Курсовая на тему Проектирование усилителя низкой частоты
Работа добавлена на сайт bukvasha.net: 2014-12-12Поможем написать учебную работу
Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.

Предоплата всего
от 25%

Подписываем
договор
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ УКРАИНЫ
СУМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
Кафедра автоматики и промышленной электроники
Курсовая работа
по курсу
“Аналоговая схемотехника”
“Проектирование усилителя низкой частоты”
Выполнил: студент
Гр. ЭС-91
Руководитель: Дудник А.Б.
Сумы - 2002
Содержание
Введение
1. Выбор принципиальной схемы
2. Расчет выходного каскада
3. Расчет предоконечного каскада
4. Расчет входного каскада
5. Уточнение параметров схемы и расчет обратной связи
6. Расчет элементов связи
Литература
Усилителями называют устройства, в которых сравнительно маломощный входной сигнал управляет передачей значительно большей мощности из источника питания в нагрузку. Наибольшее распространение получили усилители, построенные на полупроводниковых усилительных элементах (биполярных и полевых транзисторах); в последние годы усилители преимущественно используются в виде готовых неделимых компонентов - усилительных ИМС. Простейшая ячейка, позволяющая осуществить усиление, называется усилительным каскадом.
Электрические сигналы, подаваемые на вход усилителей, могут быть чрезвычайно разнообразны; это могут быть непрерывно изменяющиеся величины, в частности гармонические колебания, однополярные и двухполярные импульсы. Как правило, эти сигналы пропорциональны определенным физическим величинам. В установившихся режимах многие физические величины постоянны либо изменяются весьма медленно (напряжение и частота сети, частота вращения двигателя, напор воды на гидроэлектростанции). В переходных и особенно аварийных режимах те же величины могут изменяться в течение малых промежутков времени. Поэтому усилитель должен обладать способностью усиливать как переменные, так и постоянные или медленно изменяющиеся величины. Такие усилители являются наиболее универсальными и распространенными. По традиции их называют усилителями постоянного тока (УПТ), хотя такое название и не вполне точно: УПТ усиливают не только постоянную составляющую (приращение сигнала) и в подавляющем большинстве случаев они являются усилителями напряжения, а не тока. В УПТ нельзя связывать источник и приёмник сигнала через трансформаторы и конденсаторы, которые не пропускают постоянной составляющей сигнала. Это условие вызывает некоторые трудности при создании УПТ, но оно же обусловило ещё большее распространение УПТ с появлением микроэлектроники: УПТ не содержат элементов, выполнение которых в составе ИМС невозможно (трансформаторы и конденсаторы большой ёмкости).
Наряду с применением основного типа усилителей - УПТ - в ряде случаев оказывается целесообразным использование усилителей с ёмкостной связью. Применение ёмкостной связи между каскадами усилителей в настоящее вышло из употребления, так как конденсаторы с большой ёмкостью невыполнимы в виде элементов ИМС.
Достоинством усилителей с ёмкостной связью является отсутствие дрейфа нуля: конденсаторы не пропускают постоянной составляющей, в том числе напряжение дрейфа.

(1.1)
где eген - величина ЭДС источника сигнала;
Rген - внутреннее сопротивление источника сигнала.
Требуемый коэффициент усиления по мощности всего усилителя:

(1.2)
где ap= (1,1¸1,3) - коэффициент запаса по мощности;

- мощность, выделяемая в нагрузку.

Выразим коэффициент усиления в децибелах по формуле:

(1.3)
Определим ориентировочное число каскадов, считая, что каждый каскад может обеспечивать усиление мощности примерно на 20дб.

(1.4)
Составим структурную схему (рисунок 1.1):
Рисунок 1.1 - Структурная схема усилителя: ВхК - входной каскад, обеспечивающий главным образом согласование с источником сигнала; ПК - промежуточный каскад; ПОК - предоконечный каскад; ВК - выходной сигнал, работающий непосредственно на нагрузку
Составив структурную схему, можно рассчитать выходной и входной каскады.
SHAPE \* MERGEFORMAT

Рисунок 2.1 - Бестрансформаторный выходной каскад
Выбор выходных транзисторов.
Амплитудное значение коллекторного напряжения транзистора VT3 (VT4) (см. рис.2.1):

