Курсовая на тему Проектирование усилителя низкой частоты
Работа добавлена на сайт bukvasha.net: 2014-12-12Поможем написать учебную работу
Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
от 25%
договор
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ УКРАИНЫ
СУМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
Кафедра автоматики и промышленной электроники
Курсовая работа
по курсу
“Аналоговая схемотехника”
“Проектирование усилителя низкой частоты”
Выполнил: студент
Гр. ЭС-91
Руководитель: Дудник А.Б.
Сумы - 2002
Содержание
Введение
1. Выбор принципиальной схемы
2. Расчет выходного каскада
3. Расчет предоконечного каскада
4. Расчет входного каскада
5. Уточнение параметров схемы и расчет обратной связи
6. Расчет элементов связи
Литература
Усилителями называют устройства, в которых сравнительно маломощный входной сигнал управляет передачей значительно большей мощности из источника питания в нагрузку. Наибольшее распространение получили усилители, построенные на полупроводниковых усилительных элементах (биполярных и полевых транзисторах); в последние годы усилители преимущественно используются в виде готовых неделимых компонентов - усилительных ИМС. Простейшая ячейка, позволяющая осуществить усиление, называется усилительным каскадом.
Электрические сигналы, подаваемые на вход усилителей, могут быть чрезвычайно разнообразны; это могут быть непрерывно изменяющиеся величины, в частности гармонические колебания, однополярные и двухполярные импульсы. Как правило, эти сигналы пропорциональны определенным физическим величинам. В установившихся режимах многие физические величины постоянны либо изменяются весьма медленно (напряжение и частота сети, частота вращения двигателя, напор воды на гидроэлектростанции). В переходных и особенно аварийных режимах те же величины могут изменяться в течение малых промежутков времени. Поэтому усилитель должен обладать способностью усиливать как переменные, так и постоянные или медленно изменяющиеся величины. Такие усилители являются наиболее универсальными и распространенными. По традиции их называют усилителями постоянного тока (УПТ), хотя такое название и не вполне точно: УПТ усиливают не только постоянную составляющую (приращение сигнала) и в подавляющем большинстве случаев они являются усилителями напряжения, а не тока. В УПТ нельзя связывать источник и приёмник сигнала через трансформаторы и конденсаторы, которые не пропускают постоянной составляющей сигнала. Это условие вызывает некоторые трудности при создании УПТ, но оно же обусловило ещё большее распространение УПТ с появлением микроэлектроники: УПТ не содержат элементов, выполнение которых в составе ИМС невозможно (трансформаторы и конденсаторы большой ёмкости).
Наряду с применением основного типа усилителей - УПТ - в ряде случаев оказывается целесообразным использование усилителей с ёмкостной связью. Применение ёмкостной связи между каскадами усилителей в настоящее вышло из употребления, так как конденсаторы с большой ёмкостью невыполнимы в виде элементов ИМС.
Достоинством усилителей с ёмкостной связью является отсутствие дрейфа нуля: конденсаторы не пропускают постоянной составляющей, в том числе напряжение дрейфа.
(1.1)
где eген - величина ЭДС источника сигнала;
Rген - внутреннее сопротивление источника сигнала.
Требуемый коэффициент усиления по мощности всего усилителя:
(1.2)
где ap= (1,1¸1,3) - коэффициент запаса по мощности;
- мощность, выделяемая в нагрузку.
Выразим коэффициент усиления в децибелах по формуле:
(1.3)
Определим ориентировочное число каскадов, считая, что каждый каскад может обеспечивать усиление мощности примерно на 20дб.
(1.4)
Составим структурную схему (рисунок 1.1):
Рисунок 1.1 - Структурная схема усилителя: ВхК - входной каскад, обеспечивающий главным образом согласование с источником сигнала; ПК - промежуточный каскад; ПОК - предоконечный каскад; ВК - выходной сигнал, работающий непосредственно на нагрузку
Составив структурную схему, можно рассчитать выходной и входной каскады.
SHAPE \* MERGEFORMAT
Рисунок 2.1 - Бестрансформаторный выходной каскад
Выбор выходных транзисторов.
Амплитудное значение коллекторного напряжения транзистора VT3 (VT4) (см. рис.2.1):
(2.1)
где Uн - эффективное значение напряжения на нагрузке в В.
