
9		DD10	ADM485	1
10		DD11, DD18	К555ИД7	2
11		DD12	КР580ВК28	1
12		DD13	КР580ВМ80А	1
13		DD16	КР580ГФ24	1
14		DD17	КР568РЕ5	1
15			Конденсаторы
16		C1-C21	4700 пФ	21
17		C22-C28	4700 мкФ	7
18			Диоды
19		VD1	КД226Г	1
20		VD2-VD5	КД527Г	4
21			Кварцевый резонатор
22		ZQ1	РК308N	1
23			Кнопки
24		SB1, SB2	МС1031100	2

Литература
1.Конструкторско-технологическое проектирование электронной аппаратуры. Под редакцией В.А. Шахнова. Москва, изд. МГТУ им. Баумана. 2002.

2.Е.В. Пирогова. Проектирование и технология печатных плат. М.:Издательство МГТУ имени Н.Э. Баумана,2002

3.Шахнов В.А. Микропроцессоры и микропроцессорные комплекты интегральных микросхем. Москва, Радио и связь, 1992.

4.Нефедов А.В. Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги. Справочник. Москва, РадиоСофт, 2000.

5.Кузнецов С.А. Проектирование печатных плат.Москва,Информатика, 2001.

6.Медведев А.М. Технология производства печатных плат. Москва, Техносфера, 2005.

Размещено на http://www.allbest.ru/