Реферат Расчет тонкопленочного конденсатора
Работа добавлена на сайт bukvasha.net: 2015-10-28Поможем написать учебную работу
Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
Предоплата всего
от 25%
Подписываем
договор
ПРОЕКТИРОВАНИЕ ПЛЕНОЧНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ
В некоторых типах гибридных ИМС наряду с резисторами наиболее распространенными пассивными элементами являются пленочные конденсаторы, которые во многом определяют схемотехнические и эксплуатационные характеристики ИМС. Так, качество и надежность большинства линейных гибридных ИМС в значительной мере зависят от качества и надежности тонкопленочных конденсаторов, что определяется их конструкцией и технологией изготовления.
Конструктивно-технологические особенности и основные параметры. В гибридных ИМС применяют тонкопленочные и толстопленочные конденсаторы с простой прямоугольной (квадратной) и сложной формами (рис. 1). Пленочный конденсатор представляет собой многослойную структуру, нанесенную на диэлектрическую подложку (рис. 1, а). Для ее получения на подложку 1 последовательно наносят три слоя: проводящий 2, выполняющий роль нижней обкладки, слой диэлектрика 3 и проводящий слой 4, выполняющий роль верхней обкладки конденсатора.
в)
Рис. 1. Конструкции пленочных конденсаторов с обкладками прямоугольной формы (а) в виде пересекающихся проводников (б) и «гребенки» (в)
Пленочные конденсаторы характеризуются совокупностью следующих параметров: номинальным значением емкости С; допуском на емкость ±6С; рабочим напряжением Up; добротностью Q или тангенсом угла потерь ; сопротивлением утечки , коэффициентом остаточной поляризации , температурным коэффициентом емкости ТКС; коэффициентом старения ; диапазоном рабочих частот ; интервалом рабочих температур ; надежностью и др.
Конкретные значения этих параметров зависят от выбора используемых материалов для диэлектрика и обкладок, технологического способа формирования самой структуры и конструкции. Конструкция конденсатора должна обеспечивать воспроизводимость параметров при минимальных габаритах в процессе изготовления и совместимость изготовления с другими элементами.
Конструкция (рис. 1, а), в которой контур верхней обкладки вписывается в контур нижней обкладки, предназначена для реализации конденсаторов повышенной емкости (сотни - тысячи пикофарад). Ее особенностью является то, что несовмещение контуров обкладок не сказывается на воспроизведении емкости (для устранения погрешности из-за площади вывода верхней обкладки предусмотрены компенсаторы 5), а распространение диэлектрика за контуры обеих обкладок гарантирует надежную изоляцию обкладок при их предельном несовмещении.
Для конденсаторов небольшой емкости (десятки пикофарад) целесообразна конструкция (рис. 1, б) в виде пересекающихся проводников одинаковой ширины, разделенных слоем диэлектрика. Емкость конденсатора данной конструкции нечувствительна к смещению обкладок из-за неточности их совмещения.
Для реализации высокочастотных конденсаторов применяют гребенчатую конструкцию (рис. 1, в), в которой обкладки имеют форму гребенчатых проводников, а диэлектрик является составным типа «подложка — воздух» или «подложка — диэлектрическое покрытие».
Значение емкости пленочного конденсатора определяют по известной формуле
где — относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика; S—площадь перекрытия диэлектрика обкладками; d— толщина диэлектрика.
Для конденсаторов многослойной структуры, состоящей из последовательно нанесенных диэлектрических и проводящих слоев, емкость
где п — количество диэлектрических слоев.
Подобно материалу резистивной пленки слой диэлектрика, параметры и d которого определяют емкость конденсатора, с точки зрения технологичности, воспроизводимости и стабильности свойств характеризуется оптимальным отношением для каждого материала и способа его нанесения. Поэтому емкость С конденсатора удобно выражать через удельную емкость
где Co=0,0885 /d—постоянная величина для каждого материала.
Как следует из ( ), для изготовления конденсаторов с малой занимаемой площадью необходимо применять материалы, характеризующиеся максимальным значением Со, т. е. материалы с максимальной диэлектрической проницаемостью и минимальной толщиной d. Однако минимальная толщина d диэлектрического слоя даже в случае выполнения требований по технологичности и воспроизводимости ограничена значением рабочего напряжения на конденсаторе.
Известно, что электрическая прочность конденсатора определяется выражением
где — напряженность электрического пробоя диэлектрика (постоянная величина для каждого материала).
