Реферат

Реферат Расчетно-Графическая работа ППД КД213А

Работа добавлена на сайт bukvasha.net: 2015-10-28

Поможем написать учебную работу

Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.

Предоплата всего

от 25%

Подписываем

договор

Выберите тип работы:

Скидка 25% при заказе до 25.11.2024







Министерство высшего образования РФ.

Уральский государственный университет – УПИ

Кафедра Технология и средства связи
Расчетно-графическая работа

Полупроводниковый диод

«КД213А»



Преподаватель: Болтаев А.В.

                                                               Студент: Черепанов К.А.

                                                               Группа: Р-207


Екатеринбург


2000


Аннотация


В данной работе в табличной форме приводятся паспортные параметры (электрические и предельные эксплуатационные) полупроводникового диода КД213А, семейство вольт-амперных характеристик (ВАХ) при различных температурах, расчетные соотношения R=, r~, C; расчитываются TKUпр, TKIобр (температурные коэффициенты), rб (сопротивление базы). Приводится малосигнальная, высокочастотная эквивалентная схема исследуемого диода.
Содержание

1.     Краткая характеристика диода............................................ 4

2.     Паспортные параметры:....................................................... 4

2.1.         Электрические.......................................................... 4

2.2.         Предельные эксплуатационные............................... 4

3.     Вольт-амперная характеристика.......................................... 5

3.1.         При комнатной температуре.................................... 5

3.2.         При повышенной...................................................... 6

4.     Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С     6

5.     Определение величины TKUпрям TKIобр.......................... 6

6.     Определение сопротивления базы rб................................... 9

6.1.         Приближенное.......................................................... 9

6.2.         Точное....................................................................... 9

7.     Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема.. 10

8.     Библиографический список................................................ 10

9.     Затраты времени на:........................................................... 10

9.1.         Информационный поиск........................................ 10

9.2.         Расчеты................................................................... 10

9.3.         Оформление............................................................ 10

Краткая характеристика диода


   Диод кремниевый, диффузионный. Предназначен для  преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц. Выпускаются в  металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов приводятся на корпусе. Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса.

   Масса диода не более 4 г.

КД213А[1]




Рисунок 1

Паспортные параметры:

Электрические


    Постоянное прямое напряжение при  Iпр=10А, не более:

Т=+25°С………………………………………………………...………………………………

   Постоянный обратный ток при, не более:

Т=+25°С………………………………………………………...…………………………0,2мА

Время обратного восстановления при Uобр=20В, и Iпр, и=1А, и Iобр, и=0,1А:

КД213А…………………………………………………………...………………………300нс

Емкость диода, не более:

            при Uобр=100 В………………………………………...……………………550 пФ

            при Uобр=5 В………………………………………...……………………..1600 пФ


              

Предельные эксплуатационные

Постоянное (импульсное) обратное напряжение……………………..………200В
Постоянный (средний) прямой ток при  RТ(П-С)≤ 1,5°С/Вт ……..…..………10А
Импульсный  прямой ток при  tи≤ 10мс, Q≥1000………………...…………100А

Импульсный  обратный ток при температуре корпуса от 213 до 358 К при       tи≤ 20мкс,………………...……………………………………………………………………..10А
Частота без снижения электрических режимов……………………………100кГц
Тепловое сопротивление

                переход-среда: ……………………………….………………………………70К/Вт

          переход-корпус: ……………………………….……………………………1,5К/Вт


Температура перехода: ……………………………………………………...+140°С

Температура окружающей среды: ……………………………………….-60°С…+85°С


Общая таблица параметров




Предельные значения параметров при Т=25˚С

Tk max (Tпмах) [Тмах]˚С

Значения параметров при Т= 25˚С

R т п-к, ˚С/Вт

I пр, ср max

А



Uобр, и, п мах, В

Uобр мах, В

Iпрг (Iпр, уд)мах, А



fмах, кГц

Uпр (Uпр, ср) [Uпр, и], В



tвос, обр (tвос, обр при  Tп мах), мкс



I обр(I обр, ср) [I обр, и, п, при Т п мах], мА

Т˚С

tи(tпр), мс

Iпр (Iпр, ср) [Iпр, и], А

Iпр, и, А

Uпр, и, В

10

85

200

200

100

10

100

140

1

10

0,3

1

20

0,2

1,5

Вольт-амперная характеристика

При комнатной температуре



При повышенной




Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С








Зависимость R= от Uпр



Uпр

0,6

0,7

0,8

0,9

1

1,1


R=

0,3

0,2333333

0,16

0,1125

0,090909

0,073333









Зависимость r~ от Uпр

Uпр

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

r~

0,1

0,0666667

0,05

0,044444

0,038462











Зависимость R= от Uобр



Uобр

50

100

150

200

250

300


R=

3571429

6666666,7

8333333

4878049

2777778

1304348








Зависимость r~ от Uобр


Uобр

50

100

150

200

250

r~

50000000

25000000

5555556

2631579

1157407









Зависимость Cдиф от Uпр




Uпр

0,6

0,7

0,8

0,9

1

1,1

Сдиф

0,08

0,12

0,2

0,32

0,44

0,6


Зависимост Сб  от Uобр



Определение величины TKUпрям TKIобр









Определение сопротивления базы rб

Приближенное





Точное




Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема


Библиографический список


1.      Диоды и их зарубежные аналоги: Справочник. В 3-х томах. /Хрулев А.К., Черепанов В.П.- Том 1-М.: ИП РадиоСофт, 1998-640с.

2.      Справочник по полупроводниковым диодам/ Бородин Б.А., Дроневич В.М., Егорова Р.В. и др.; под ред. И.Ф. Николаевского.—М.: Связь , 1979.– 432 с., ил.

3.      Диоды. справочник/ О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л. Пожидаев.—М.: Радио и связь, 1990.—336 с.: ил.– (Массовая радиобиблиотека. Вып. 1158)

4.      Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник / А.В. Баюков, А.Б. Гитцевич, А.А. Зайцев и др.; Под общ. ред. Н.Н. Горюнова.–М.: Энергоиздат, 1982.– 744 с., ил.

5.      Лекции по курсу  «Физические Основы МикроЭлектронники»/ Черепанов К.А- под ред. Болтаев А.В. 2000.-50л.


Затраты времени на:

a)    Информационный поиск-72 часf

b)   Расчеты-1час (67 мин.)

c)    Оформление- 6 часов (357мин.)




[1] Зарубежный аналог КД213А - 1N1622 производства Sarkez Tarzian, США

1. Реферат Дискретная задача оптимального управления
2. Реферат Золотоносные месторождений в пределах Тынаготского района
3. Реферат Архаисты
4. Реферат НАЛОГИ ИХ СУЩНОСТЬ, ВИДЫ И ФУНКЦИИ
5. Реферат Мировые концепции государственного финансового регулирования
6. Реферат Современная экономика США и ее проблемы
7. Реферат на тему Взаимосвязь и регуляция процессов
8. Реферат Структура бизнеса Ульяновской области
9. Задача Износ и амортизация основных фондов
10. Курсовая Размышления об образовании