(2.1)
где Uн - эффективное значение напряжения на нагрузке в В.
Амплитуда импульса коллекторного тока транзистора VT3 (VT4):

(2.2)
Мощность, выделяемая каскадом в нагрузке:

(2.3)
Необходимое напряжение источника питания:

(2.4)
где k1= (1,01¸1,1) - коэффициент запаса по напряжению;
rнас= (0,1¸1) - внутреннее сопротивление транзистора в режиме насыщения.
Выберем напряжение источника питания равным 15В.
Ориентировочная мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора:

(2.5)
По следующим неравенствам выбираем транзисторы VT3 (VT4):

(2.6)
По справочнику [11] выбран транзистор KT817Б со следующими параметрами:

- максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе;

- максимально допустимое постоянное напряжение между коллектором и эммитером;

- максимально допустимый постоянный ток коллектора;

- коэффициент передачи тока базы минимальный;

- максимально допустимая температура перехода;

- тепловое сопротивление подложка-корпус;

- обратный ток коллектора.
Выходные и входные характеристики изображены на рисунках 3 и 4.
После предварительного выбора транзисторов VT3 и VT4 нужно проверить их мощностные показатели при наибольшей температуре окружающей среды по формуле:

(2.7)
где 
- номинально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора при максимальной температуре коллекторного перехода, Вт;

где tв - верхнее значение диапазона рабочих температур, °С.

Поскольку 
, то выбранные транзисторы подходят.
Выбор режима работы по постоянному току и построение линий нагрузки. Ток покоя коллектора I0k3 транзисторов VT3 и VT4:

(2.8)
где Ikоmax (50°C) =1500мкА берётся в справочнике [11].

I0k3< Ikдоп - это значит, что транзисторы выбраны правильно.
На семействе выходных характеристик транзисторов VT3 (VT4) строятся нагрузочные прямые по переменному току с координатами (см. рис.2.2):
А (I0k3; Eп); В (I0k3+Ikm3; Eп-Ukm3); (2.9)
А (30мА; 15В); В (0.88А; 1.74В);
Соответствующие значения токов переносятся на входные характеристики (рис.2.3): Uбm3=0,54В - амплитудное значение напряжения на базо-эмиттерном переходе; U0б3=0,6В - напряжение покоя базы; Uб3max=1,14В - максимальное значение напряжения на базо-эмиттерном переходе; Iбm3=57мА - амплитудное значение тока базы; I0б3=1,78мА - ток покоя базы; Iб3max=55.22мА - максимальное значение тока базы.
Входное сопротивление базо-эмиттерного перехода транзисторов VT3 (VT4):

(2.10)
Номинал резисторов R3 и R4 для мощных транзисторов:

(2.11)
Мощность, выделяемая на резисторах R3 и R4:

(2.12)
Выбор предвыходных транзисторов и режимов работы их по постоянному току. Построение линии нагрузки
Ток покоя эмиттера транзисторов VT1 (VT2) (см. рис.1.1):

(2.13)
Амплитудное значение тока эмиттера транзисторов VT1 (VT2):

(2.14)
Принимается 
. По следующим неравенствам выбираются транзисторы VT1, VT2:

По справочнику [11] выбраны транзисторы KT814Б (p-n-p) и КТ815Б (n-p-n) со следующими параметрами:

Для построения линии нагрузки по переменному току транзисторов VT1 (VT2) выбираются следующие координаты точек A’ и A”:

, (2.15)

.
Переносим точки A’ и A" на входные характеристики транзисторов VT1 (VT2) (рис.2.4).
По графику (рис.2.4) определяются следующие параметры:

- амплитудное значение напряжения на базе;

- амплитудное значение тока базы;

- ток покоя базы транзистора;

- напряжение покоя базы.
Определение основных параметров выходного каскада
Выходное сопротивление базо-эмиттерного перехода транзистора VT1 (VT2):

(2.16)
Входное сопротивление верхнего плеча выходного каскада на VT1 и VT3:

(2.17)
Входное сопротивление нижнего плеча выходного каскада на VT2 и VT4:

(2.18)
Амплитудное значение входного напряжения:
- верхнего плеча (VT1,VT3):

(2.19)
- нижнего плеча (VT2,VT4):

(2.20)
Требуемое падение напряжения Uод на диодах VD1, VD2 при токе

(2.21)
равно:

(2.22)
По справочнику [4] выбираются диоды. Прямой ток (средний) должен быть больше 0,14мА, прямое напряжение должно быть больше 1,815В. Выбирается диод Д7Г со следующими параметрами:
- Средний прямой ток 8мА;
-При токе 0,27мА на диоде происходит падение напряжения равное 0.7В, поэтому необходимо брать 3 диодов.
Сопротивление резисторов R1 и R2 делителя

(2.23)
Мощность, выделяемая на резисторах R1 и R2:

(2.24)
Входное сопротивление верхнего плеча каскада с учетом R1 и R2:

(2.25)
Входное сопротивление нижнего плеча каскада:

(2.26)
Коэффициент усиления по напряжению:
- верхнего плеча:

(2.27)
- нижнего плеча:

(2.28)
- среднее значение:

(2.29)
Коэффициент полезного действия всего каскада:

(2.30)
Мощность на выходе каскада:

(2.31)
Поправка к схеме
Рисунок 2.5 - Уточнённый бестрансформаторный выходной каскад
Выбирается транзистор VT0 КТ3102А со следующими параметрами:

Мощностные показатели при наибольшей температуре окружающей среды (см. формулу 2.7):

Поскольку 
, то выбранный транзистор подходит.
Определяются следующие токи:







Нахождение сопротивления Rэ и Cэ:

(2.32)

(2.33)
Мощность, выделяемая на резисторе Rэ:

(2.34)
Определение сопротивлений R’ и R”:

(2.35)

(2.36)
Мощность, выделяемая на резисторах R’ и R”:

(2.37)
Уточнённое значение мощности рассеивания одним транзистором VT3 (или VT4):

(2.38)
Тепловое сопротивление корпус-среда:

(2.39)
Площадь радиатора:

(2.40)
где KT=0,0012¸0,014 Вт×см2×град-1 - коэффициент теплоотдачи.