Следовательно, для обеспечения нормальной работы конденсатора необходимо, чтобы
, что возможно при соответствующем выборе толщины диэлектрика. Минимальную толщину диэлектрика определяют из выражения ( ), если :
где —коэффициент запаса, принимаемый равным 2—3 для большинства структур пленочных конденсаторов.
Поэтому рабочее напряжение конденсатора обеспечивается выбором соответствующего материала диэлектрика с определенным значением и необходимой толщиной диэлектрического слоя d.
Допуск, на номинальную емкость С определяется относительным изменением емкости С конденсатора, обусловленным производственными погрешностями и дестабилизирующими факторами из-за изменения температуры и старения материалов. В процессе изготовления пленочного конденсатора возможен разброс его удельной емкости Со и геометрических размеров обкладок. Из выражений ( ) и ( ) следует, что максимальное значение технологической погрешности емкости
где — абсолютные погрешности воспроизведения диэлектрической проницаемости, толщины диэлектрика и площади конденсатора соответственно.
Поскольку воспроизведение удельной емкости Со и площади S конденсатора достигается взаимно независимыми технологическими операциями, математическое ожидание относительного отклонения емкости и относительное среднеквадратическое отклонение емкости определяются выражениями
где — относительные и абсолютные среднеквадратические отклонения удельной емкости и площади.
Погрешность воспроизведения удельной емкости Со зависит от технологических факторов нанесения слоя диэлектрика, а погрешность воспроизведения площади S кроме технологических факторов зависит от конструкции конденсатора и формы обкладок. В общем случае
где
— относительные среднеквадратические отклонения линейных размеров А и В, определяющих площадь S=AB; — коэффициент корреляционной связи между отклонениями размеров А и В.
Когда размеры А и В верхней обкладки конденсатора, площадь которой определяет его емкость, формируются в процессе одной технологической операции (рис. 1 а),
Для конструкции рис. 1 б емкость конденсатора определяется площадью перекрытия диэлектрика обеими обкладками, линейные размеры которых формируются независимо,
Следует отметить, что существенно зависит также от формы верхней обкладки конденсатора (рис. 1 , а). При
где —коэффициент формы обкладок (при квадратной форме обкладок, когда А =В и
, значение минимально).
При этом значение , вычисляемое по ( ), не должно превышать максимально допустимого, т.е.
Отсюда следует, что при выбранном из топологических соображений значении
площадь верхней обкладки
Выражение ( ) может быть использовано для определения максимального значения
исходя из обеспечения требуемой точности конденсатора:
В данном случае при заданной технологии значение определяется из формулы для полной относительной погрешности емкости ус конденсатора:
Здесь —относительная погрешность удельной емкости в условиях конкретного производства (зависит от материала и погрешности воспроизведения толщины диэлектрика);
— относительная погрешность площади (зависит от формы, площади и погрешности линейных размеров обкладок);
—относительная температурная погрешность (зависит в основном от ТКС материала диэлектрика); —относительная погрешность, обусловленная старением пленок конденсатора (зависит от материала и метода защиты).
Добротность
Q пленочного конденсатора обусловлена потерями энергии в конденсаторе:
где — тангенс угла диэлектрических потерь в конденсаторе, диэлектрике, обкладках и выводах соответственно. Потери в диэлектрике обусловлены свойствами материала диэлектрика на определенной частоте f и определяются суммой миграционных и дипольно-релаксационных потерь:
где — удельное сопротивление пленки диэлектрика; — время релаксации; — значения относительной диэлектрической постоянной на высоких и низких частотах.
Тангенс угла в обкладках и выводах конденсатора
где — последовательное сопротивление обкладок; — сопротивление выводов.
В практических расчетах — справочная величина, а определяется в зависимости от конфигурации конденсатора, материала и формы обкладок.
Сопротивление утечки конденсатора обусловлено наличием тока утечки , до которого уменьшается ток в цепи при зарядке конденсатора, и определяется отношением напряжения U, приложенного к конденсатору, к значению этого тока:
где — начальный ток в зарядной цепи; — активное сопротивление зарядной цепи.
Наличие в диэлектрике конденсатора различных дефектов и неоднородность его структуры (слоистость, пористость, присутствие примесей, влаги и т. д.) обусловливает в нем определенное количество свободных зарядов, способных перемещаться под действием поля. Часть из них вызывает поляризацию диэлектрика, которая выражается коэффициентом остаточной поляризации:
где — остаточная разность потенциалов, возникающая на обкладках конденсатора после его разрядки.
Температурный коэффициент емкости ТКС характеризует отклонение емкости, обусловленное изменением температуры на величину . Его среднее значение в интервале температур аналитически определяют путем разделения левой и правой частей выражения ( ) на :
где — температурные коэффициенты обкладок конденсатора, диэлектрической проницаемости и толщины диэлектрика соответственно.