Амплитуда импульса коллекторного тока транзистора VT3 (VT4):
(2.2)
Мощность, выделяемая каскадом в нагрузке:
(2.3)
Необходимое напряжение источника питания:
(2.4)
где k1= (1,01¸1,1) - коэффициент запаса по напряжению;
rнас= (0,1¸1) - внутреннее сопротивление транзистора в режиме насыщения.
Выберем напряжение источника питания равным 15В.
Ориентировочная мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора:
(2.5)
По следующим неравенствам выбираем транзисторы VT3 (VT4):
(2.6)
По справочнику [11] выбран транзистор KT817Б со следующими параметрами:
- максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе;
- максимально допустимое постоянное напряжение между коллектором и эммитером;
- максимально допустимый постоянный ток коллектора;
- коэффициент передачи тока базы минимальный;
- максимально допустимая температура перехода;
- тепловое сопротивление подложка-корпус;
- обратный ток коллектора.
Выходные и входные характеристики изображены на рисунках 3 и 4.
После предварительного выбора транзисторов VT3 и VT4 нужно проверить их мощностные показатели при наибольшей температуре окружающей среды по формуле:
(2.7)
где - номинально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора при максимальной температуре коллекторного перехода, Вт;
где tв - верхнее значение диапазона рабочих температур, °С.
Поскольку , то выбранные транзисторы подходят.
Выбор режима работы по постоянному току и построение линий нагрузки. Ток покоя коллектора I0k3 транзисторов VT3 и VT4:
(2.8)
где Ikоmax (50°C) =1500мкА берётся в справочнике [11].
I0k3< Ikдоп - это значит, что транзисторы выбраны правильно.
На семействе выходных характеристик транзисторов VT3 (VT4) строятся нагрузочные прямые по переменному току с координатами (см. рис.2.2):
А (I0k3; Eп); В (I0k3+Ikm3; Eп-Ukm3); (2.9)
А (30мА; 15В); В (0.88А; 1.74В);
Соответствующие значения токов переносятся на входные характеристики (рис.2.3): Uбm3=0,54В - амплитудное значение напряжения на базо-эмиттерном переходе; U0б3=0,6В - напряжение покоя базы; Uб3max=1,14В - максимальное значение напряжения на базо-эмиттерном переходе; Iбm3=57мА - амплитудное значение тока базы; I0б3=1,78мА - ток покоя базы; Iб3max=55.22мА - максимальное значение тока базы.
Входное сопротивление базо-эмиттерного перехода транзисторов VT3 (VT4):
(2.10)
Номинал резисторов R3 и R4 для мощных транзисторов:
(2.11)
Мощность, выделяемая на резисторах R3 и R4:
(2.12)
Выбор предвыходных транзисторов и режимов работы их по постоянному току. Построение линии нагрузки
Ток покоя эмиттера транзисторов VT1 (VT2) (см. рис.1.1):
(2.13)
Амплитудное значение тока эмиттера транзисторов VT1 (VT2):
(2.14)
Принимается . По следующим неравенствам выбираются транзисторы VT1, VT2:
По справочнику [11] выбраны транзисторы KT814Б (p-n-p) и КТ815Б (n-p-n) со следующими параметрами:
Для построения линии нагрузки по переменному току транзисторов VT1 (VT2) выбираются следующие координаты точек A’ и A”:
, (2.15)
.
Переносим точки A’ и A" на входные характеристики транзисторов VT1 (VT2) (рис.2.4).
По графику (рис.2.4) определяются следующие параметры:
- амплитудное значение напряжения на базе;
- амплитудное значение тока базы;
- ток покоя базы транзистора;
- напряжение покоя базы.
Определение основных параметров выходного каскада
Выходное сопротивление базо-эмиттерного перехода транзистора VT1 (VT2):
(2.16)
Входное сопротивление верхнего плеча выходного каскада на VT1 и VT3:
(2.17)
Входное сопротивление нижнего плеча выходного каскада на VT2 и VT4:
(2.18)
Амплитудное значение входного напряжения:
- верхнего плеча (VT1,VT3):
(2.19)
- нижнего плеча (VT2,VT4):
(2.20)
Требуемое падение напряжения Uод на диодах VD1, VD2 при токе
(2.21)
равно:
(2.22)
По справочнику [4] выбираются диоды. Прямой ток (средний) должен быть больше 0,14мА, прямое напряжение должно быть больше 1,815В. Выбирается диод Д7Г со следующими параметрами:
- Средний прямой ток 8мА;
-При токе 0,27мА на диоде происходит падение напряжения равное 0.7В, поэтому необходимо брать 3 диодов.
