ВВЕДЕНИЕ

Для выхода нашей станы из экономического кризиса необходимо повышение темпов и эффективности развития экономики на базе уско­рения научно-технического прогресса, техническое перевооружение и реконструкция производства , интенсивное использование созданного производственного потенциала, совершенствование системы управле­ния, хозяйственного механизма и достижение на этой основе даль­нейшего подъема благосостояния народа. Исходя из этого необходимо на основе проведения единой технической политики во всех отраслях народного хозяйства ускорить техническое перевооружение произ-

водства, широко  внедрять  прогрессивную  технику  и  технологию,

обеспечивающие повышение производительности труда и качество про­дукции. Необходимо обеспечить создание и выпуск новых видов при­боров и радиоэлектронной аппаратуры, основанных на широком приме­нении микроэлектроники.

В настоящее время этап развития микроэлектроники и аппара­тостроения на ее основе можно назвать этапом интегральных схем (ИС).

Интегральные схемы, являясь основной элементной базой микро­электроники, позволяют реализовать подавляющее большинство функ­ций радиоаппаратуры.

Микрокомпоненты, применяемые совместно с ИС, должны быть совместимыми с ними по конструкции, технологии и уровню надежнос­ти. В некоторых случаях оправдано применение гибридных интеграль­ных схем (ГИС). Это объясняется следующими обстоятельствами:

Технология ГИС проста и требует меньших, чем полупроводнико­вая технология затрат на оборудование и помещения.

Технологию ГИС можно рассматривать как перспективную по сравнению с существующей технологией многослойного печатного монтажа.

Пассивную часть ГИС изготавливают на отдельной подложке, что позволяет достигать высокого качества пассивных элементов при не­обходимости создавать прецизионные ГИС.

Основной проблемой при создании микроэлектронной аппаратуры (МЭА) является выбор конструкции, а также:

- обеспечение теплового режима;

- обеспечение надежности;

- обеспечение компоновки и соединений;

- снижение стоимости МЭА.

При проектировании конкретного образца МЭА должны учитывать­ся:

- назначение и область применения  МЭА;

- заданные электрические характеристики;

- условия эксплуатации, определяющие степень воздействия внешней среды;

- требования к конструкции (надежность, ремонтопригодность, масса, габариты, тепловые режимы);

- технико-экономические характеристики (стоимость, техноло­гичность изготовления).

Основным средством миниатюризации устройств является их ин­тегральное исполнение. В силовых устройствах интеграция - это в первую очередь объединение бескорпусных силовых полупроводниковых приборов в общем корпусе. Примером такого силового устройства яв­ляется разрабатываемый силовой микромодуль вторичного источника питания.

Наряду с ГИС применяются малогабаритные сборки, состоящие из силовых транзисторов и диодов.

В основу проектирования силового микромодуля заложены сов­ременные тенденции конструирования ВИП на базе микроэлектронной

технологии их изготовления.


АНАЛИЗ ТЕХНИЧЕСКОГО ЗАДАНИЯ

Анализируя задание на дипломное проектирование, видно, что модуль используется как составная часть изделия. Наличие при экс­плуатации изделия влажности до 93% требует предусмотреть защиту

радиоэлементов и печатных плат путем герметизации модуля, а также

пропиткой и заливкой. Так в частности трансформатор преобразова­теля заливается . Герметизация модуля обеспечивается с помощью резиновой прокладки по периметру между крышкой и корпусом. Наибо­лее сложным вопросом является обеспечение нормального теплового режима при эксплуатации в диапазоне температур - 40-60^o С.