(3.1)
Рисунок 3.1 - Схема предоконечного каскада
Поскольку Kскв очень большой, то на входе нужны: предоконечный и входной - каскады с общим эммитером.
Выбирается транзистор VT КТ3102Е со следующими параметрами:
СУМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
Кафедра автоматики и промышленной электроники
Курсовая работа
по курсу
“Аналоговая схемотехника”
“Проектирование усилителя низкой частоты”
Выполнил: студент
Гр. ЭС-91
Руководитель: Дудник А.Б.
Сумы - 2002
Содержание
Введение
1. Выбор принципиальной схемы
2. Расчет выходного каскада
3. Расчет предоконечного каскада
4. Расчет входного каскада
5. Уточнение параметров схемы и расчет обратной связи
6. Расчет элементов связи
Литература
Введение
Усилителями называют устройства, в которых сравнительно маломощный входной сигнал управляет передачей значительно большей мощности из источника питания в нагрузку. Наибольшее распространение получили усилители, построенные на полупроводниковых усилительных элементах (биполярных и полевых транзисторах); в последние годы усилители преимущественно используются в виде готовых неделимых компонентов - усилительных ИМС. Простейшая ячейка, позволяющая осуществить усиление, называется усилительным каскадом.Электрические сигналы, подаваемые на вход усилителей, могут быть чрезвычайно разнообразны; это могут быть непрерывно изменяющиеся величины, в частности гармонические колебания, однополярные и двухполярные импульсы. Как правило, эти сигналы пропорциональны определенным физическим величинам. В установившихся режимах многие физические величины постоянны либо изменяются весьма медленно (напряжение и частота сети, частота вращения двигателя, напор воды на гидроэлектростанции). В переходных и особенно аварийных режимах те же величины могут изменяться в течение малых промежутков времени. Поэтому усилитель должен обладать способностью усиливать как переменные, так и постоянные или медленно изменяющиеся величины. Такие усилители являются наиболее универсальными и распространенными. По традиции их называют усилителями постоянного тока (УПТ), хотя такое название и не вполне точно: УПТ усиливают не только постоянную составляющую (приращение сигнала) и в подавляющем большинстве случаев они являются усилителями напряжения, а не тока. В УПТ нельзя связывать источник и приёмник сигнала через трансформаторы и конденсаторы, которые не пропускают постоянной составляющей сигнала. Это условие вызывает некоторые трудности при создании УПТ, но оно же обусловило ещё большее распространение УПТ с появлением микроэлектроники: УПТ не содержат элементов, выполнение которых в составе ИМС невозможно (трансформаторы и конденсаторы большой ёмкости).
Наряду с применением основного типа усилителей - УПТ - в ряде случаев оказывается целесообразным использование усилителей с ёмкостной связью. Применение ёмкостной связи между каскадами усилителей в настоящее вышло из употребления, так как конденсаторы с большой ёмкостью невыполнимы в виде элементов ИМС.
Достоинством усилителей с ёмкостной связью является отсутствие дрейфа нуля: конденсаторы не пропускают постоянной составляющей, в том числе напряжение дрейфа.
1. Выбор принципиальной схемы
Находим максимальную мощность Pвх сигнала на входе усилителя, которую можно получить при равенстве входного сопротивления Rвх усилителя и внутреннего выходного сопротивления Rген источника сигнала:где eген - величина ЭДС источника сигнала;
Rген - внутреннее сопротивление источника сигнала.
Требуемый коэффициент усиления по мощности всего усилителя:
где ap= (1,1¸1,3) - коэффициент запаса по мощности;
Выразим коэффициент усиления в децибелах по формуле:
Определим ориентировочное число каскадов, считая, что каждый каскад может обеспечивать усиление мощности примерно на 20дб.
Составим структурную схему (рисунок 1.1):
|
|
|
ПК |
ПОК |
ВК |
|
Uн |
Rн |
Iн |
ВхК |
Rвх |
Rген |
eген |
Рисунок 1.1 - Структурная схема усилителя: ВхК - входной каскад, обеспечивающий главным образом согласование с источником сигнала; ПК - промежуточный каскад; ПОК - предоконечный каскад; ВК - выходной сигнал, работающий непосредственно на нагрузку
Составив структурную схему, можно рассчитать выходной и входной каскады.