Сопротивление резисторов R1 и R2 делителя
(2.23)
Мощность, выделяемая на резисторах R1 и R2:
(2.24)
Входное сопротивление верхнего плеча каскада с учетом R1 и R2:
(2.25)
Входное сопротивление нижнего плеча каскада:
(2.26)
Коэффициент усиления по напряжению:
- верхнего плеча:
(2.27)
- нижнего плеча:
(2.28)
- среднее значение:
(2.29)
Коэффициент полезного действия всего каскада:
(2.30)
Мощность на выходе каскада:
(2.31)
Поправка к схеме
Рисунок 2.5 - Уточнённый бестрансформаторный выходной каскад
Выбирается транзистор VT0 КТ3102А со следующими параметрами:
Мощностные показатели при наибольшей температуре окружающей среды (см. формулу 2.7):
Поскольку , то выбранный транзистор подходит.
Определяются следующие токи:
Нахождение сопротивления Rэ и Cэ:
(2.32)
(2.33)
Мощность, выделяемая на резисторе Rэ:
(2.34)
Определение сопротивлений R’ и R”:
(2.35)
(2.36)
Мощность, выделяемая на резисторах R’ и R”:
(2.37)
Уточнённое значение мощности рассеивания одним транзистором VT3 (или VT4):
(2.38)
Тепловое сопротивление корпус-среда:
(2.39)
Площадь радиатора:
(2.40)
где KT=0,0012¸0,014 Вт×см2×град-1 - коэффициент теплоотдачи.
(3.1)
Рисунок 3.1 - Схема предоконечного каскада
Поскольку Kскв очень большой, то на входе нужны: предоконечный и входной - каскады с общим эммитером.
Выбирается транзистор VT КТ3102Е со следующими параметрами:
СУМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
Кафедра автоматики и промышленной электроники
Курсовая работа
по курсу
“Аналоговая схемотехника”
“Проектирование усилителя низкой частоты”
Выполнил: студент
Гр. ЭС-91
Руководитель: Дудник А.Б.
Сумы - 2002
Содержание
Введение
1. Выбор принципиальной схемы
2. Расчет выходного каскада
3. Расчет предоконечного каскада
4. Расчет входного каскада
5. Уточнение параметров схемы и расчет обратной связи
6. Расчет элементов связи
Литература
Введение
Усилителями называют устройства, в которых сравнительно маломощный входной сигнал управляет передачей значительно большей мощности из источника питания в нагрузку. Наибольшее распространение получили усилители, построенные на полупроводниковых усилительных элементах (биполярных и полевых транзисторах); в последние годы усилители преимущественно используются в виде готовых неделимых компонентов - усилительных ИМС. Простейшая ячейка, позволяющая осуществить усиление, называется усилительным каскадом.Электрические сигналы, подаваемые на вход усилителей, могут быть чрезвычайно разнообразны; это могут быть непрерывно изменяющиеся величины, в частности гармонические колебания, однополярные и двухполярные импульсы. Как правило, эти сигналы пропорциональны определенным физическим величинам. В установившихся режимах многие физические величины постоянны либо изменяются весьма медленно (напряжение и частота сети, частота вращения двигателя, напор воды на гидроэлектростанции). В переходных и особенно аварийных режимах те же величины могут изменяться в течение малых промежутков времени. Поэтому усилитель должен обладать способностью усиливать как переменные, так и постоянные или медленно изменяющиеся величины. Такие усилители являются наиболее универсальными и распространенными. По традиции их называют усилителями постоянного тока (УПТ), хотя такое название и не вполне точно: УПТ усиливают не только постоянную составляющую (приращение сигнала) и в подавляющем большинстве случаев они являются усилителями напряжения, а не тока. В УПТ нельзя связывать источник и приёмник сигнала через трансформаторы и конденсаторы, которые не пропускают постоянной составляющей сигнала. Это условие вызывает некоторые трудности при создании УПТ, но оно же обусловило ещё большее распространение УПТ с появлением микроэлектроники: УПТ не содержат элементов, выполнение которых в составе ИМС невозможно (трансформаторы и конденсаторы большой ёмкости).