Основное влияние температуры будет сказываться на радиоэле­менты и особенно верхний предел температуры +60^o С. С этой целью выбор элементной базы произведен исключительно по техническим ус­ловиям и ГОСТам, что исключает ошибки в выборе элементной базы. Все выбранные радиоэлементы обеспечивают предельные температуры эксплуатации. Такой режим достигается благодаря особенности конс­трукции. Особенность заключается в том, что большинство теплонаг­руженных элементов имеют хороший тепловой контакт на корпус моду­ля. Так, например, трансформатор преобразователя находится в гнезде корпуса. Корпус выполнен из материала Д16, обладающим хо­рошей теплопроводностью, а для большего уменьшения теплового соп­ротивления, там где это необходимо, применяется теплопроводящая паста КНТ-8. Все это позволяет спроектировать модуль в заданных габаритах.

Механические нагрузки на модуль довольно значительные, т.к. он эксплуатируется в изделии устанавливаемом на подвижных объек-

тах Однако, вся конструкция модуля и его элементов отвечают тре­бованиям вибро- и ударной устойчивости, заданной в ТЗ.

Исходя из вышеизложенного, можно утверждать, что модуль обеспечит заданную надежность P(t)=0,9 при t=5000. Проведенный в дальнейшем расчет надежности должен показать правильность выб-

ранной элементной базы и самой конструкции  модуля.  При  меньшем

расчетном значении  надежности  потребуется  пересмотр элементной

базы вариантов и способов охлаждения и возможно всей  конструкции

модуля.

Так, применение   бескорпусных                             транзисторов                  2Т3642Б-2,

2Т376Б1-2, 2Т397А-2 и др., а также пленочных резисторов R1-12, особое значение приобретает полная и тщательная герметизация всего корпуса.

НАЗНАЧЕНИЕ И ПРИНЦИП РАБОТЫ

Проблема создания экономичных, надежных, малогабаритных ис­точников электрической энергии для питания современных радоэлект­ронных устройств становится все более актуальной.

Этой проблемой заняты специалисты всех стран мира

Большое внимание уделяется и повышению КПД вторичных источни­ков питания, т.к. количество их возрастает вместе с теми устройс­твами, где  они используются.  Одновременно растут требования и к стабильности питающей напряжения РЭА.

Поэтому правильный выбор схемы блока питания играет большую роль в получении высокого КПД.

С этой целью была выбрана схема микромодуля питания с широ­ко-импульсной модуляцией.

Блок питания обеспечивает стабилизацию выходного напряжения с одновременной фильтрацией низкочастотных составляющих входного напряжения.

Входное напряжение может изменяться от 20 до 30 В, а выход­ное напряжение при всех дестабилизирующих факторах (изменение входного напряжения, температуры окружающей среды, тока нагрузки) изменяется в пределах 25+1,25 В.

В основу регулирования заложен стабилизированный преобразо­ватель с широтно-импульсной модуляцией. Микромодуль включает в себя входной фильтр, схему управления, промежуточный каскад, трансформаторный преобразователь, выпрямитель, выходной сглажива­ющий фильтр. Входной фильтр состоит из конденсаторов С₁₈...С_24, дросселя Др1 и обеспечивает подавление пульсаций рабочей частоты преобразователя, а также обеспечивает непрохождение ВЧ пульсаций бортсети в выходную цепь.

Микромодуль состоит из двух силовых токовых ключей на тран­зисторах Т₁₃,Т₁₄,Т₁₇...Т₂₆ и транзисторов Т₁₅,Т₁₆,Т₂₇...Т_36, трансформатора Тр2. Резисторы R₄₆,R₄₇,R₄₈,R₄₉ обеспечивают необ­ходимый режим токовых ключей.

Микромодуль осуществляет необходимую трансформацию напряжения и при  необходимости может произвести гальваническую развязку вы­ходного напряжения.

Выпрямление переменного прямоугольного напряжения осущест­вляется диодами VD₁₂...VD₁₉, включенных по схеме со средней точ­кой вторичной обмотки трансформатора. Диоды VD₂₀,VD₂₁ и конденса­тор С₄₁ позволяют получить требуемую форму выходного выпрямлен-

ного напряжения в момент переключения диодов выпрямителя.

