Реферат

Реферат Расчетно-Графическая работа ППД КД213А

Работа добавлена на сайт bukvasha.net: 2015-10-28

Поможем написать учебную работу

Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.

Предоплата всего

от 25%

Подписываем

договор

Выберите тип работы:

Скидка 25% при заказе до 11.11.2024







Министерство высшего образования РФ.

Уральский государственный университет – УПИ

Кафедра Технология и средства связи
Расчетно-графическая работа

Полупроводниковый диод

«КД213А»



Преподаватель: Болтаев А.В.

                                                               Студент: Черепанов К.А.

                                                               Группа: Р-207


Екатеринбург


2000


Аннотация


В данной работе в табличной форме приводятся паспортные параметры (электрические и предельные эксплуатационные) полупроводникового диода КД213А, семейство вольт-амперных характеристик (ВАХ) при различных температурах, расчетные соотношения R=, r~, C; расчитываются TKUпр, TKIобр (температурные коэффициенты), rб (сопротивление базы). Приводится малосигнальная, высокочастотная эквивалентная схема исследуемого диода.
Содержание

1.     Краткая характеристика диода............................................ 4

2.     Паспортные параметры:....................................................... 4

2.1.         Электрические.......................................................... 4

2.2.         Предельные эксплуатационные............................... 4

3.     Вольт-амперная характеристика.......................................... 5

3.1.         При комнатной температуре.................................... 5

3.2.         При повышенной...................................................... 6

4.     Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С     6

5.     Определение величины TKUпрям TKIобр.......................... 6

6.     Определение сопротивления базы rб................................... 9

6.1.         Приближенное.......................................................... 9

6.2.         Точное....................................................................... 9

7.     Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема.. 10

8.     Библиографический список................................................ 10

9.     Затраты времени на:........................................................... 10

9.1.         Информационный поиск........................................ 10

9.2.         Расчеты................................................................... 10

9.3.         Оформление............................................................ 10

Краткая характеристика диода


   Диод кремниевый, диффузионный. Предназначен для  преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц. Выпускаются в  металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов приводятся на корпусе. Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса.

   Масса диода не более 4 г.

КД213А[1]




Рисунок 1

Паспортные параметры:

Электрические


    Постоянное прямое напряжение при  Iпр=10А, не более:

Т=+25°С………………………………………………………...………………………………

   Постоянный обратный ток при, не более:

Т=+25°С………………………………………………………...…………………………0,2мА

Время обратного восстановления при Uобр=20В, и Iпр, и=1А, и Iобр, и=0,1А:

КД213А…………………………………………………………...………………………300нс

Емкость диода, не более:

            при Uобр=100 В………………………………………...……………………550 пФ

            при Uобр=5 В………………………………………...……………………..1600 пФ


              

Предельные эксплуатационные

Постоянное (импульсное) обратное напряжение……………………..………200В
Постоянный (средний) прямой ток при  RТ(П-С)≤ 1,5°С/Вт ……..…..………10А
Импульсный  прямой ток при  tи≤ 10мс, Q≥1000………………...…………100А

Импульсный  обратный ток при температуре корпуса от 213 до 358 К при       tи≤ 20мкс,………………...……………………………………………………………………..10А
Частота без снижения электрических режимов……………………………100кГц
Тепловое сопротивление

                переход-среда: ……………………………….………………………………70К/Вт

          переход-корпус: ……………………………….……………………………1,5К/Вт


Температура перехода: ……………………………………………………...+140°С

Температура окружающей среды: ……………………………………….-60°С…+85°С


Общая таблица параметров




Предельные значения параметров при Т=25˚С

Tk max (Tпмах) [Тмах]˚С

Значения параметров при Т= 25˚С

R т п-к, ˚С/Вт

I пр, ср max

А



Uобр, и, п мах, В

Uобр мах, В

Iпрг (Iпр, уд)мах, А



fмах, кГц

Uпр (Uпр, ср) [Uпр, и], В



tвос, обр (tвос, обр при  Tп мах), мкс



I обр(I обр, ср) [I обр, и, п, при Т п мах], мА

Т˚С

tи(tпр), мс

Iпр (Iпр, ср) [Iпр, и], А

Iпр, и, А

Uпр, и, В

10

85

200

200

100

10

100

140

1

10

0,3

1

20

0,2

1,5

Вольт-амперная характеристика

При комнатной температуре



При повышенной




Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С








Зависимость R= от Uпр



Uпр

0,6

0,7

0,8

0,9

1

1,1


R=

0,3

0,2333333

0,16

0,1125

0,090909

0,073333









Зависимость r~ от Uпр

Uпр

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

r~

0,1

0,0666667

0,05

0,044444

0,038462











Зависимость R= от Uобр



Uобр

50

100

150

200

250

300


R=

3571429

6666666,7

8333333

4878049

2777778

1304348








Зависимость r~ от Uобр


Uобр

50

100

150

200

250

r~

50000000

25000000

5555556

2631579

1157407









Зависимость Cдиф от Uпр




Uпр

0,6

0,7

0,8

0,9

1

1,1

Сдиф

0,08

0,12

0,2

0,32

0,44

0,6


Зависимост Сб  от Uобр



Определение величины TKUпрям TKIобр









Определение сопротивления базы rб

Приближенное





Точное




Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема


Библиографический список


1.      Диоды и их зарубежные аналоги: Справочник. В 3-х томах. /Хрулев А.К., Черепанов В.П.- Том 1-М.: ИП РадиоСофт, 1998-640с.

2.      Справочник по полупроводниковым диодам/ Бородин Б.А., Дроневич В.М., Егорова Р.В. и др.; под ред. И.Ф. Николаевского.—М.: Связь , 1979.– 432 с., ил.

3.      Диоды. справочник/ О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л. Пожидаев.—М.: Радио и связь, 1990.—336 с.: ил.– (Массовая радиобиблиотека. Вып. 1158)

4.      Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник / А.В. Баюков, А.Б. Гитцевич, А.А. Зайцев и др.; Под общ. ред. Н.Н. Горюнова.–М.: Энергоиздат, 1982.– 744 с., ил.

5.      Лекции по курсу  «Физические Основы МикроЭлектронники»/ Черепанов К.А- под ред. Болтаев А.В. 2000.-50л.


Затраты времени на:

a)    Информационный поиск-72 часf

b)   Расчеты-1час (67 мин.)

c)    Оформление- 6 часов (357мин.)




[1] Зарубежный аналог КД213А - 1N1622 производства Sarkez Tarzian, США

1. Реферат Гомеровский эпос
2. Реферат на тему Контролювання вид управлінської діяльності
3. Реферат Социальные группы. Типологии социальных групп
4. Курсовая Разработка организационной структуры управления ИП NC Point
5. Статья Этические проблемы в преподавательской деятельности психолога
6. Реферат на тему Hitler Essay Research Paper Hitler The Early
7. Реферат на тему AntiSemitism Influence Essay Research Paper The word
8. Реферат на тему Производство бетонных работ
9. Сочинение на тему Могучее лирическое начало в поэме А Т Твардовского Василий Теркин
10. Биография на тему Алексей Иванович Введенский