Наряду с применением основного типа усилителей - УПТ - в ряде случаев оказывается целесообразным использование усилителей с ёмкостной связью. Применение ёмкостной связи между каскадами усилителей в настоящее вышло из употребления, так как конденсаторы с большой ёмкостью невыполнимы в виде элементов ИМС.
Достоинством усилителей с ёмкостной связью является отсутствие дрейфа нуля: конденсаторы не пропускают постоянной составляющей, в том числе напряжение дрейфа.
1. Выбор принципиальной схемы
Находим максимальную мощность Pвх сигнала на входе усилителя, которую можно получить при равенстве входного сопротивления Rвх усилителя и внутреннего выходного сопротивления Rген источника сигнала:где eген - величина ЭДС источника сигнала;
Rген - внутреннее сопротивление источника сигнала.
Требуемый коэффициент усиления по мощности всего усилителя:
где ap= (1,1¸1,3) - коэффициент запаса по мощности;
Выразим коэффициент усиления в децибелах по формуле:
Определим ориентировочное число каскадов, считая, что каждый каскад может обеспечивать усиление мощности примерно на 20дб.
Составим структурную схему (рисунок 1.1):
|
|
|
ПК |
ПОК |
ВК |
|
Uн |
Rн |
Iн |
ВхК |
Rвх |
Rген |
eген |
Рисунок 1.1 - Структурная схема усилителя: ВхК - входной каскад, обеспечивающий главным образом согласование с источником сигнала; ПК - промежуточный каскад; ПОК - предоконечный каскад; ВК - выходной сигнал, работающий непосредственно на нагрузку
Составив структурную схему, можно рассчитать выходной и входной каскады.
2. Расчет выходного каскада
|
|
|
|
|
|
|
Rн |
R4 |
R2 |
R3 |
R1 |
VD1 |
VD2 |
VT1 |
VT2 |
VT3 |
VT4 |
C5 |
C4 |
+ Eп |
- Eп |
Uвх |
Рисунок 2.1 - Бестрансформаторный выходной каскад
Выбор выходных транзисторов.
Амплитудное значение коллекторного напряжения транзистора VT3 (VT4) (см. рис.2.1):
где Uн - эффективное значение напряжения на нагрузке в В.
Амплитуда импульса коллекторного тока транзистора VT3 (VT4):
Мощность, выделяемая каскадом в нагрузке:
Необходимое напряжение источника питания:
где k1= (1,01¸1,1) - коэффициент запаса по напряжению;
rнас= (0,1¸1) - внутреннее сопротивление транзистора в режиме насыщения.
Выберем напряжение источника питания равным 15В.
Ориентировочная мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора:
По следующим неравенствам выбираем транзисторы VT3 (VT4):
По справочнику [11] выбран транзистор KT817Б со следующими параметрами:
Выходные и входные характеристики изображены на рисунках 3 и 4.
После предварительного выбора транзисторов VT3 и VT4 нужно проверить их мощностные показатели при наибольшей температуре окружающей среды по формуле:
где
где tв - верхнее значение диапазона рабочих температур, °С.
Поскольку
Выбор режима работы по постоянному току и построение линий нагрузки. Ток покоя коллектора I0k3 транзисторов VT3 и VT4:
где Ikоmax (50°C) =1500мкА берётся в справочнике [11].
I0k3< Ikдоп - это значит, что транзисторы выбраны правильно.
На семействе выходных характеристик транзисторов VT3 (VT4) строятся нагрузочные прямые по переменному току с координатами (см. рис.2.2):
А (I0k3; Eп); В (I0k3+Ikm3; Eп-Ukm3); (2.9)
А (30мА; 15В); В (0.88А; 1.74В);
Соответствующие значения токов переносятся на входные характеристики (рис.2.3): Uбm3=0,54В - амплитудное значение напряжения на базо-эмиттерном переходе; U0б3=0,6В - напряжение покоя базы; Uб3max=1,14В - максимальное значение напряжения на базо-эмиттерном переходе; Iбm3=57мА - амплитудное значение тока базы; I0б3=1,78мА - ток покоя базы; Iб3max=55.22мА - максимальное значение тока базы.