Сглаживающий выходной фильтр состоит из двух последовательно включенных Г-образных LC-фильтров. Первый фильтр состоит из нако­пительного дросселя Др₃ и конденсаторов С₄₂...С₅₁, второй - из дросселя Др₄ и конденсаторов С₅₂...С₅₇. Первый фильтр производит преобразование широтно-модулированных импульсов в постоянное нап­ряжение. Второй фильтр является фильтром подавления радиопомех и обеспечивает получение заданных пульсаций выходного напряжения.

Схема управления выполнена по гибридно-пленочной технологии и включает в себя задающий генератор (ЗГ) на инверторах У_1.1, У_1.2, У_1.3 и элементах R₉, R₁₀, C₆; генератор коротких импульсов на У_2.1, У_1.4, У_2.2; генератор пилы на элементах VT₆, R₁₆, C₁₂;

ШИМ-модулятор на усилителе постоянного тока (УПТ) У₁₆; раздели­тель каналов на триггере У_3.1; два (по числу каналов) выходных каскада на У_2.3, VT₇, VT₈, R₁₇, R₁₈, R₁₉, R₂₄, R₂₂, C₈, C₉ - пер­вый канал; У_2.4, T₉, T₁₀, R₂₀, R₂₅, R₂₁, R₂₃, R₂₇, C₁₀, C₁₁ - второй канал; узел защиты от короткого замыкания в нагрузке (У_3.2, У_7.1, У_7.2, У_8.1, У_8.2, R₂₈, R₂₉, R₃₀, R₃₂, R₃₃, R₃₆, R₃₇, VD₈, VD₉, C₁₅, C₁₇) и вспомогательные цепи питания схемы управле­ния.

Первый линейный стабилизатор параметрического типа осущест­вляет питание логических элементов У₁, У₂, У₃.

Второй линейный стабилизатор параметрического типа обеспечи­вает питанием +12 В и +6 В УПТ (У₆).

Дополнительно в схему управления входит узел гашения, обес­печивающий сброс магнитной энергии промежуточного усилительного каскада и тем самым позволяющий получить требуемую форму выходных импульсов этого каскада.

Промежуточный усилительный каскад выходных сигналов по току схемы управления и согласование по уровню. Он включает в себя ак­тивные элементы VT₁₁, VT₁₂, трансформатор Тр1 с вторичной обмот­кой.

Схема работает следующим образом: при повышении выходного напряжения на вход УПТ через резистивный делитель R₅₀, R₃₄, R₃₅ и R₃₁ поступает повышенное напряжение. Пилообразное напряжение, на­ложенное на постоянное напряжение делителя, сравнивается с опор­ным. На выходе УПТ образуются импульсы, более узкие чем это было было до этого момента. В каждом канале суженные импульсы проходят на выход промежуточного каскада, а с него поступают на вход токо­вых ключей. Токовые ключи меньшее время будут находиться в откры­том состоянии. На накопительный фильтр поступают более узкие им­пульсы. Накопительный фильтр производит сглаживание по среднему значению, поэтому выходное напряжение начинает уменьшаться и стремится к своему нормальному значению.


Обоснование и выбор конструкции микроблока питания РЭА

Микроблок является принципиально новым видом конструктивного исполнения микроэлектронной аппаратуры повышенной надежности и высокого уровня интеграции, перспективным направлением в конс­труировании РЭА различного назначения, являющимся дальнейшим и более гибким развитием методов гибридной микроэлектроники.

Анализ радиоаппаратуры показал, что вторичные источники пи­тания в большинстве случаев создаются на дискретных корпусных элементах, в то время как остальная аппаратурная часть строится на интегральной элементной базе.

Результатом такого подхода явилось то, что объем и масса вторичных источников питания составляет до 40-50% аппаратурной части РЭА.