Поскольку все слои конденсатора жестко сцеплены между собой, а нижняя обкладка—с подложкой, . Так как значение ТКЛР подложек мало и ему соответствует то ТКС определяется , т. е.
Коэффициент старения определяет изменение емкости конденсатора, которое происходит вследствие деградационных явлений в пленке диэлектрика за время :
где — коэффициент старения диэлектрической проницаемости.
Современная технология позволяет получать тонкопленочные конденсаторы любой конструкции (см. рис. 1) с емкостью 100.103 пФ, допуском ±(5—20)%, , ТКС=
, добротностью Q=10—100 и . При этом форма конденсатора может быть не только прямоугольной, но и фигурной для наилучшего использования площади подложки.
РАСЧЕТ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ.
Исходными данными для расчета тонкопленочных конденсаторов являются: номинальная емкость С,[пФ]; допуск на номинал ± С[%]; максимальное рабочее напряжение [В]; рабочая частота [Гц]; тангенс угла потерь ; диапазон рабочих температур [°С]; технологические данные и ограничения, в том числе погрешность воспроизведения удельной емкости и линейных размеров обкладок или их относительные cреднеквадратические отклонения коэффициент старения ; продолжительность работы или хранения и др.
Методика расчета
1. По заданной технологии и данным таблицы выбирают материал диэлектрика. Критериями выбора материала являются максимальные значения и минимальные значения ТКС, . Отметим, что на выбор материала диэлектрика существенно влияет область применения ИМС. Так, конденсаторы на основе ИБС и АСС, которые обладают наибольшей диэлектрической постоянной , применяют в линейных ИМС на частотах до 10 МГц, когда требуется высокая степень интеграции, повышенная стабильность параметров и надежность в эксплуатации. В ИМС частотной селекции и БИС, работающих при высоких температурах, целесообразно использование конденсаторов на основе БСС, которые обладают наименьшим ТКС и наибольшими значениями Q, в широком диапазоне частот и температур.
Конденсаторы на основе SiO и GeO, имевшие ранее широкое распространение ввиду простоты технологии, в настоящее время находят ограниченное применение из-за недостаточно высокой стабильности и надежности.
2. Из условия обеспечения электрической прочности с помощью ( ) определяют минимальную толщину диэлектрика. Значение d должно находиться в пределах 0,2—0,8 мкм.
3. Определяют удельную емкость конденсатора исходя из условий электрической прочности:
4. В зависимости от требуемых значений С, и С и руководствуясь рекомендациями ( ) выбирают конструкцию и форму конденсатора.
5. Определяют относительную температурную погрешность
а по ( ) — относительную погрешность обусловленную старением.
6. Используя ( ), определяют допустимую погрешность площади конденсатора при условиях
При этом
7. По конструктивно-технологическим данным на ограничение линейных размеров ( ) и выбранному значению с помощью ( ) определяют максимальное значение удельной емкости .
8. Выбирают минимальную удельную емкость из условия
которое обеспечивает заданное значение Up и требуемое значение 6С.
9. По заданному значению С; и полученному по ( ) значению Со определяют коэффициент, учитывающий краевой эффект:
10. Определяют площадь перекрытия диэлектрика обкладками конденсатора с учетом коэффициента К:
При этом, если в результате расчетов по ( ), ( ) S<0,01 см2, то необходимо выбрать другой материал диэлектрика с меньшим значением или увеличить его толщину d в возможных пределах. Если окажется, что S>2см2, то требуется выбрать другой диэлектрик с большим значением либо использовать дискретный конденсатор.
11. С учетом коэффициента определяют размеры верхней обкладки. Для обкладок квадратной формы . Полученные и округляют до значений, кратных шагу координатной сетки с учетом масштаба топологического чертежа.
12. С учетом допусков на перекрытие определяют размеры нижней обкладки
и диэлектрика
где q — размер перекрытия нижней и верхней обкладок; f — размер перекрытия нижней обкладки и диэлектрика. Для конструкции рис. 1, б .
13. Определяют занимаемую конденсатором площадь
14. По выражениям ( ), ( ), ( ) и данным табл. определяют диэлектрические потери (полученное значение не должно превышать заданного), а с помощью ( ), ( ) оценивают обеспечение электрического режима и точности конденсатора в заданных условиях эксплуатации.
При проектировании группы конденсаторов расчет начинают, как правило, с конденсатора, имеющего наименьшее значение емкости. В этом случае целесообразно пользоваться программой расчета на ЭВМ.