Входное сопротивление базо-эмиттерного перехода транзисторов VT3 (VT4):
Номинал резисторов R3 и R4 для мощных транзисторов:
Мощность, выделяемая на резисторах R3 и R4:
Выбор предвыходных транзисторов и режимов работы их по постоянному току. Построение линии нагрузки
Ток покоя эмиттера транзисторов VT1 (VT2) (см. рис.1.1):
Амплитудное значение тока эмиттера транзисторов VT1 (VT2):
Принимается
По справочнику [11] выбраны транзисторы KT814Б (p-n-p) и КТ815Б (n-p-n) со следующими параметрами:
Для построения линии нагрузки по переменному току транзисторов VT1 (VT2) выбираются следующие координаты точек A’ и A”:
Переносим точки A’ и A" на входные характеристики транзисторов VT1 (VT2) (рис.2.4).
По графику (рис.2.4) определяются следующие параметры:
Определение основных параметров выходного каскада
Выходное сопротивление базо-эмиттерного перехода транзистора VT1 (VT2):
Входное сопротивление верхнего плеча выходного каскада на VT1 и VT3:
Входное сопротивление нижнего плеча выходного каскада на VT2 и VT4:
Амплитудное значение входного напряжения:
- верхнего плеча (VT1,VT3):
- нижнего плеча (VT2,VT4):
Требуемое падение напряжения Uод на диодах VD1, VD2 при токе
равно:
По справочнику [4] выбираются диоды. Прямой ток (средний) должен быть больше 0,14мА, прямое напряжение должно быть больше 1,815В. Выбирается диод Д7Г со следующими параметрами:
- Средний прямой ток 8мА;
-При токе 0,27мА на диоде происходит падение напряжения равное 0.7В, поэтому необходимо брать 3 диодов.
Сопротивление резисторов R1 и R2 делителя
Мощность, выделяемая на резисторах R1 и R2:
Входное сопротивление верхнего плеча каскада с учетом R1 и R2:
Входное сопротивление нижнего плеча каскада:
Коэффициент усиления по напряжению:
- верхнего плеча:
- нижнего плеча:
- среднее значение:
Коэффициент полезного действия всего каскада:
Мощность на выходе каскада:
Поправка к схеме
|
|
|
|
|
Rн |
R4 |
Rэ |
R3 |
R1 |
VD1 |
VD2 |
VT1 |
VT2 |
VT3 |
VT4 |
C5 |
C4 |
+ Eп |
- Eп |
Cэ |
|
|
R” |
R’ |
VT0 |
VD3 |
Рисунок 2.5 - Уточнённый бестрансформаторный выходной каскад
Выбирается транзистор VT0 КТ3102А со следующими параметрами:
Мощностные показатели при наибольшей температуре окружающей среды (см. формулу 2.7):
Поскольку
Определяются следующие токи:
Нахождение сопротивления Rэ и Cэ:
Мощность, выделяемая на резисторе Rэ:
Определение сопротивлений R’ и R”:
Мощность, выделяемая на резисторах R’ и R”:
Уточнённое значение мощности рассеивания одним транзистором VT3 (или VT4):
Тепловое сопротивление корпус-среда:
Площадь радиатора:
где KT=0,0012¸0,014 Вт×см2×град-1 - коэффициент теплоотдачи.
3. Расчет предоконечного каскада
Сквозной коэффициент усиления:Рисунок 3.1 - Схема предоконечного каскада
Поскольку Kскв очень большой, то на входе нужны: предоконечный и входной - каскады с общим эммитером.
Выбирается транзистор VT КТ3102Е со следующими параметрами:
|
|
|
|
|
+30В |
R1 |
R2 |
Rk |
Rэ |
R4 |
С1 |
Сэ |
С2 |
VT |
В |
А |
Принимается
Тогда
Допускается, что напряжение в точке В UB=24В. Тогда напряжение в точке А будет
Сопротивление резисторов R1 и R2 делителя:
Мощность, выделяемая на резисторах R1 и R2:
Сопротивление R4:
Мощность, выделяемая на резисторе R4:
Сопротивление Rэ:
где URэ=UB/10=3В.