Во многих случаях эти проблемы вызваны несовершенством конс­трукции вторичных источников питания и устройств, отводящих от них тепло. Эти  причины  сдерживают  внедрение  интегральных методов проектирования силовых устройств и дальнейшее уменьшение их  масс и габаритов.  Общеизвестно, что объемные конструкции блоков пита­ния обладают значительным температурным сопротивлением от их  ис­точника до  его стока.  Кроме того корпусные активные и пассивные элементы схемы также обладают  большим  тепловым  сопротивлением, что в  свою  очередь  требует  дополнительного  увеличения объема конструкции и охлаждающей поверхности.

Тепловой поток от источника тепла до его стока определяется из выражения:

t₁ - t<sub>2

Q = ------- ,</sub>

S R_т где Q  - тепловой поток;

t₁ - допустимая  рабочая температура элементов схемы по ТУ;

t₂ - температура окружающей среды;

S R_т- суммарное тепловое сопротивление от источника тепла до его стока.

R_т = R_iт + R_тс + R_тт


Тепловое сопротивление конструкции определяется из выражения: l

R_т = ---- , l S

где l - расстояние от источника тепла до его стока;

l - теплопроводность;

S - окружающая поверхность;

Из выражения видно, что конструкция силового модуля должна обладать:

кратчайшим расстоянием от источника тепла до его стока

(l должно быть минимальным);

максимальной площадью окружающей поверхности (S должно быть максимальным);

материал теплоотвода должен обладать максимальной теплопро­водностью (l должно быть максимальным).

Наиболее полно этим требованиям отвечает конструкция изде­лия, которая обладает:

- максимальной площадью поверхности при одновременном умень­шении ее объема;

- применением активных элементов с малым тепловым сопротив­лением, т.е. необходимо применить бескорпусные элементы;

- применением конструкции малокорпусных или бескорпусных пассивных элементов (трансформаторы, дроссели);

- применением алюминия, меди, окиси бериллия, керамики 22ХС и им подобных материалов.

Кроме того, такие конструкции обладают минимальной материа­лоемкостью, максимальной простотой монтажа, улучшенными электри­ческими параметрами.


КОНСТРУКТОРСКАЯ ЧАСТЬ

ТЕПЛОВОЙ РАСЧЕТ МИКРОМОДУЛЯ

Конструкторско-технологическая проблема миниатюризации сило­вых устройств заключается в необходимости создавать и применять специальные бескорпусные полупроводниковые приборы и микросхемы,

специальные намоточные  детали  и  особые методы конструирования,

обеспечивающие плотную упаковку элементов и низкое внутренне те­пловое сопротивление конструкции.

На дюралюминиевой  подложке  МСБ (l₃=4 мм,  190х130;

l= 170 Вт/м град) расположены дроссели диаметром 36 мм, мощностью 2,8 Вт; диоды диаметром 14 мм и мощностью 1,6 Вт каждый; транс­форматор диаметром 55 мм, мощностью 1,85 Вт; 10 транзисторов диа­метром 10 мм; мощностью по 0,83 Вт каждый, крепятся на медной пластине размером 55х67х2,7 мм.

Применение бескорпусных приборов позволяет уменьшить объем конструкции и довести его до величины полностью определяемой энергетическими соотношениями и условиями охлаждения.

В нашем случае мы рассматриваем тепловой расчет микроузла, который позволяет нам определить картину температурного поля ГИС с помощью расчета тепловых режимов и взаимовлияния элементов.