2. Расчет выходного каскада
|
|
|
|
|
|
|
Rн |
R4 |
R2 |
R3 |
R1 |
VD1 |
VD2 |
VT1 |
VT2 |
VT3 |
VT4 |
C5 |
C4 |
+ Eп |
- Eп |
Uвх |
Рисунок 2.1 - Бестрансформаторный выходной каскад
Выбор выходных транзисторов.
Амплитудное значение коллекторного напряжения транзистора VT3 (VT4) (см. рис.2.1):
где Uн - эффективное значение напряжения на нагрузке в В.
Амплитуда импульса коллекторного тока транзистора VT3 (VT4):
Мощность, выделяемая каскадом в нагрузке:
Необходимое напряжение источника питания:
где k1= (1,01¸1,1) - коэффициент запаса по напряжению;
rнас= (0,1¸1) - внутреннее сопротивление транзистора в режиме насыщения.
Выберем напряжение источника питания равным 15В.
Ориентировочная мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора:
По следующим неравенствам выбираем транзисторы VT3 (VT4):
По справочнику [11] выбран транзистор KT817Б со следующими параметрами:
Выходные и входные характеристики изображены на рисунках 3 и 4.
После предварительного выбора транзисторов VT3 и VT4 нужно проверить их мощностные показатели при наибольшей температуре окружающей среды по формуле:
где
где tв - верхнее значение диапазона рабочих температур, °С.
Поскольку
Выбор режима работы по постоянному току и построение линий нагрузки. Ток покоя коллектора I0k3 транзисторов VT3 и VT4:
где Ikоmax (50°C) =1500мкА берётся в справочнике [11].
I0k3< Ikдоп - это значит, что транзисторы выбраны правильно.
На семействе выходных характеристик транзисторов VT3 (VT4) строятся нагрузочные прямые по переменному току с координатами (см. рис.2.2):
А (I0k3; Eп); В (I0k3+Ikm3; Eп-Ukm3); (2.9)
А (30мА; 15В); В (0.88А; 1.74В);
Соответствующие значения токов переносятся на входные характеристики (рис.2.3): Uбm3=0,54В - амплитудное значение напряжения на базо-эмиттерном переходе; U0б3=0,6В - напряжение покоя базы; Uб3max=1,14В - максимальное значение напряжения на базо-эмиттерном переходе; Iбm3=57мА - амплитудное значение тока базы; I0б3=1,78мА - ток покоя базы; Iб3max=55.22мА - максимальное значение тока базы.
Входное сопротивление базо-эмиттерного перехода транзисторов VT3 (VT4):
Номинал резисторов R3 и R4 для мощных транзисторов:
Мощность, выделяемая на резисторах R3 и R4:
Выбор предвыходных транзисторов и режимов работы их по постоянному току. Построение линии нагрузки
Ток покоя эмиттера транзисторов VT1 (VT2) (см. рис.1.1):
Амплитудное значение тока эмиттера транзисторов VT1 (VT2):
Принимается
По справочнику [11] выбраны транзисторы KT814Б (p-n-p) и КТ815Б (n-p-n) со следующими параметрами:
Для построения линии нагрузки по переменному току транзисторов VT1 (VT2) выбираются следующие координаты точек A’ и A”:
Переносим точки A’ и A" на входные характеристики транзисторов VT1 (VT2) (рис.2.4).
По графику (рис.2.4) определяются следующие параметры:
Определение основных параметров выходного каскада
Выходное сопротивление базо-эмиттерного перехода транзистора VT1 (VT2):
Входное сопротивление верхнего плеча выходного каскада на VT1 и VT3:
Входное сопротивление нижнего плеча выходного каскада на VT2 и VT4:
Амплитудное значение входного напряжения:
- верхнего плеча (VT1,VT3):
- нижнего плеча (VT2,VT4):
Требуемое падение напряжения Uод на диодах VD1, VD2 при токе
равно:
По справочнику [4] выбираются диоды. Прямой ток (средний) должен быть больше 0,14мА, прямое напряжение должно быть больше 1,815В. Выбирается диод Д7Г со следующими параметрами:
- Средний прямой ток 8мА;
-При токе 0,27мА на диоде происходит падение напряжения равное 0.7В, поэтому необходимо брать 3 диодов.
Сопротивление резисторов R1 и R2 делителя
Мощность, выделяемая на резисторах R1 и R2:
Входное сопротивление верхнего плеча каскада с учетом R1 и R2:
Входное сопротивление нижнего плеча каскада:
Коэффициент усиления по напряжению:
- верхнего плеча:
- нижнего плеча:
- среднее значение:
Коэффициент полезного действия всего каскада:
Мощность на выходе каскада:
Поправка к схеме
|
|
|
|
|
Rн |
R4 |
Rэ |
R3 |
R1 |
VD1 |
VD2 |
VT1 |
VT2 |
VT3 |
VT4 |
C5 |
C4 |
+ Eп |
- Eп |
Cэ |
|
|
R” |
R’ |
VT0 |
VD3 |
Рисунок 2.5 - Уточнённый бестрансформаторный выходной каскад
Выбирается транзистор VT0 КТ3102А со следующими параметрами:
Мощностные показатели при наибольшей температуре окружающей среды (см. формулу 2.7):
Поскольку
Определяются следующие токи:
Нахождение сопротивления Rэ и Cэ:
Мощность, выделяемая на резисторе Rэ:
Определение сопротивлений R’ и R”:
Мощность, выделяемая на резисторах R’ и R”:
Уточнённое значение мощности рассеивания одним транзистором VT3 (или VT4):
Тепловое сопротивление корпус-среда:
Площадь радиатора:
где KT=0,0012¸0,014 Вт×см2×град-1 - коэффициент теплоотдачи.
3. Расчет предоконечного каскада
Сквозной коэффициент усиления:Рисунок 3.1 - Схема предоконечного каскада
Поскольку Kскв очень большой, то на входе нужны: предоконечный и входной - каскады с общим эммитером.
Выбирается транзистор VT КТ3102Е со следующими параметрами:
|
|
|
|
|
+30В |
R1 |
R2 |
Rk |
Rэ |
R4 |
С1 |
Сэ |
С2 |
VT |
В |
А |
Принимается
Тогда
Допускается, что напряжение в точке В UB=24В. Тогда напряжение в точке А будет
Сопротивление резисторов R1 и R2 делителя:
Мощность, выделяемая на резисторах R1 и R2:
Сопротивление R4:
Мощность, выделяемая на резисторе R4:
Сопротивление Rэ:
где URэ=UB/10=3В.
Мощность, выделяемая на резисторе Rэ:
Напряжение база-эмиттер:
Здесь
Из уравнения (3.6) определяется rб:
Входное сопротивление каскада:
Сопротивление Rk:
Мощность, выделяемая на резисторе Rк:
Выходное сопротивление каскада (учитывая, что rk>>Rk):
Определение амплитудных токов на базе и коллекторе:
Тогда
Коэффициент усиления по напряжению предоконечного каскада:
4. Расчет входного каскада
Схема входного каскада представлена на рис.5.1.SHAPE \* MERGEFORMAT
|
|
|
|
+UХп=24В |
R1 |
R2 |
R3 |
Rэ |
С1 |
Сэ |
VT |
А |
Рисунок 5.1 Схема входного каскада
Выбирается транзистор VT КТ3102Г со следующими параметрами:
Принимается
Напряжение в точке А будет
Сопротивление резисторов R1 и R2 делителя:
Мощность, выделяемая на резисторах R1 и R2:
Сопротивление Rэ:
Мощность, выделяемая на резисторе Rэ:
Напряжение база-эмиттер:
Здесь
Из уравнения (3.6) определяется rб:
Входное сопротивление каскада:
Сопротивление Rk:
Мощность, выделяемая на резисторе Rк:
Выходное сопротивление каскада (учитывая, что rk>>Rk):
Определение амплитудных токов на базе и коллекторе:
Тогда
Коэффициент усиления по напряжению предоконечного каскада:
5. Уточнение параметров схемы и расчет обратной связи
Сквозной коэффициент усиления по напряжению получился равнымгде
Сравнивая полученный сквозной коэффициент усиления по напряжению (6.1) с необходимым (3.1), можно сделать вывод, что в схему надо добавить ещё один промежуточный каскад. Этот каскад будет аналогичным рассчитанному ранее промежуточному каскаду в пункте 4 (иметь те же параметры). Коэффициент усиления по напряжению второго промежуточного каскада будет равен 10,76.
Теперь сквозной коэффициент усиления по напряжению будет
Для стабилизации режима покоя в каскад вводят обратную связь (ОС). Обратной связью называется передача информации (или энергии) с выхода устройства или системы на его вход.
Если на входе складываются сигналы разных знаков, то ОС является отрицательной (ООС). В этом случае на входе схемы действует разностный сигнал, который меньше входного. Выходной сигнал при этом уменьшается. Однако при применении ООС увеличивает стабильность выходной величины: ООС по напряжению стабилизирует напряжение, ООС по току стабилизирует ток и т.д.
В этом случае коэффициент усиления по напряжению усилителя принимает следующий вид:
где K - коэффициент усиления по напряжению (без обратной связи) участка схемы, охватывающего обратную связь. В данном случае он равен коэффициенту усиления по напряжению всего усилителя (без обратной связи):
Коэффициент j:
где R’ выбирается 10Ом, а RОС - порядка 10кОм.
Таким образом коэффициент усиления по напряжению усилителя, охватывающего ООС, уменьшается в (1+jK) раз. Коэффициент усиления по напряжению усилителя необходимо уменьшить в
Можно записать:
Откуда j=6/K.
Тогда
В результате определяется требуемый коэффициент усиления по напряжению усилителя будет равен:
Сквозной коэффициент усиления по напряжению получился равным
где