Мощность, выделяемая на резисторе Rэ:
Напряжение база-эмиттер:
Здесь
Из уравнения (3.6) определяется rб:
Входное сопротивление каскада:
Сопротивление Rk:
Мощность, выделяемая на резисторе Rк:
Выходное сопротивление каскада (учитывая, что rk>>Rk):
Определение амплитудных токов на базе и коллекторе:
Тогда
Коэффициент усиления по напряжению предоконечного каскада:
4. Расчет входного каскада
Схема входного каскада представлена на рис.5.1.SHAPE \* MERGEFORMAT
|
|
|
|
+UХп=24В |
R1 |
R2 |
R3 |
Rэ |
С1 |
Сэ |
VT |
А |
Рисунок 5.1 Схема входного каскада
Выбирается транзистор VT КТ3102Г со следующими параметрами:
Принимается
Напряжение в точке А будет
Сопротивление резисторов R1 и R2 делителя:
Мощность, выделяемая на резисторах R1 и R2:
Сопротивление Rэ:
Мощность, выделяемая на резисторе Rэ:
Напряжение база-эмиттер:
Здесь
Из уравнения (3.6) определяется rб:
Входное сопротивление каскада:
Сопротивление Rk:
Мощность, выделяемая на резисторе Rк:
Выходное сопротивление каскада (учитывая, что rk>>Rk):
Определение амплитудных токов на базе и коллекторе:
Тогда
Коэффициент усиления по напряжению предоконечного каскада:
5. Уточнение параметров схемы и расчет обратной связи
Сквозной коэффициент усиления по напряжению получился равнымгде
Сравнивая полученный сквозной коэффициент усиления по напряжению (6.1) с необходимым (3.1), можно сделать вывод, что в схему надо добавить ещё один промежуточный каскад. Этот каскад будет аналогичным рассчитанному ранее промежуточному каскаду в пункте 4 (иметь те же параметры). Коэффициент усиления по напряжению второго промежуточного каскада будет равен 10,76.
Теперь сквозной коэффициент усиления по напряжению будет
Для стабилизации режима покоя в каскад вводят обратную связь (ОС). Обратной связью называется передача информации (или энергии) с выхода устройства или системы на его вход.
Если на входе складываются сигналы разных знаков, то ОС является отрицательной (ООС). В этом случае на входе схемы действует разностный сигнал, который меньше входного. Выходной сигнал при этом уменьшается. Однако при применении ООС увеличивает стабильность выходной величины: ООС по напряжению стабилизирует напряжение, ООС по току стабилизирует ток и т.д.
В этом случае коэффициент усиления по напряжению усилителя принимает следующий вид:
где K - коэффициент усиления по напряжению (без обратной связи) участка схемы, охватывающего обратную связь. В данном случае он равен коэффициенту усиления по напряжению всего усилителя (без обратной связи):
Коэффициент j:
где R’ выбирается 10Ом, а RОС - порядка 10кОм.
Таким образом коэффициент усиления по напряжению усилителя, охватывающего ООС, уменьшается в (1+jK) раз. Коэффициент усиления по напряжению усилителя необходимо уменьшить в
Можно записать:
Откуда j=6/K.
Тогда
В результате определяется требуемый коэффициент усиления по напряжению усилителя будет равен:
Сквозной коэффициент усиления по напряжению получился равным
где
Сравнивая полученный сквозной коэффициент усиления по напряжению (6.1) с необходимым (3.1), можно сделать вывод, что в схему надо добавить ещё один промежуточный каскад. Этот каскад будет аналогичным рассчитанному ранее промежуточному каскаду в пункте 4 (иметь те же параметры). Коэффициент усиления по напряжению второго промежуточного каскада будет равен 10,76.
Теперь сквозной коэффициент усиления по напряжению будет
Для стабилизации режима покоя в каскад вводят обратную связь (ОС). Обратной связью называется передача информации (или энергии) с выхода устройства или системы на его вход.
Если на входе складываются сигналы разных знаков, то ОС является отрицательной (ООС). В этом случае на входе схемы действует разностный сигнал, который меньше входного. Выходной сигнал при этом уменьшается. Однако при применении ООС увеличивает стабильность выходной величины: ООС по напряжению стабилизирует напряжение, ООС по току стабилизирует ток и т.д.