Примем условные обозначения:

W_i              - удельная мощность рассеивания элемента, Вт/см²;

W_{i max} - максимальная удельная мощность рассеивания элемен­та, Вт/см²;

DQ             -    допустимая абсолютная погрешность перегрева, ^oС;

l                  -    теплопроводность подложки, Вт/м - град;

l₃                -    толщина подложки, нм;

R_k               -    контактное тепловое сопротивление, м² град/Вт;

Z_o               -    эквивалентный радиус тепла, мм;

r_o                -    эквивалентный радиус источника тепла, мм;

P_i                -    мощность источника тепла, Вт;

S_i                -    площадь поверхности источника, мм²;


РАСЧЕТ ТЕМПЕРАТУРНОГО ПОЛЯ ИСТОЧНИКА ТЕПЛА

Экивалентный радиус подложки

Z_o= 90 мм;

Эквивалентный радиус источника тепла r_o=7 мм;

Критериальную величину рассчитываем по формуле:

|\\\\\\\\\

|\\\                 / 17Z_o<sup>2

j=? B</sup>_i ^{= / ---------     ;}

? R_k7l7l_з

|\\\\\\\\\\\\\\\

/ 17(9710^-2)<sup>2

j =   /                       ----------------  = 3,5; где R</sup>_k ^{= 10-3,}

? 4710^-37170710^-3

B_i - критерий Био;

j  - критериальная величина.

Для нахождения критерия f необходимо определить отношение r/Z_o.

Определяем функцию  f(r/Z_o,j) по таблице;

Y(r/Z_o,j)=0,5064

При r=r_o определяем тепловой коэффициент F(r_o); отношение r/Z_o,j= 0,7/9,0=0,078

1

F(r_o)= ----- Y(r/Z_o,r/Z_o,j)

2l₃7l

F(r_o) = 0,37 град/Вт

Температура в точке r=r_o составляет

t(r_o)7t_c = P7F(r_o)

t(r_o) =  70,6 град

t_c принимается равной t^o устройства и равно 70^o.

Рассчитываем коэффициент F(r/Z_o) для следующих точек:

r/Z_o=0,2;0,3;0,6;1.

Из таблиц находим функцию Y для этих точек:

Y(0,2)=0,228   Y(0,6)=0,0376

Y(0,3)=0,136   Y(1)=0,0158

Тепловые коэффициенты равны:

F(0,2)=0,17                       F(0,3)=0,10

F(0,6)=0,03                       F(1,0)=0,012

Перегревы в этих точках составляют:

Q(0,2)=0,27 Q(0,6)=0,048

Q(0,3)=0,16 Q(1,0)=0,02

Вокруг каждого источника делаем окантовку - зону влияния элементов.

2.1.2 РАСЧЕТ ВЗАИМОВЛИЯНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ

Для каждого i-того источника тепла рассчитывается влияние на близлежащие к центру этого источника точки y-х элементов схемы, которые хотя бы частично заключены в области прямоугольника i-то­го элемента.

Температура любой точки поверхности основания определяется по формуле:

K_i7W_i

Q_i= -_---- 2 e(q₁r₁) + Sign q₂7e(q₂r₁) + Sign r₂7e(q₁r₂) +

[     

+ Sign q₂7Sign r₂7e(q₂r₂)2

]

q₁ = d₁^' + |x_o| r₁ = d₂' + |y_o|

q₂ = d₂' - |x_o|   r₂ = d₂' - |y_o|

q_o = min q₁r                                                 max q₁r

K = ---------- , q_c

D1  D2

где  d₁^'= ---    и                         d₂'= ----

l₃              l₃

D1  и D2  - размеры источника тепла;

К_к - коэффициент качества конструкции; l<sub>3

Кк= -- . l</sub>

X_o, Y_o - безразмерные координаты точки, в которой определяется перегрев в системе координат, центр которой совпадает с центром

i-того элемента, а оси /1-6/ сторонам i-того элемента;

x_o = x_o / l <sub>3

e(q1r) = e1(qo) - e2(qok)</sub>

e₁(q_o) и e₂(q_ok) даны в таблице.