Сравнивая полученный сквозной коэффициент усиления по напряжению (6.1) с необходимым (3.1), можно сделать вывод, что в схему надо добавить ещё один промежуточный каскад. Этот каскад будет аналогичным рассчитанному ранее промежуточному каскаду в пункте 4 (иметь те же параметры). Коэффициент усиления по напряжению второго промежуточного каскада будет равен 10,76.
Теперь сквозной коэффициент усиления по напряжению будет
Для стабилизации режима покоя в каскад вводят обратную связь (ОС). Обратной связью называется передача информации (или энергии) с выхода устройства или системы на его вход.
Если на входе складываются сигналы разных знаков, то ОС является отрицательной (ООС). В этом случае на входе схемы действует разностный сигнал, который меньше входного. Выходной сигнал при этом уменьшается. Однако при применении ООС увеличивает стабильность выходной величины: ООС по напряжению стабилизирует напряжение, ООС по току стабилизирует ток и т.д.
В этом случае коэффициент усиления по напряжению усилителя принимает следующий вид:
где K - коэффициент усиления по напряжению (без обратной связи) участка схемы, охватывающего обратную связь. В данном случае он равен коэффициенту усиления по напряжению всего усилителя (без обратной связи):
Коэффициент j:
где R’ выбирается 10Ом, а RОС - порядка 10кОм.
Таким образом коэффициент усиления по напряжению усилителя, охватывающего ООС, уменьшается в (1+jK) раз. Коэффициент усиления по напряжению усилителя необходимо уменьшить в
Можно записать:
Откуда j=6/K.
Тогда
В результате определяется требуемый коэффициент усиления по напряжению усилителя будет равен:
6. Расчет элементов связи
Распределение фазовых сдвигов:Для входного каскада:
Для предоконечного и промежуточных каскадов:
Для выходного каскада:
R1, R2, R5, R6, R9, R10, R13, R14 | ВС-1-0,125-6,2кОм-10% |
R3, R7, R11, R15 | ВС-1-1-68Ом-10% |
R4, R8, R12, R16 | ВС-1-0,5-30Ом-10% |
R17 | ВС-1-0,125-3,9МОм-10% |
R18, R19, | ВС-1-0,125-240кОм-10% |
R20 | ВС-1-0,125-13кОм-10% |
R21, R22 | ВС-1-0,125-1кОм-10% |
Rн | ВС-1-20-11Ом-10% |
Rф | ВС-1-1-62Ом-10% |
Rос | ВС-1-0,125-22кОм-10% |
R’ | ВС-1-20-10Ом-10% |
С1 | К50-6-50В-2мкФ- (-20¸+80)% |
С2, С4, С6, С8 | К50-6-10В-10мкФ- (-20¸+80)% |
С3, С5, С7 | К50-6-16В-5мкФ- (-20¸+80)% |
С9 | К50-9-3В-0,5мкФ- (-10¸+100)% |
С10 | К75-42-1600В-0,0033мкФ-10% |
С11 | К50-6-10В-50мкФ- (-20¸+80)% |
Сф | К50-22-50В-1500мкФ- (-20¸+50)% |
VT1-VT5 | KT-3102A |
VT6 | КТ-814Б |
VT7 | KT-815Б |
VT8,VT9 | KT-817Б |
VD1-VD6 | Д2Ж |
Литература
1. Аронов В.А., Баюков А.В. и др. Полуроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник. - М.: Энергоиздат, 1982.2. Гальперин Н.В. Практическая схемотехника в промышленной электронике. - М.: Радио и связь, 1987.
3. Гершунский Б.С. Справочник по расчету электронных схем. - М.: Наука, 1983.
4. Гитцевич А.Б., Зайцев А.А. и др. Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные, стабилитроны, тиристоры: Справочник. - М.: КубК-а, 1996.
5. Горбачев Г.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника. - М.: Энергоатомиздат, 1988.
6. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника. - М: Радио и связь, 1985.
7. Гутников В.С. Интегральная электроника в измерительных устройствах. - М.: Энергоатомиздат, 1988.
8. Доршков А.В., Полонский А.Д. Методические указания к курсовому проекту “Проектирование усилителя низкой частоты". - Сумы: СФТИ, 1993.
9. Дьяконов М.Н., Карабанов В.И. и др. Справочник по электрическим конденсаторам. - М.: Радио и связь, 1983.
10. Забродин Ю.С. Промышленная электроника. - М.: Энергоатом-издат, 1988., 1982.
11. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. - М.: Радио и связь, 1984.
12. Манаев Е.И. Основы радиоэлектроники. - М.: Энергоатомиздат, 1985.
2. Реферат на тему Corruption The Macbeth Story Essay Research Paper
3. Курсовая на тему Планирование маркетинга основа планирования деятельности предприятия 2
4. Реферат на тему Improving Productivity In The Workplace Essay Research
5. Реферат Функции денег и их роль в экономике
6. Реферат Разработка методов отбора и подбора персонала
7. Реферат Международное право и международное правосудие
8. Сочинение Образ горянки в повести Бэла
9. Реферат Гражданско- правовое представительство
10. Реферат на тему Конкуренция и монополия в рыночной экономике