В этом случае коэффициент усиления по напряжению усилителя принимает следующий вид:
где K - коэффициент усиления по напряжению (без обратной связи) участка схемы, охватывающего обратную связь. В данном случае он равен коэффициенту усиления по напряжению всего усилителя (без обратной связи):
Коэффициент j:
где R’ выбирается 10Ом, а RОС - порядка 10кОм.
Таким образом коэффициент усиления по напряжению усилителя, охватывающего ООС, уменьшается в (1+jK) раз. Коэффициент усиления по напряжению усилителя необходимо уменьшить в
Можно записать:
Откуда j=6/K.
Тогда
В результате определяется требуемый коэффициент усиления по напряжению усилителя будет равен:
6. Расчет элементов связи
Распределение фазовых сдвигов:Для входного каскада:
Для предоконечного и промежуточных каскадов:
Для выходного каскада:
R1, R2, R5, R6, R9, R10, R13, R14 | ВС-1-0,125-6,2кОм-10% |
R3, R7, R11, R15 | ВС-1-1-68Ом-10% |
R4, R8, R12, R16 | ВС-1-0,5-30Ом-10% |
R17 | ВС-1-0,125-3,9МОм-10% |
R18, R19, | ВС-1-0,125-240кОм-10% |
R20 | ВС-1-0,125-13кОм-10% |
R21, R22 | ВС-1-0,125-1кОм-10% |
Rн | ВС-1-20-11Ом-10% |
Rф | ВС-1-1-62Ом-10% |
Rос | ВС-1-0,125-22кОм-10% |
R’ | ВС-1-20-10Ом-10% |
С1 | К50-6-50В-2мкФ- (-20¸+80)% |
С2, С4, С6, С8 | К50-6-10В-10мкФ- (-20¸+80)% |
С3, С5, С7 | К50-6-16В-5мкФ- (-20¸+80)% |
С9 | К50-9-3В-0,5мкФ- (-10¸+100)% |
С10 | К75-42-1600В-0,0033мкФ-10% |
С11 | К50-6-10В-50мкФ- (-20¸+80)% |
Сф | К50-22-50В-1500мкФ- (-20¸+50)% |
VT1-VT5 | KT-3102A |
VT6 | КТ-814Б |
VT7 | KT-815Б |
VT8,VT9 | KT-817Б |
VD1-VD6 | Д2Ж |
Литература
1. Аронов В.А., Баюков А.В. и др. Полуроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник. - М.: Энергоиздат, 1982.2. Гальперин Н.В. Практическая схемотехника в промышленной электронике. - М.: Радио и связь, 1987.
3. Гершунский Б.С. Справочник по расчету электронных схем. - М.: Наука, 1983.
4. Гитцевич А.Б., Зайцев А.А. и др. Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные, стабилитроны, тиристоры: Справочник. - М.: КубК-а, 1996.
5. Горбачев Г.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника. - М.: Энергоатомиздат, 1988.
6. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника. - М: Радио и связь, 1985.
7. Гутников В.С. Интегральная электроника в измерительных устройствах. - М.: Энергоатомиздат, 1988.
8. Доршков А.В., Полонский А.Д. Методические указания к курсовому проекту “Проектирование усилителя низкой частоты". - Сумы: СФТИ, 1993.
9. Дьяконов М.Н., Карабанов В.И. и др. Справочник по электрическим конденсаторам. - М.: Радио и связь, 1983.
10. Забродин Ю.С. Промышленная электроника. - М.: Энергоатом-издат, 1988., 1982.
11. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. - М.: Радио и связь, 1984.
12. Манаев Е.И. Основы радиоэлектроники. - М.: Энергоатомиздат, 1985.
2. Реферат Механизмы социализации
3. Статья на тему Порочная методология и ее плоды
4. Реферат на тему UnH1d Essay Research Paper Ancient Greece
5. Реферат на тему Arthur Miller And Crucible Essay Research Paper
6. Курсовая Рентабельность на предприятии
7. Сочинение на тему Hесколько мыслей о предстоящей реформе русского языка
8. Реферат Жизнь Патриарха Никона
9. Контрольная работа на тему Моделирование экономических систем 2
10. Диплом Влияние эстетических норм на межличностные отношения старших школьников