Определим перегрев Q_1-2 в ближайшей тоске влияния дросселя (элемента 2) на транзистор (элемент 1).

d₁^' = 27,5 / 4 х_о = 4,75

d₂' = 33,5 / 4 у_о = 0

q₁ = 11,65          r₁ = 8,4

q₂ = 2,15          r₂ = 8,4

К₁ = 1,4               К₃ = 1,4

К₂ = 4,0                К₄ = 4,0

e (q₁;r₁) = 1

e (q₂;r₂) = 0,9726

e (q₁;r₂) = 1

e (q₂;r₂) = 0,9726

Q_1-2 = 0,197

Перегрев в ближайшей точке влияния дросселя (элемент 2) на диод (элемент 3)

Q_3-2=0,00003

Для остальных элементов:

Диод (элемент 3)                                                 Q_1-3 = 6710^-3 на транзистор

Стабилитрон (элемент 5)                                  Q_1-5 = 6710^-3                        (элемент 1)

Транзистор (элемент 1)                                     Q_2-1 = 3710^-4                           на дроссель

Диод (элемент 3)                                                 Q_2-3 = 6,63710^-2 (элемент 2)

Трансформатор (элемент 4)                            Q_2-4 = 4710<sup>-4

Стабилитрон (элемент 5)                                                                             Q</sup>_2-5 ^{= 3710-6}

Транзистор (элемент 1)                                     Q_3-1 = 0                                   на диод

Трансформатор (элемент 4)                            Q_3-4 = 1,6710^-2 (элемент 3)

Дроссель (элемент 2)                                         Q_4-2 = 7710^-6                        на трансформа-

Стабилитрон (элемент 5)                                  Q_4-5 = 1,47710^-3 тор (эл. 4)

Транзистор (элемент 1)                                     Q_5-1 = 7,8710^-5                          на

Дроссель (элемент 2)                                         Q_5-2 = 7710^-4                           стабилитрон

Диод (элемент 3)                                                 Q _5-3 = 4,44710^-2 (элемент 5)

Трансформатор (элемент 4)                            Q _5-4 = 4,44710^-2


РАСЧЕТ СОБСТВЕННЫХ ПЕРЕГРЕВОВ ЭЛЕМЕНТОВ

Определяем безразмерные параметры элементов схемы:

min(D 1i,D 2i)         max(D1 i,D 2i)

q_oi= ------------                                и           K_i= ------------

l₃                                                      min(D 1i,D 2i)

Удельная мощность рассеивания элементов равна

W_i = P_i / S_i

Перегрев элементов под действием рассеиваемой мощности:

Q _i = K_k7W_i7e (q_oi,k)

Собственный перегрев состоит из перегрева элемента и перег­рева клея

Q _ni =  Q _i + Q _кл

Для транзисторов:   q_{о т}=6,875 K_т=1,2

Для трансформатора: q_{о тр}=6,875 K_тр=1,0

Для диода:  q_{о д}=1,75 K_д=1,0

Для дросселя:  q_{о др}=4,5  K_др=1,0

e ₁(q_{о т})=0,9999    e ₁(q_{о др})=0,99930

e ₂(q_{о тр})=0,999952  e ₁(q_{о д})=0,86863

e₂(q_{о т} K_т) = 0  e₂(q_{о др} K_др)=0,0008

e₂(q_{о тр} K_т) = 4,5  e₂(q_{о д} K_д)=0,05077

K_k = 0,22710^-4 м² град/Вт

W_т = 0,224 Вт/см<sup>2

W</sup>_др<sup>= 0,28  Вт/см2

W</sup>_тр<sup>= 0,08  Вт/см2

W</sup>_т ^{= 1,02  Вт/см2}

Перегрев элемента под действием рассеиваемой мощности:

Q_т = 0,5710<sup>-5

Q</sup>_др<sup>= 0,6710-5

Q</sup>_тр<sup>= 0,176710-5

Q</sup>_д ^{= 2,2710-5}

Собственный перегрев элемента:

Q_{н т} = 0,20955

Q_{н тр}= 0,60002

Q_{н д} = 2,12602

Q_{н др}= 8,4006

2.1.4 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОЛНЫХ ПЕРЕГРЕВОВ ЭЛЕМЕНТОВ

Полный перегрев элемента равен сумме собственного перегрева и перегревов, вызванных влиянием остальных элементов схемы.

Температура элементов с учетом влияния других элементов сос­тавит:

t_i = t_oc + Q_ni

t₁=70,46^oC, t₂=78,50^oC, t₃=72,14^oC, t₄=72,14^oC, t₅=70,80^oC


1

Температура элементов                                                              таблица

Источник влияния	Элемент, на который влияет
	1	2	3	4	5
1 2 3 4 5	0,20 0,197 0,006 - 0,6 10-3	0,3710-3 8,40 0,076 0,4710-3 0,3710-5	- 0,3710-4 2,126 0,016 0,1710-5	- 0,7710-4 0,016 2,126 0,1710-5	0,156710-3 0,14710-2 0,0888 0,8888 0,60
Итого	0,457	8,477	2,142	2,142	0,779

0


КОНСТРУКТИВНЫЙ РАСЧЕТ ПЕЧАТНОЙ ПЛАТЫ

Материалы, используемые в качестве оснований для печатных плат (ПП), должны обладать совокупностью определенных свойств. К их числу относятся высокие электроизоляционные свойства, доста­точная механическая прочность и др. Все эти свойства должны быть стабильными при воздействии агрессивных сред и изменяющихся усло­вий. Кроме того, материал платы должен обладать хорошей сцепляе­мостью с токопроводящим покрытием, минимальным короблением в про­цессе производства и эксплуатации. Если платы изготавливаются из листового материала, то последний должен допускать возможность обработки резанием и штамповкой.

В качестве материала ПП используем листовой фольгированный материал - стеклотекстолит фольгированный марки СФ 2-50-2,0 ГОСТ 10316-70.

Выбор данного материала объясняется назначением и условиями работы микромодуля. Печатные платы из стеклотекстолита имеют

нужную устойчивость к механическим,  вибрационным,  климатическим

воздействиям по сравнению с платами из гетинакса.  Физико-механи­ческие и электрические свойства сведены в таблицу

Таблица 2 Физико-механические свойства стеклотекстолита

Показатели	СФ	2
1.Плотность с фольгой, г/см2 2.Предел прочности на растяжение, кг/см2 3.Удельное поверхностное электрическое сопротивление, Ом 4.Тангенс угла диэлектрических потерь при частоте 106Гц 5.Диэлектрическая проницаемость	1,9-2,9 2000 1010 0,07 6

Размеры плат не рекомендуется брать более 240х360 мм при обычных и 120х180 мм при малогабаритных деталях. Это связано с тем, что при больших габаритных размерах ПП увеличивается длина печатного проводника, чем снижается его прочность, снижается сила сцепления печатного проводника с изоляционным материалом, что требуется затем дополнительное сцепление путем предусмотрения до­полнителных контактных площадок и отверстий. Из-за этого увеличи­ваются паразитные связи, что неблагоприятно сказывается на пара­метры устройства (помехи, пульсации, паразитные связи, наводки и т.д.). Одновременно снижается механическая жесткость печатной платы.

Для устранения этого эффекта рекомендуется и целесообразно более квадратная и прямоугольная форма (рекомендуемое соотношение сторон по ОСТ4 ГО.070.011 - 1:1; 1:2; 2:3; 2:5).

Платы всех размеров рекомендуется выполнять с плотностью монтажа, соответствующей классу А. К этому классу относятся пла­ты, у которых ширина проводников и расстояние между ними в узких местах находятся в пределах 0,5-0,6 мм.

Принимается площадь всех элементов 80,6 см², а коэффициенты плотности монтажа равным 0,7, получаем максимальную площадь пе­чатной платы равной 116 см².

Исходя из особенностей конструкции блока, а именно: ограни­чение размеров в целях достижения наименьших габаритов микромоду­ля, печатная плата модуля имеет размеры и форму, изображенную на рисунке